Транзисторы биполярные - страница 57
Цена с НДС 2Т819В2 Транзисторы 2Т819В2 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» аА0.339.557ТУ. Зарубежный аналог: 2N6487. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т819В2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 19 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
558.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т608А/ИУ Транзисторы 2Т608А/ИУ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высокочастотные. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и высокочастотных устройствах аппаратуры специального назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,75 г. Тип корпуса: КТ-2-7. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» АЕЯР.432140.402ТУ; - приемка «ОСМ» АЕЯР.432140.402ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: 2SC456. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т608А/ИУ 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
714.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ606А Транзисторы КТ606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - ЩБ3.365.049ТУ. Импортный аналог: 2N5090, MRF515. Основные технические характеристики транзистора КТ606А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 350 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ606А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 06 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т3132Г-2 Транзисторы 2Т3132Г-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры. Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами. Маркируются цветной точкой: - 2Т3132А-2 - синей; - 2Т3132Б-2 - красной; - 2Т3132В-2 - жёлтой; - 2Т3132Г-2 - чёрной. Транзистор 2Т3132А-5 выпускается в виде кристаллов без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора в держателе не более 0,2 г, кристалла - не более 0,002 г. Тип корпуса: КТ-21. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.300ТУ. Зарубежный аналог: 2N6617. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т3132Г-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 132 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
594.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ818А Транзисторы КТ818А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.188ТУ. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N6111, BD292, TIP34. Основные технические характеристики транзистора КТ818А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ818А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 18 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т908А Транзисторы 2Т908А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в стабилизаторах и преобразователях напряжения, импульсных модуляторах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Масса транзистора без накидного фланца не более 22,0 г. Масса накидного фланца не более 12,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС». Технические условия: - приемка «5» ГЕ3.365.007ТУ; - приемка «7» ГЕ3.365.007ТУ/Д6, П0.070.052; - приемка «9» ГЕ3.365.007ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: 2N1900. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т908А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 50 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (100В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 8... 60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 700 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,15 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 2600 нс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т908А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 980.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т986Б Транзисторы 2Т986Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные с внутренними согласующими цепями по входу и выходу. Предназначены для применения в генераторах и усилителях в схеме с общей базой в импульсном режиме в диапазоне частот 1,4... 1,6 ГГц. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-59. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.414ТУ. Зарубежный аналог: AM1416-200. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т986Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 86 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
3 300.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т996В-2 Транзисторы 2Т996В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях класса «А» с повышенными требованиями к линейности в составе гибридных интегральных микросхем. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные на керамическом держателе с гибкими полосковыми выводами. На крышку транзистора наносят условную маркировку: - 2Т996А-2 - букву А, - 2Т996Б-2 - букву Б, - 2Т996В-2 - букву В, - 2Т996Г-2 - букву Г. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,21 г. Транзисторы 2Т996А-5, 2Т996Б-5, 2Т996А-5Н, 2Т996Б-5Н выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Масса транзистора не более 0,00017 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.482ТУ/Д2. Зарубежный аналог: MRF587, MRF587A. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т996В-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 96 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
3 828.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ708А Транзисторы КТ708А кремниевые мезапланарные структуры p-n-p составные переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SB678. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ708А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой не более 3 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
648.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ610А Транзисторы КТ610А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. На крышке корпуса наносится условная маркировка цветными точками: - КТ610А - чёрная точка на коричневой поверхности; - КТ610Б - красная точка на коричневой поверхности. Тип прибора указывается в этикетке. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 2,0 г. Тип корпуса: КТ-16-2. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - Я53.365.005ТУ. Импортный аналог: BFW16, 2N6135, 2SC651, 2SC1365. Основные технические характеристики транзистора КТ610А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 26 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (26В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50...300; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,1 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 200 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 55 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ610А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 10 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
888.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС П216Б Транзисторы П216Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.342ТУ; - приемка «5» СИ3.365.017ТУ; - приемка «9» СИ3.365.017ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: 2N178. Основные технические характеристики транзистора П216Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 24 Вт; • fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1,5 мА; • h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 10; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,25 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: П216Б П - буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 216 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 201 до 299 - германиевые мощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т876Б Транзисторы 2Т876Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 20,0 г. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.560ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.560ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: RCA1C08, 2N5621. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 120000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т876Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 76 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
7 524.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т856В Транзисторы 2Т856В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 18,0 г. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.383ТУ. Зарубежный аналог: 2SD1279. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т856В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 56 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
3 036.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ928А Транзисторы КТ928А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные, высокочастотные. Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах электронной аппаратуры общего назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 3,0 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.202ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BSW27, BSXP59, BSXP60, BSXP6, BSS29, 2N2217, 2N5581. Основные технические характеристики транзистора КТ928А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,96 Вт; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 250 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,2 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 250 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ928А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 28 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ802А Транзистор КТ802А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n универсальный. Предназначен для применения в усилителях постоянного тока, генераторах строчной развертки, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Масса транзистора не более 22,0 г, с накидным фланцем - не более 34,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «3.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - ЖК3.365.156ТУ. Импортный аналог: BU123, BUYP52, BUYP53, BUYP54, 2SC1111, 2SC1112, 2SC41, 2SC42, 2SC43, TIP29C, 2SC519A. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ802А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т381В-1 Парные транзисторы 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Д-1 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с раздельными выводами. Транзистор 2Т381Г-1 одиночный. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием. Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса каждого транзистора не более 0,01 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - ХА3.365.018ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т381В-1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки). |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т856Г Транзисторы 2Т856Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 18,0 г. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.383ТУ. Зарубежный аналог: 2SC3536, 3SC3307. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т856Г 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 56 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
3 036.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т904А Транзисторы 2Т904А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - И93.365.008ТУ. Зарубежный аналог: 2N5635, 2SC2391, 2SC2104, 2SC1765. Основные технические характеристики транзистора 2Т904А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 350 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 3 Вт на частоте 400 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т904А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
888.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т381Г-1 Парные транзисторы 2Т381А-1, 2Т381Б-1, 2Т381В-1, 2Т381Д-1 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с раздельными выводами. Транзистор 2Т381Г-1 одиночный. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием. Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса каждого транзистора не более 0,01 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - ХА3.365.018ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т381Г-1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки). |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т984Б Транзисторы 2Т984Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности класса С в схеме с общей базой в диапазоне частот 720...820 МГц при напряжении питания 50 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Транзисторы содержат внутренние согласующие LC-звенья. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 7,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Тип корпуса: КТ-42. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.374ТУ. Зарубежный аналог: D1-7E, D1-12E, D1-12B, MRF5174. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т984Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4,7 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 16 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 80 мА (65В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 250 Вт на частоте 820 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т984Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 84 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
726.00 руб.
-
+
|