Транзисторы биполярные - страница 12
Цена с НДС КТ841Б Транзисторы КТ841Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.654ТУ. Импортный аналог: 2SC2122, 2SC1870, BDY99. Основные технические характеристики транзистора КТ841Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 400 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (400В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 1000 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ841Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 41 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
504.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т922В Транзисторы СВЧ 2Т922В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 50 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре радиосвязи специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» И93.365.027ТУ; - приемка «ОСМ» И93.365.027ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N5643, CD5919A, CD2089, J03020. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т922В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 9 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (65В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 65 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 175 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 25 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т922В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 452.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1Т403И Транзисторы 1Т403И германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,0 г. Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «5» СИ3.365.023ТУ; - приемка «9» СИ3.365.023ТУ/Д6. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления. Импортный аналог: AC124. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 1Т403И 1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 4 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 4 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
264.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т819А Транзисторы 2Т819А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.142ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.142ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: BDW51C. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т819А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т819А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 19 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
888.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ520А Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный n-p-n транзистор. КТ520А предназначен для работы в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» АДБК. 432150. 778ТУ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ520А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 20 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т831А Транзисторы 2Т831А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,5 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.140ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.140ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N1072. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т831А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т831А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 31 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
660.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т325А Транзисторы 2Т325А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г. Тип корпуса: КТ-2-9 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.023ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: 2SC385A, 2N5180. Основные технические характеристики транзистора 2Т325А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 800 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (3кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30... 90; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,50 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 125 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т325А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 25 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
264.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т966А Транзисторы 2Т966А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5...30 МГц при напряжении питания 12,6 В. Корпус металлокерамический с полосковыми выводами. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 6,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Тип корпуса: КТ-30. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.218ТУ. Зарубежный аналог: SD1275-1. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т966А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 64 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 100 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 23 мА (36В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 70; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 16 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 30 МГц. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т966А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 66 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
3 300.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ104А Транзисторы КТ104А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях радиовещательных приемников. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,4 г. Тип корпуса: КТЮ-2-2. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - ЖК3.365.221ТУ. Импортный аналог: 2N1222, 1N1028, 2N1220, 2N1223, 2N164, BCY26. Основные технические характеристики транзистора КТ104А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общей базой: не менее 5 МГц; • Uкэо проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 30 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 7... 40; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 50 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ104А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
102.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т948А Транзисторы 2Т948А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7...2,3 ГГц в схеме с общей базой. Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 3,0 г. Тип корпуса: КТ-54. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.205ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.205ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: MRF2016M, NEM2015, MRF2010, MRF2010B, MRF2010M, NEM1712B20, NEM1020, NEM2010. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т948А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менне 1950 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мА (45В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 15 Вт на частоте 2 ГГц. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т948А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 48 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
4 884.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 1Т612А-4 Транзисторы 1Т612А-4 германиевые планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для усиления и генерирования сигналов сверхвысоких частот в схеме с общей базой. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с металлизированными контактами выступами и покрытым эмалью кристаллом. Выпускаются в индивидуальной таре-спутнике. Тип прибора указывается на таре. Масса транзистора не более 0,2 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: 3.365.000ТУ. Основные технические характеристики транзистора 1Т612А-4: • Структура: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 570 мВт; • fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1500 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,2 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 120 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 3,5 пФ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менне 0,2 Вт на частоте 2 ГГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 7 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 1Т612А-4 1 - цифра, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 1 - германиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 12 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 4 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 4 - транзистор с жёсткими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ201В Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-р-n усилительные с ненормированным КТ201А, КТ201Б, КТ201В, КТ201Г и нормированным КТ201Д коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - СБ0.336.040ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2N1590, 2N1589. Основные технические характеристики транзистора КТ201В: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 30...90; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ201В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т653Б Транзисторы 2Т653Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,005 г. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.307ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.307ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: BCX22, BFY57. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т653Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 130 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 80...250; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т653Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 53 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
558.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3102Д Транзисторы КТ3102Д кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,4 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.122ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BCY59-X, BC184A, 2N2484. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3102Д К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
264.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ850Б Транзисторы КТ850Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях мощности, переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.510ТУ. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: MPSU04, DR42R2/220. Основные технические характеристики транзистора КТ850Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 300 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА (300В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 35 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 1500 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ850Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 50 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ363Б Транзисторы КТ363Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - ЩТ0.336.014ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: 2N3546, 2N4209, 2N4260, 2SA800. Основные технические характеристики транзистора КТ363Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 12 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ363Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 63 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3102Г Транзисторы КТ3102Г кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,4 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.122ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BC108CP. Основные технические характеристики транзистора КТ3102Г: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400...1000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3102Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
330.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т818А2 Транзисторы 2Т818А2 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» аА0.339.557ТУ. Зарубежный аналог: TIP74C, BD744C. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т818А2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 18 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
978.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП103 Транзисторы МП103 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.009ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП101 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 103 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
42.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ846А Транзисторы КТ846А кремниевые меза-планарные структуры n-p-n импульсные, переключательные. Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.534ТУ. Основные технические характеристики транзистора КТ846А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1500 В (0.01кОм); • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7,5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (1500В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,22 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 12000 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ846А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 46 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
504.00 руб.
-
+
|