Транзисторы полевые - страница 14
Цена с НДС 2П790Б92 Транзистор 2П790Б92 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью 150 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип корпуса: КТ-94 (SMD-1). Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П790Б92 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 90 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 92 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
6 468.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П321А-2 Транзистор полевой 3П321А-2 арсенидгаллиевый планарный ионнолегированный с каналом n-типа и барьером Шотки сверхвысокочастотный усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры. Бескорпусный на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,15 г. Тип корпуса: КТ-22. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.206ТУ. Зарубежный аналог: CFY19-27. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П321А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 21 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П930А-2 Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 5,7-6,3 ГГц. Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 10 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.735ТУ. Зарубежный аналог: FLM5964-4C, FLM5964-8C, MSM5964-2, MSM5964-5. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П930А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 30 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
3 828.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П303В/ЭА Транзисторы 2П303В/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N5668. Надежность: Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П303В/ЭА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
414.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П303А/ЭА Транзисторы 2П303А/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N3823, D110-1. Надежность: Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П303А/ЭА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
384.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П903В Транзисторы 2П903В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» ЖК3.365.242ТУ; - приемка «ОС» ЖК3.365.242ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ. Зарубежный аналог: CP664, CP665, CP666. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П903В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
372.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П326Б-2 Транзисторы 3П326Б-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры. Транзисторы 3П326А-2, 3П326Б-2, 3П326А-2Н, 3П326Б-2Н бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой. На ножке 3П326Б-2 наносится условная маркировка черной точкой, на транзистор 3П326А-2 условная маркировка не наносится. Транзистор 3П326А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,1г, кристалла не более 0,0002г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.314ТУ. Зарубежный аналог: CFX14. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П326Б-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 26 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П103А1/ДА Транзисторы 2П103А1/ДА кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-7. Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.215ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.215ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П103А1/ДА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров; ДА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
414.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П769В92 Транзистор 2П769В92 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип корпуса: КТ-94 (SMD-1). Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRFN140. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П769В92 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 92 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
4 752.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П602Б-2 Транзисторы 3П602Б-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. Транзисторы 3П602Б-5, 3П602Д-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для применения в гибридных интегральных микросхемах. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристалла не более 0,0006 г. Тип корпуса: КТ-52. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.227ТУ. Зарубежный аналог: NEZ1112, TC9502, MA4F005-500, HMF-0624, HMF-0621, HMF-0620, FSX51X. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П602Б-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
1 044.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП312А Транзисторы КП312А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона. Транзисторы КП312А, КП312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Маркируются цветными точками: - КП312А - двумя желтыми, - КП312Б - двумя синими. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,2 г. Тип корпуса: КТ-23. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.167ТУ. Импортный аналог: SFE264, BF410B, BF410C, BF511, 2SK242, 2SK521. Основные технические характеристики транзистора КП312А: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2... 8 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 25 мА; • S - Крутизна характеристики: 4... 5,8 мА/В (15В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 400 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП312А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 12 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
636.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП958А Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ). Транзисторы КП958А кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43-2 (ТО-218). Масса транзистора не более 5,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.376ТУ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП958А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 58 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
558.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП749А Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. КП749А предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.684ТУ. Импортный аналог: IRF620. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП749А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 49 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
102.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9110Б Транзистор 2П9110Б кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 35 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц. Предназначен для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзистор 2П9110Б используется в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-55С-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.625ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: BLL1214-35 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора 2П9110Б: (режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 35 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный), 16 дБ(типичный); ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9110Б: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 70 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 3,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 2,2 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П9110Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 110 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
11 616.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9110А Транзистор 2П9110А кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 10 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц. Предназначен для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзистор 2П9110А используется в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-55С-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.625ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: BLA1011-10 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора 2П9110А: (режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 10 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный), 16 дБ(типичный); ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9110А: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 20 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 1,4 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 7,5 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П9110А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 110 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
9 900.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П977А Транзистор 2П977А кремниевый полевой n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по DMOS технологии. Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц. Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТ-82. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.233ТУ. Функциональный аналог: MRF275G (M/A Com), D1009UK, D1020UK (Semelab), SP703 (Polyfet). Основные характеристики: - Выходная мощность РВЫХ = 150 Вт; - Напряжение питания UСИ = 28 В; - Рабочая частота f = 500 МГц; - Коэффициент усиления по мощности КУР≥10; - КПД стока ηС≥50%. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П977А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 77 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
24 288.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП744А Транзисторы КП744А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АЕЯР.432140.743ТУ. Импортный аналог: IRF9020, IRF9Z22. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП744А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 44 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П920Б Транзисторы 2П920Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 400 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 8,0 г. Тип корпуса: КТ-61. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.534ТУ. Зарубежный аналог: DV28120, MTP14N05A, BUK452-50B(A), BUK462-50B, MSC0204100. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П920Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 20 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
4 356.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П829Е9 Транзисторы 2П829Е9 кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные. Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения. Тип корпуса: КТ-95-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П829Е9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
7 392.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П930В-2 Транзисторы полевые арсенидгаллиевые эпитаксиально-планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки генераторные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в диапазоне 5,7-6,3 ГГц. Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 10 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.735ТУ. Зарубежный аналог: MGFC41V5964, MSM5964-10. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П930В-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 30 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
4 092.00 руб.
-
+
|