Транзисторные сборки
Цена с НДС КТС613Б Транзисторные матрицы КТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса матрицы не более 4 г. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - Я50.336.007ТУ. Основные технические характеристики транзисторной сборки КТС613Б: • Структура транзисторной сборки: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 800 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 8 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 100 нс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТС613Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
90.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9105АС Транзисторные сборки КТ9105АС состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100...500 МГц при напряжении питания 28 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Сборка содержит внутренние LС-звенья для каждого транзистора. Тип сборки указывается на корпусе. Масса сборки не более 10 г. Тип корпуса: КТ-45. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.719ТУ. Импортный аналог: BAL0105-100, MRA0610-100, NEM050029-28. Основные технические характеристики КТ9105АС: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 133 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 660 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 120 мА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 160; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 500 МГц; • tрас - Время рассасывания: не более 12 нс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТ9105АС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 105 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
4 752.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ТС622Б Транзисторные матрицы 2ТС622Б, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г. Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» И93.456.001ТУ; - приемка «ОС» И93.456.001ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС622Б: • Структура транзисторной сборки: p-n-p; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 35 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (45В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25...150; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,25 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 200 нс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2ТС622Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 044.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1НТ251 Транзисторные матрицы 1НТ251, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов. Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 0,4 г. Тип корпуса: 401.14-6. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» И93.456.000ТУ; - приемка «ОС» И93.456.000ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом. Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения: 1НТ251 1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица); НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов; 25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности первый и третий элементы обозначают номер серии; 1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку. |
1 254.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС К1НТ661А Транзисторная сборка К1НТ661А, состоящая из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. Предназначена для применения в переключательных схемах. Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 0,4 г. Тип корпуса: 401.14-3. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы: К1НТ661А К - буква, указывает на микросхему категории качества «ОТК», где К - для использования в аппаратуре производственно-технического назначения и народного потребления; 1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица); НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов; 66 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности второй и четвертый элементы обозначают номер серии; 1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС ГТС609Б Транзисторные сборки ГТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионно-сплавных p-n-p переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. Предназначены для применения в переключательных схемах в составе электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 4,0 г. Категория качества: «ОТК». Основные технические характеристики транзистора ГТС609Б: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 60 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 700 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 40 мкА; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...160 • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,2 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: ГТС609А Г - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где Г - германиевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
108.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ТС3103А Транзисторные сборки 2ТС3103А, состоящие каждая из двух кремниевых планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов с раздельными выводами. Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса сборки не более 1,5 г. Тип корпуса: 3101.8-1 (ТО-99). Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» аА0.339.031ТУ; - приёмка «ОСМ» аА0.339.031ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2ТС3103А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 164.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 125НТ1 Транзисторные матрицы 125НТ1, состоящие из кремниевых n-p-n переключательных транзисторов. Предназначены для применения в переключающих устройствах специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. Корпус типа 401.14-3, масса не более 0,4 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Импортный аналог: 2N4725 фирмы ETC. Гарантийные обязательства: Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторных матриц 125НТ1 требованиям технических условий при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации установленных ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет. Минимальный срок хранения исчисляется с даты изготовления, а для микросхем подвергавшихся перепроверки - с даты перепроверки. Гарантийная наработка микросхем: - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 120000 часов в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения: 125НТ1 ● отсутствие буквы обозначает категорию качества «ВП», наличие букв «ОСД», «ОСМ», «ОС» указывает на соответствующую категорию качества микросхемы; 1 - цифра, указывает группу микросхемы по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица); 25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности второй и третий элементы обозначают номер серии; НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов; 1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку. |
834.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ПС104А Транзисторная сборка 2ПС104А состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов. Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.033ТУ. Зарубежный аналог: UPA70A, UPA71A. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики 2ПС104А: • Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,2... 1 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,8 мА; • S - Крутизна характеристики: не менее 0,35 мА/В (10В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2ПС104А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
702.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КПС104В Транзисторная сборка КПС104В состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов. Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.038ТУ. Зарубежный аналог: UC2147, BFS21. Основные технические характеристики транзистора КПС104В: • Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,4... 2 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 1,5 мА; • S - Крутизна характеристики: не менее 0,65 мА/В (10В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КПС104В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
426.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1НТ251А Транзисторные матрицы 1НТ251А, состоящие из четырех кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключательных транзисторов. Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускается в прямоугольном металлостеклянном корпусе для монтажа на печатную плату. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 0,4 г. Тип корпуса: 401.14-6. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» И93.456.000ТУ; - приемка «ОС» И93.456.000ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзисторной сборки 1НТ251А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 400 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 6 мкА (45В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1000 Ом. Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения: 1НТ251А 1 - цифра, указывает группу по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица); НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов; 25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности первый и третий элементы обозначают номер серии; 1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку; А - буква указывает на различие микросхем одного типа по электрическим параметрам, исполнению или по температурному диапазону. |
