Транзисторы полевые - страница 12
Цена с НДС КП813А1 Транзисторы КП813А1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания, частотно-регулируемых источниках электропитания, индукционных печах. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218). Масса транзистора не более 5,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.441ТУ. Импортный аналог: IRFP252, RFK25N20, BUZ350, 2N6960, BUZ36. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП813А1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
426.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П915Б-2 Транзисторы полевые 3П915Б-2 арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. Масса транзистора не более 5 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.415ТУ. Зарубежный аналог: MA4F300-500, AT-8141, IM7178-3, IM7984-3, FLC053WG, FLC103WG, FLC253MH-8, FLC151XP, DXL-3850, HMF-2400, C2422H-0900, MA4F100-500. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П915Б-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 15 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
1 584.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П829Е Транзисторы 2П829Е кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные. Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43А-1.01. Масса транзистора не более 7,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П829Е 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
8 448.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП313А Транзисторы КП313А кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-13. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.118ТУ. Зарубежный аналог: UC758, UC759. Основные технические характеристики транзистора КП313А: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 75 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА • S - Крутизна характеристики: 4,5... 10,5 мА/В (15В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 7 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,9 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 10 дБ на частоте 250 МГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 7.5 дБ на частоте 250 МГц; • fр - рабочая частота транзистора: 300 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП313А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
90.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП768А Транзистор кремниевый полевой эпитаксиально-планарный с каналом n-типа переключательный. Транзистор КП768А предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.743ТУ. Импортный аналог: IRF720. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП768А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П768К91 Мощный n-канальный транзистор с пониженным RСИ. Транзистор 2П768К91 предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-90 (TO-263). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.558ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF740. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П768К91 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
1 284.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П769Е Транзистор 2П769Е полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П769Е 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 320.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП737Б Тpанзистоpы КП737Б полевые с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.637ТУ. Прототипы: IRF630, IRF634, IRF635, IRL630. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП737Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 37 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП768В Транзистор КП768В кремниевый полевой эпитаксиально-планарный с каналом n-типа переключательный. Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.743ТУ. Импортный аналог: IRF722. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП768В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П701А Транзисторы 2П701А кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, переключающих и импульсных устройствах, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-57. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» аА0.339.497ТУ; - приёмка «ОСМ» аА0.339.497ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: BUZ385, BUZ43 , 2SK766, REP2N50, BUZ74, IRF822, SEN422, UFN822, YTF822, IRFJ420. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П701А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
2 244.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП745Г Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала. КП745Г пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.680ТУ. Импортный аналог: IRL530. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП745Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 45 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
102.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П771А91 Транзисторы 2П771А91 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-90 (TO-263). Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.243ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П771А91 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 71 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
2 640.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П609Б Транзисторы 2П609Б полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде обратно смещенного p-n перехода с каналом n-типа усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, в смесителях в аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-2-7. Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.095ТУ. Зарубежный аналог: BF246B, BF247A, BF24B, BF246A. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 120000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П609Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 716.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П330В-2 Транзисторы 3П330В-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 25 и 17,4 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы 3П330А-2, 3П330Б-2, 3П330В-2, АП330А-2, АП330Б-2, АП330В-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой. На крышке наносится условная маркировка: - на 3П330Б-2 - белая точка, - на 3П330В-2 - черная точка, - на 3П330А-2 - точка не наносится. Транзистор 3П330А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,15 г, кристалла не более 0,0002 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.485ТУ. Зарубежный аналог: CFX14. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 3П330В-2: • Структура транзистора: с барьером Шотки, с n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 30 мВт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 3 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 6 В; • S - Крутизна характеристики: более 5 мА/В; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 6 дБ на частоте 25 ГГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3,5 дБ на частоте 25 ГГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П330В-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 30 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9103А Транзистор 2П9103А кремниевый полевой линейный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 10 Вт в диапазоне частот до 1600 МГц. Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания. Выполнен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD) и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзистор 2П9103А применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-55С-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.585ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: BLF1043 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора 2П9103А: (режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤ 0,25 Вт, tk ≤40 °С, класс AB) ● Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО - 10 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный); ● Коэффициент интермодуляционных искажений 3-го порядка М3 - минус 25 дБ (макс). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9103А: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 32,5 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 1,1 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 4,7 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П9103А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 103 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
7 524.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П904Б Транзисторы 2П904Б кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц. Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 35,0 г. Тип корпуса: КТ-5. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» аА0.339.027ТУ; - приёмка «ОСМ» аА0.339.027ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: MRF148, BFL175. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П904Б: • Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 75 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 90 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 5 А; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 350 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 200 мА; • S - Крутизна характеристики: 250... 520 мА/В; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 60 МГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П904Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
978.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П769В2 Транзистор 2П769В2 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 75 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28А-2.02. Масса транзистора не более 3,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRFY240C. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П769В2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
5 148.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П829В Транзисторы 2П829В кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные. Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 10,0 г. Тип корпуса: КТ-105-1.01. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П829В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
19 272.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П762А Транзисторы 2П762А полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в ключевых стабилизаторах, в модуляторах импульсных источников электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой аппаратуры. Выпускаются: - 2П762А, 2П762В, 2П762Д, 2П762Ж, 2П762И2, 2П762К, 2П762Л, 2П762М, 2П762Н в плоском металлокерамическом корпусе с ленточными выводами, - 2П762Б1, 2П762Г1, 2П762Е1, в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, 2П762И2 в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами и винтом, - 2П762Г1-5, 2П762Е1-5, 2П762И2-5 бескорпусные на общей пластине неразделенные с контактными площадками без выводов или разделенные на кристаллы. Тип прибора указывается на корпусе или в этикетке. Масса транзистора в плоском металлокерамическом корпусе не более 5 г, в металлическом - не более 15 г, в металлокерамическом с винтом - не более 9 г, кристалла - не более 0,015 г. Корпусное исполнение: КТ-57. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.159ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.159ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П762А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 62 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
11 484.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П941Б Транзисторы 2П941Б кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в генераторах и усилителях СВЧ диапазона при напряжении питания 12 В. Выпускаются в металлокерамических корпусах с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: - 2П941А - КТ-25, - 2П941Б - КТ-55, - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д - КТ-62. Масса транзистора: - 2П941А не более 2,0 г, - 2П941Б не более 5,0 г, - 2П941В, 2П941Г, 2П941Д не более 10,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.092ТУ. Зарубежный аналог: F1202. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П941Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 41 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
8 844.00 руб.
-
+
|