Транзисторы биполярные - страница 41
Цена с НДС П210Б Транзисторы П210Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-18. Масса транзистора не более 37,0 г с наконечниками выводов и не более 48,5 г с крепежным фланцем. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.483ТУ. Импортный аналог: 2N457, 2N458, AD142, AD545, AUY21A, AUY22A, 6NU74, 714U74, AD325. Основные технические характеристики транзистора П210Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 45 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 65 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 25 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 15 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: П210Б П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 210 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 201 до 299 - германиевые мощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
330.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ837Ф Транзисторы КТ837Ф кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.403ТУ/03. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N6124, BD224, BD944, BD946, BD948, RCA1C11. Основные технические характеристики транзистора КТ837Ф: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 450 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50... 150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ837Ф К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Ф - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
78.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9103А-2 Транзисторы 2Т9103А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях, генераторах и умножителях в диапазоне частот 0,9...5 ГГц. Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения. Бескорпусной с полосковыми выводами на керамическом негерметизированном кристаллодержателе. Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. Масса транзистора не более 3,0 г. Тип корпуса: КТ-54. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.527ТУ. Зарубежный аналог: PTB32005X, PV3742B4X, NE4203, NE420353, NEM4205. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т9103А-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
1 716.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т808А Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Масса транзистора не более 22,0 г, с накидным фланцем - не более 34,0 г. Транзистор 2Т808А-2 - бескорпусный на металлической молибденовой подложке с защитным покрытием и гибкими выводами. Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В». Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» ГЕ3.365.004ТУ; - приемка «ОСМ» ГЕ3.365.004ТУ, П0.070.052; - приемка «ОС» ГЕ3.365.004ТУ, аА0.339.190ТУ. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.. Основные технические характеристики транзистора 2Т808А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7,2 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 (250 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т808А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 716.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ856А Транзисторы КТ856А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432140.091ТУ. Импортный аналог: BUX48, BUX48A, BDX54C, BD650, BUW36. Основные технические характеристики транзистора КТ856А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 800 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (800В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ856А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 56 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
462.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ645Б Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высокочастотные. Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Вид климатического исполнения: «УХЛ5.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.333ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: HSE401, 2SC714, 2SC944, BC547A. Основные технические характеристики транзистора КТ645Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ645Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 45 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ932В Транзисторы КТ932В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.311ТУ. Импортный аналог: BC460-4, BC460-6. Основные технические характеристики транзистора КТ932В: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 40 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1,5 мА (80В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ932В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 32 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ863В Транзисторы КТ863В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, электронных фотовспышках. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.586ТУ. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SC3568M, 2SD745B. Основные технические характеристики транзистора КТ863В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 4 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 160 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (160В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 70; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ863В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 63 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1Т806А Транзисторы 1Т806А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Масса транзистора не более 28,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - ЮФ3.365.009ТУ. Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Зарубежный аналог: AL102, AUY35. Основные технические характеристики транзистора 1Т806А: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 10 МГц; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...100; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 1Т806А 1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 06 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
240.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т211А-1 Транзисторы 2Т211А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей герметизированной аппаратуры. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается на возвратной таре. Масса транзистора не более 0,01 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.000ТУ. Зарубежный аналог: BCY49. Гарантийный срок хранения транзисторов - 15 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка - 5000 часов во всех режимах, допускаемых ТУ. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т211А-1: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 25 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 нА (15В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 40... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т211А-1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 11 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки). |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ503Б Транзисторы КТ503Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, средней мощности. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным графическим или цветовым кодом на корпусе транзистора. На боковой поверхности корпуса наносится условная маркировка - точка белого цвета, а на торце корпуса цветовая метка: - для КТ503А - тёмно-красная; - для КТ503Б - жёлтая; - для КТ503В - тёмно-зелёная; - для КТ503Г - голубая; - для КТ503Д - синяя; - для КТ503Е - белая. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.183ТУ/02. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: KSD227Y, MPS2712, 2N1594. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ503Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т317А-1 Транзисторы 2Т317А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием. Помещаются в возвратную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов. Тип прибора и маркировочная точка коллектора приводятся на крышке возвратной тары. Масса транзистора не более 0,01 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - ГЕ3.365.002ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т317А-1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 17 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки). |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ8102Б Транзисторы КТ8102Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения, преобразователях. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 2,5 г. Тип корпуса: КТ-43-1 (ТО-218). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432150.083ТУ. Импортный аналог: MJE4553T. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ8102Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ316БМ Транзисторы КТ316БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (КТ316ГМ, КТ316ДМ) и переключающих устройствах (КТ316АМ, КТ316БМ, КТ316ВМ). Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» СБ0.336.030ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ316БМ: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ316БМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т935Б Мощный кремниевый n-p-n транзистор 2Т935Б в металлостеклянном корпусе КТ-97В с неизолированным фланцем и планарными выводами. Предназначен для работы в импульсных устройствах радиоаппаратуры, преобразователях напряжения DC-DC при уровне входного напряжения до 70В, других устройствах радиоаппаратуры с питанием от аккумуляторов. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.006ТУ. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т935Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 35 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
4 884.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3130Ж9 Транзисторы КТ3130Ж9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Транзисторы маркируются цветной меткой на корпусе: - КТ3130А9 - красной, - КТ3130Б9 - желтой, - КТ3130В9 - зеленой, - КТ3130Г9 - голубой, - КТ3130Д9 - синей, - КТ3130Е9 - белой. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23). Масса транзистора не более 0,01 г Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.448ТУ/02. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2SD601. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3130Ж9 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 130 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т378А1-2 Транзисторы 2Т378А1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,02 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - ХА3.365.012ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т378А1-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 78 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров; 2 - цифра, написанная дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3120А Транзисторы КТ3120А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы КТ3120А выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Транзисторы КТ3120АМ выпускаются в металлопластассовом корпусе с гибкими полосковыми выводами. На крышке корпуса наносится условная маркировка цветовым кодом: - КТ3120А - две белые точки. - КТ3120АМ - две белые полосы. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-14. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.286ТУ. Импортный аналог: BF480, K5002. Основные технические характеристики транзистора КТ3120А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: более 40; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3120А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
102.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9187Б Эпитаксиально-планарный n-p-n низковольтный СВЧ транзистор для работы в метровом диапазоне волн. КТ9187Б предназначен для работы в усилителях мощности носимой и возимой аппаратуры радиосвязи. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Диапазон частот .......... 30 - 175 МГц Выходная мощность .......... 2 Вт Напряжение питания .......... 7.5 В Коэффициент усиления по мощности .......... 6 раз Класс C Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ9187Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 187 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
318.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3189Б9 Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор малой мощности. Транзисторы КТ3189Б9 предназначены для использования в усилителях, генераторах, преобразователях частоты и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46А (SOT-23). Масса транзистора не более 0,01 г Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432150.531ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BC847B. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3189Б9 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 189 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
36.00 руб.
-
+
|