1 254.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 125НТ1А Транзисторные матрицы 125НТ1А, состоящие из кремниевых n-p-n переключательных транзисторов. Предназначены для применения в переключающих устройствах специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. Корпус типа 401.14-3, масса не более 0,4 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Импортный аналог: 2N4725 фирмы ETC. Гарантийные обязательства: Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторных матриц 125НТ1А требованиям технических условий при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации установленных ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет. Минимальный срок хранения исчисляется с даты изготовления, а для микросхем подвергавшихся перепроверки - с даты перепроверки. Гарантийная наработка микросхем: - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 120000 часов в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения интегральной микросхемы специального назначения: 125НТ1А ● отсутствие буквы обозначает категорию качества «ВП», наличие букв «ОСД», «ОСМ», «ОС» указывает на соответствующую категорию качества микросхемы; 1 - цифра, указывает группу микросхемы по технологическому исполнению, где 1 - полупроводниковая микросхема (матрица); 25 - цифры, определяют номер разработки конкретного типа исполнения. В совокупности второй и третий элементы обозначают номер серии; НТ - буквы, обозначают подгруппу и вид функционального назначения микросхемы, где НТ - наборы транзисторов; 1 - цифра определяет условный номер разработки микросхемы в данной серии по определённому функциональному признаку; А - буква указывает на различие микросхем одного типа по электрическим параметрам, исполнению или по температурному диапазону. |
834.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9151А Сборка КТ9151А состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов. Предназначена для применения в линейных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 48...230 МГц при напряжении питания 28 В. В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 20 г. Тип корпуса: КТ-82. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432153.009ТУ. Импортный аналог: 2SC3812, TPV376, TP383, TP9386. Основные технические характеристики транзистора КТ9151А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 280 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 230 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 33 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 150 мА (55В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 350 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 200 Вт на частоте 230 МГц. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТ9151А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 151 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
14 256.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ТС622А Транзисторные матрицы 2ТС622А, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г. Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» И93.456.001ТУ; - приемка «ОС» И93.456.001ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Зарубежный аналог: 2N3905. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС622А: • Структура транзисторной сборки: p-n-p; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (45В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 150; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,25 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 120 нс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2ТС622А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 044.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П7247АР9 Транзисторная сборка 2П7247АР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами. Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Корпусное исполнение: 4320.8-А. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П7247АР9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 247 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; Р - буква обозначает, что транзисторы по электрическим параметрам подобраны в пары. 9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
4 092.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П7240АС9 Транзисторная сборка 2П7240АС9 состоящая из пары n-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Корпусное исполнение: 4320.8-А. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П7240АС9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 240 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
3 696.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9150А Транзисторная сборка КТ9150А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в линейных усилителях мощности в режиме класса А в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 25 В. В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки. Тип корпуса: КТ-81. Масса сборки не более 7,0 г. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432153.008ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ9150А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (10 Ом); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 42 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 8,5 дБ • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 8 Вт на частоте 860 МГц. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТ9150А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 150 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
14 256.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1ТС609А Транзисторные сборки 1ТС609А, состоящие из четырех германиевых диффузионно-сплавных p-n-p переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. Предназначены для применения в переключательных схемах в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 4,0 г. Категория качества: «ВП», «ОС». Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Основные технические характеристики 1ТС609А: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 60 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 700 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 40 мкА; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...200 • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,2 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 1ТС609А 1 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 1 - германиевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9142А Транзисторная сборка КТ9142А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общим эмиттером в диапазоне частот 470...860 МГц при напряжении питания 28 В. В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип сборки указывается на корпусе. Масса сборки не более 20 г. Тип корпуса: КТ-82. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432153.007ТУ. Импортный аналог: 2SC3218, TRY5051, MRF846, 9BSE55. Основные технические характеристики транзистора КТ9142А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 72 Вт; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мА (55В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 860 МГц. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТ9142А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 142 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
14 256.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1ТС609Б Транзисторные сборки 1ТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионно-сплавных p-n-p переключательных высокочастотных маломощных транзисторов. Предназначены для применения в переключательных схемах в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 4,0 г. Категория качества: «ВП», «ОС». Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Основные технические характеристики транзистора 1ТС609Б: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 60 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 700 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 40 мкА; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...160 • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,2 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 1ТС609Б 1 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 1 - германиевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
186.00 руб.
-
+
|