Транзисторы биполярные - страница 55
Цена с НДС 2Т866А Транзисторы 2Т866А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, источниках вторичного электропитания. Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-57. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.431ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.431ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 1723-1610, 1723-1605, BUW58, 2N5539. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т866А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 25 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 25 мА (100В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,15 Ом; • tвыкл - Время выключения:: не более 450 нс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т866А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 66 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
11 088.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ837Б Транзисторы КТ837Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.403ТУ/03. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BD536, MJF6107. Основные технические характеристики транзистора КТ837Б : • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 80; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,8 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ837Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ840А Транзисторы КТ840А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения во вторичных источниках питания, высоковольтных ключевых схемах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.442ТУ. Импортный аналог: BU606, BUY18, 2N5840, 2N6543, 2SD811, BUS21A, BUS21B, BU326. Основные технические характеристики транзистора КТ840А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 900 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 6 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (900В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 60; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ840А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 40 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
462.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т682Б-2 Транзисторы 2Т682Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц. Предназначены для применения в малошумящих усилителях с расширенным динамическим диапазоном в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Транзисторы бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами. Транзисторы маркируются цветными кодом: - 2Т682А-2 - знаком «V» синего цвета у базового вывода, - 2Т682Б-2 - знаком «V» черного цвета у базового вывода. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,3. Тип корпуса: КТ-22. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.663ТУ. Зарубежный аналог: NE57835, 2SC1551, 2SC1552. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т682Б-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 82 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
4 884.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т986В Транзисторы 2Т986В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные с внутренними согласующими цепями по входу и выходу. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в схеме с общей базой в импульсном режиме в диапазоне частот 1,4... 1,6 ГГц. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-59. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.414ТУ. Зарубежный аналог: AM1416-200. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т986В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 86 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
4 092.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ3102Е Транзисторы КТ3102Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,4 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.122ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BCY57, BFX65, BC109CP, BC547B. Основные технические характеристики транзистора КТ3102Е: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400... 1000; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 1 кГц • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ3102Е К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 102 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
294.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т963Б-2 Транзисторы 2Т963Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 2...10 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок. Транзисторы 2Т963А-2, 2Т963Б-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на кристаллодержателе. Транзисторы 2Т963А-5 выпускаются в виде кристалла с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 2 г, кристалла не более 0,0001 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.175ТУ. Зарубежный аналог: NE243287, NE56854, NE56855, NE243187, LJE42002T, DC5651, DC5631. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т963Б-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 63 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
768.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ872В Транзисторы КТ872В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в оконечных каскадах строчной развертки телевизоров. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-43-2 (ТО-218). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.681ТУ/02. Импортный аналог: NTE2300, NTE2318, BU2508A, BU2508D, BU2508DF, ECG2300, ECG2318, BU508DR, SK9476. Основные технические характеристики транзистора КТ872В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 7 МГц; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (1200В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 6; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 125 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 7500 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ872В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 72 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС П605 Транзисторы П605 германиевые структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора с жесткими выводами не более 11,0 г, с гибкими выводами не более 12,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «1» ЩБ3.365.043ТУ; - приемка «5» ЩБ3.365.014ТУ; - приемка «9» ЩБ3.365.014ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Основные технические характеристики транзистора П605: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2000 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 20... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 130 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: П605 П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 605 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 601 до 699 - германиевые мощные транзисторы высокой и сверхвысокой частоты. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС ГТ403В Транзисторы ГТ403В германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в стеклометаллическом корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,0 г. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - СИ3.365.036ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: ASY77. Основные технические характеристики транзистора ГТ403В: • Структура: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fmax - Максимальная частота генерации: 0,008 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 20 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1250 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА при 60 В; • h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...60 при 5В, 0,1 А; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: ГТ403В Г - буква, обозначающая исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где Г - германиевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 4 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
48.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т979А Транзистор 2Т979А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в схеме с общей базой на частотах 0,7...1,4 ГГц при напряжении питания 28 В в непрерывном режиме и 35...40 В в импульсном режиме. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-57. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.333ТУ. Зарубежный аналог: PH1214-60, 9BSE35, DBL60-12, RZB12050Y, MR1011B40W, MKB12040WD, FJ0850-28, SD1530-1, SD1530-8, SD1401. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т979А : • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мА (50В); • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 1,3 ГГц. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т979А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 79 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
12 012.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП37Б Транзисторы МП37Б германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.651ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: T322N. Основные технические характеристики транзистора МП37Б: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 150 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...50. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП37Б М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 37 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
66.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ602БМ Транзисторы КТ602БМ кремниевые планарные структуры n-p-n. Предназначены для генерирования и усиления сигналов. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Вид климатического исполнения: «УХЛ3.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» ЩБ3.365.037ТУ. Импортный аналог: 2SD668, FSX51WF. Основные технические характеристики транзистора КТ602БМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,85 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2,8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 75 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 70 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50...220; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 4 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 300 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ602БМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС П605А Транзисторы П605А германиевые структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 30 МГц. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими (вариант 1) и жесткими (вариант 2) выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора с жесткими выводами не более 11,0 г, с гибкими выводами не более 12,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «1» ЩБ3.365.043ТУ; - приемка «5» ЩБ3.365.014ТУ; - приемка «9» ЩБ3.365.014ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Основные технические характеристики транзистора П605А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3 Вт; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1500 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2000 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 40... 120; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 130 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 40 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: П605А П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 605 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 601 до 699 - германиевые мощные транзисторы высокой и сверхвысокой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
120.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т214Б9 Транзисторы 2Т214Б9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46. Масса транзистора не более 0,1 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.517ТУ. Зарубежный аналог: 2N1654. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т214Б9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 14 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ630Е Транзисторы КТ630Е кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.146 ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BSY52, 2N2192, 2N2192A, BFY68, BC211A10. Основные технические характеристики транзистора КТ630Е: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2000 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (90В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 160... 480; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ630Е К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
582.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т880В Транзисторы 2Т880В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Транзисторы 2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В, 2Т880Г, 2Т880Д выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Транзисторы 2Т880А-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,01 г. Технические условия: аА0.339.594ТУ. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.594ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.594ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2SB515D. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т880В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 80 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 980.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т324Д-1 Транзисторы 2Т324Д-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в переключающих устройствах (2Т324А-1, 2Т324Б-1, 2Т324В-1, 2Т324Г-1) и усилителях высокой частоты (2Т324Д-1, 2Т324Е-1). Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием. Выпускаются в сопроводительной таре. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,002 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.021ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т324Д-1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 24 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки). |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ8177В Транзистор КТ8177В кремниевый биполярный р-n-р типа. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» АДБК.432150.654ТУ. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ8177В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 177 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
42.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП42А Транзисторы МП42А германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения, усиления и преобразования сигнала в аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.634ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N1353, 2N581, ASY26, ASY33, ASY34. Основные технические характеристики транзистора МП42А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП42А М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 42 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|