Транзисторы биполярные - страница 4
Цена с НДС КТ117В Транзисторы КТ117В кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах, преобразователях. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,45 г. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - ТТ3.365.002ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2N4893. Основные технические характеристики транзистора КТ117В: • Структура транзистора: n-база • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,5... 0,7. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ117В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 17 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ209Л Транзисторы КТ209Л кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзисторы имеют два варианта маркировки: Вариант 1 - на корпус наносится буква: КТ209А - А, КТ209Б - Б, КТ209Б1 - Б1, КТ209В - В, КТ209В1 - В1, КТ209В2 - В2, КТ209Г - Г, КТ209Д - Д, КТ209Е - Е КТ209Ж - Ж, КТ209И - И, КТ209К - К, КТ209Л - Л, КТ209М - М. Вариант 2 - на боковую поверхность корпуса наносится метка серого цвета и на торце метка: КТ209А - темно-красная, КТ209Б - желтая, КТ209В - темно-зеленая, КТ209Г - голубая, КТ209Д - синяя, КТ209Е - белая, КТ209Ж - коричневая, КТ209И - серебристая, КТ209К - оранжевая, КТ209Л - светло-табачная, КТ209М - серая. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.065ТУ/02. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BC143, MPS404A. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ209Л К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Л - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ601АМ Транзисторы КТ601АМ кремниевые диффузионные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в радиовещательных и телевизионных приемниках. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1»ЩБ3.365.038ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ601АМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 16; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ601АМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ855В Транзисторы КТ855В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3». Категория качества: «ОТК». Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: SML3329. Основные технические характеристики транзистора КТ855В: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1000 мкА (150В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ855В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 55 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ361Г2 Транзисторы КТ361Г2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и генераторах аппаратуры широкого применения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются условным цветным и цифро-буквенным кодом на корпусе прибора. На боковой поверхность корпуса у всех транзисторов ставится точка синего цвета. Цвет маркировочной точки на торце корпуса: - для КТ361А2 - белый, - для КТ361Б2 - жёлтый, - для КТ361В2 - не ставится, - для КТ361Г2 - красный, - для КТ361Д2 - синий, - для КТ361И2 - зелёный. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» ФЫ0.336.201ТУ/02. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N3906. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ361Г2 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 61 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ818БМ Транзисторы КТ818БМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.188ТУ. Импортный аналог: BD246, 2N6469, BDW22, BDW52, BDX92. Основные технические характеристики транзистора КТ818БМ: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ818БМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 18 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ326А Транзисторы КТ326А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.196ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BC178, BFX12, 2N3451. Основные технические характеристики транзистора КТ326А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (100 кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20... 70; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 450 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ326А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 26 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ644А Транзисторы КТ644А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные, высоковольтные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.268ТУ. Импортный аналог: BC527-6, TP2904A. Основные технические характеристики транзистора КТ644А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,6 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,7 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ644А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 44 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ983А Транзисторы СВЧ КТ983А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, линейные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 40...860 МГц при напряжении питания 25 В. Используются для работы в электронной аппаратуре в УКВ ЧМ и телевизионного вещания. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.527ТУ. Импортный аналог: BLX-96, C1/2-12. Основные технические характеристики транзистора КТ983А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8,7 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 5 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,5 Вт на частоте 860 МГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ983А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 83 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
978.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ805ВМ Транзисторы КТ805ВМ кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.341ТУ/03. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BD720. Основные технические характеристики транзистора КТ805ВМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ805ВМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т301Е Транзисторы 2Т301Е кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТЮ-3-1. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» ЩБ3.365.007ТУ; - приемка «ОС» ЩБ3.365.007ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: ST1694. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т301Е: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 30 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 40... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 300 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т301Е 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
348.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ934Б Транзисторы СВЧ КТ934А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.203ТУ. Импортный аналог: 2N5636, 2N6203, C12-28, BLY22, 2SC2642. Основные технические характеристики транзистора КТ934Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 15 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 16 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 12 Вт на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ934Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 34 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 164.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ602АМ Транзисторы КТ602АМ кремниевые планарные структуры n-p-n. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» ЩБ3.365.037ТУ. Импортный аналог: BFS99, BF411. Основные технические характеристики транзистора КТ602АМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ602АМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
24.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т3120А Транзисторы 2Т3120А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Тип прибора указывается в этикетке. На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками: - 2Т3120А - одна белая; - КТ3120А - две белые. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-14. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.111ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.111ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2SC4406-2. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т3120А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 40; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т3120А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ521А Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный p-n-p транзистор. КТ521А предназначен для работы в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: АДБК.432150.778ТУ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ521А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 21 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т837А Транзисторы 2Т837А кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» аА0.339.411ТУ. Зарубежный аналог: BD244A. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т837А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 120; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т837А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
294.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т203Д Транзисторы 2Т203Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» ЩЫЗ.365.007ТУ; - приемка «ОСМ» ЩЫЗ.365.007ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 120000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 150000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т203Д 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
384.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ6115А Транзистор КТ6115А кремниевый биполярный p-n-p, для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ. Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируется цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» АДБК.432140.422ТУ. Импортный аналог: SS8550B. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ6115А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 115 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9111А Транзистор 2Т9111А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...80 МГц при напряжении питания 50 В. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 10,0 г. Тип корпуса: КТ-19-2. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.542ТУ. Зарубежный аналог: TH415. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т9111А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 80 МГц. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т9111А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 111 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
5 808.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ925В Транзисторы КТ925В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200...400 МГц при напряжении питания 12,6 В. Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.074ТУ. Импортный аналог: 2N5590, C25-12, TH553. Основные технические характеристики транзистора КТ925В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3,3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мА (36В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 17; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 320 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ925В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
888.00 руб.
-
+
|