Транзисторные сборки - страница 7
Цена с НДС КП986ЕС Транзисторная сборка КП986ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии. Предназначена для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДКБ.432150.487ТУ. Функциональный аналог: MRF1570NT1 (Freescale). Основные RF характеристики: (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 16 Вт, tk ≤40 °С ) - Выходная мощность РВЫХ – 80 Вт (CW); - Коэффициент усиления по мощности КУР – 7 дБ; - КПД стока ηС≥50 % (мин). Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП986ЕС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 86 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Е - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
9 372.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КПС104Б Транзисторная сборка КПС104Б состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов. Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.038ТУ. Зарубежный аналог: 2N2844. Основные технические характеристики транзистора КПС104Б: • Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,2... 1 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,8 мА; • S - Крутизна характеристики: не менее 0,35 мА/В (10В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КПС104Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
426.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ПС104Б Транзисторная сборка 2ПС104Б состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов. Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.033ТУ. Зарубежный аналог: UPA70A, UPA71A. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2ПС104Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
660.00 руб.
-
+
|