Транзисторы биполярные - страница 10
Цена с НДС 2Т934Б Транзисторы СВЧ 2Т934Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в аппаратуре стационарных и подвижных средств радиосвязи специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.004ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.004ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N5636, 2SC2642. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т934Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 10 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 16 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 12 Вт на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т934Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 34 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 452.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ8109А Транзистор КТ8109А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n составной усилительный. Предназначен для применения в системах зажигания автомобилей, схемах управления двигателями, в регуляторах напряжения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Импортный аналог: TIP151. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ8109А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 109 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ603В Транзисторы КТ603В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n. Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,75 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «5.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» -И93.365.005ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N2237, 2N851. Основные технические характеристики транзистора КТ603В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ603В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т932А Транзисторы 2Т932А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 20,0 г. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.086ТУ. Зарубежный аналог: SML3511, SML3515. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т932А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 30 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1,5 мА (80В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т932А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 32 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ611АМ Транзисторы КТ611АМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BF297. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ611АМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 11 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
24.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т957А Транзисторы 2Т957А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...30 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в составе аппаратуры радиосвязи специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 15,0 г. Тип корпуса: КТ-19-2. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.124ТУ. Зарубежный аналог: 2N5535. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т957А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 100 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 100 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10...80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 17 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 125 Вт на частоте 30 МГц. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т957А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 57 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
2 508.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1Т313Б Транзисторы 1Т313Б германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», «В». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: ЖК3.365.161ТУ. Основные технические характеристики транзистора 1Т313Б: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 450 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...75 при 5В; 5мА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 1Т313Б 1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
48.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т625АМ-2 Транзисторы 2Т625АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры. Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзисторов не более 0,04 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - Я53.365.022-03ТУ. Зарубежный аналог: BSS40. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т625АМ-2: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 9 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 60 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т625АМ-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
90.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ325БМ Транзисторы КТ325БМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры широкого назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом, на приборах маркировка указывается в сокращенном виде: 325А, 325Б, 325В. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» СБ0.336.047ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SC1215, 2SC1188, 2SC2347, MPS3563, STH17. Основные технические характеристики транзистора КТ325БМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 70... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ325БМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т653А Транзисторы 2Т653А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,005 г. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.307ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.307ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: BSW67, 2SC484. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т653А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 130 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...150; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т653А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 53 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
582.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т834А Транзисторы 2Т834А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные, переключательные. Предназначены для применения в регуляторах тока и напряжения, в переключающих устройствах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.209ТУ. Зарубежный аналог: SDM6000. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т834А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 500 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 8 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (500В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 150... 3000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 100 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,13 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т834А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 34 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 284.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т117Г Транзисторы 2Т117Г кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные с базой n-типа. Предназначены для применения в маломощных генераторах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» ТТ3.365.000ТУ; - приемка «ОСМ» ТТ3.365.000ТУ, П0.070.052, - приемка «ОС» ТТ3.365.000ТУ, аА0.339.190ТУ. Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Основные технические характеристики транзистора 2Т117Г: • Структура транзистора: n-база • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт; • fmax - Максимальная частота генерации: 0,2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 0,65... 0,9. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т117Г 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 17 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
726.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3107В Транзисторы КТ3107В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзисторы имеют два варианта маркировки: Вариант 1 - буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Вариант 2 - на корпусе наносится условная маркировка - две цветные точки: - КТ3107А - голубая и розовая; - КТ3107Б - голубая и жёлтая; - КТ3107В - голубая и синяя; - КТ3107Г - голубая и бежевая; - КТ3107Д - голубая и оранжевая; - КТ3107Е - голубая и цвета электрик; - КТ3107Ж - голубая и салатовая; - КТ3107И - голубая и зелёная; - КТ3107К - голубая и красная; - КТ3107Л - голубая и серая. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.170ТУ/04. Гарантийный срок сохраняемости - 12 лет. Импортный аналог: BCY72, BC178AP, BC178V1P, PC108. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3107В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 107 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ863А Транзисторы КТ863А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, электронных фотовспышках. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.586ТУ. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BDY92, 2N6669. Основные технические характеристики транзистора КТ863А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 4 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (30В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 100; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ863А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 63 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
90.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т911А Транзисторы СВЧ 2Т911А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 400 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-18. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» И93.365.020ТУ; - приемка «ОСМ» И93.365.020ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: HXTR-4103, MSC85470, MSC85920. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т911А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1000 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,4 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (55В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 1,8 ГГц; • tрас - Время рассасывания: не более 25 нс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т911А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 11 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 980.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС П308М Транзисторы П308М кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 0,8 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» ЖК3.365.059ТУ1. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: П308М П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 308 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 301 до 399 - кремниевые мощные транзисторы низкой частоты; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ805ИМ Транзисторы КТ805ИМ кремниевые эпитаксиально-мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в выходных каскадах строчной развертки, устройствах зажигания двигателей внутреннего сгорания и других переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.341ТУ/03. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ805ИМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1Т313В Транзисторы 1Т313В германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», «В». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: ЖК3.365.161ТУ. Основные технические характеристики транзистора 1Т313В: • Структура: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт; • Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 350 МГц; • Uкбо - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В; • Uэбо - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 12В; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...230 при 5В; 5мА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ при 5В; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4,6 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 1Т313Б 1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
48.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ961А Транзисторы КТ961А кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.358 ТУ/04. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BDC01D. Основные технические характеристики транзистора КТ961А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 12,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40...100; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ961А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 61 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ816Б Транзисторы КТ816Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.186ТУ/02. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SA490, 2SA671, BD176, BD438, BD616, BD934, TIP32A, BD234. Основные технические характеристики транзистора КТ816Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (25В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ816Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 16 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
42.00 руб.
-
+
|