Транзисторы полевые - страница 18
Цена с НДС 2П767А Транзистор 2П767А полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 50 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF620. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П767А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 67 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
438.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П604Б1-2 Транзисторы 3П604Б1-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 18 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках. Транзисторы 3П604А-2, 3П604Б-2, 3П604В-2, 3П604Г-2, 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. На транзисторы 3П604А1-2, 3П604Б1-2, 3П604В1-2, 3П604Г1-2 дополнительно устанавливается керамический колпачок, закрывающий кристалл. Транзисторы 3П604А-5, 3П604Б-5, 3П604В-5, 3П604Г-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Транзисторы маркируются цветными точками: - 3П604А-2, 3П604А1-2 - одной красной, - 3П604Б-2, 3П604Б1-2 - одной синей, - 3П604В-2, 3П604В1-2 - одной черной, - 3П604Г-2, 3П604Г1-2 - одной белой. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г. Тип корпуса: КТ-75. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.476ТУ. Зарубежный аналог: FLK012WF, FLK022XP, FLK022XV, DXL3605-P100F, MA4F005-500. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П604Б1-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
2 640.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП979В Транзистор КП979В кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 300 Вт в диапазоне частот до 230 МГц. Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 28 В. Транзистор КП979В изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-82. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.359ТУ. Функциональный зарубежный аналог: MRF151G (M/A-COM), VRF151G (Microsemi), BLF278 (Philips), D5028UK (Semelab), SD2932 (STM). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП979В: (условия измерения: РВХ ≤ 10 Вт, UСИ = 28 В, f = 230 МГц, IС ≤ 500 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 300 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - в 30 раз (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный); ● Напряжение питания UСИ - 28 В; ● Рабочая частота f - 230 МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП979В: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 125 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 420 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 40 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 12,0 г. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП979В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 79 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
19 800.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП307А1 Транзисторы КП307А1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.046ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП307А1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
66.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП103И Транзисторы КП103И кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ТФ3.365.000ТУ1. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП103И К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу, |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П790А4 Транзистор 2П790А4 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью 120 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43А-1.01. Масса транзистора не более 7,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRFM150. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П790А4 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 90 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 4 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
5 412.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П978В Транзистор 2П978В кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 20 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В. Транзистор 2П978В изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-81. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.248ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: BLF544 (Philips), MRF166C, UF2820P (M/A-COM), D1013UK, D1014UK (Semelab), F1007, F1014, F1016 (Polyfet). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П978В: (условия измерения: РВХ ≤ 1,3 Вт, UСИ = 28 В, f = 500 МГц, IС ≤ 100 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 20 Вт; ● Напряжение питания UСИ - 28 В; ● Рабочая частота f - 500 МГц; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П978В: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 70 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П978В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 78 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
9 900.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9116В Транзистор 2П9116В кремниевый полевой n-канальный балансный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 300 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1090 МГц. Предназначен для применения в наземной и бортовой радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзистор 2П9116В применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-81В-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.652ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: IB1011S250 фирмы Integra technologies. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П9116В: (условия измерения: f1=1030 МГц, f2=1090 МГц, UСИ=50 В, τИ=320 мкс, Q=50) ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 300 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9116В: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1000 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 20,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,15 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 6,0 г. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П9116В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 116 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
13 860.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П770К92 Транзистор 2П770К92 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип корпуса: КТ-94 (SMD-1). Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF440. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П770К92 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 70 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 92 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
5 148.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП307А Транзисторы КП307А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.046ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2N5394, MMBF5484, JE10335, SMP5104, TMPF5104, TP5104, MPF256. Основные технические характеристики транзистора КП307А: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 3 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА • Iс нач - Начальный ток стока: не более 9 мА; • S - Крутизна характеристики: 4... 9 мА/В (10В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП307А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
42.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП305Д Транзисторы КП305Д кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - ТФ0.336.000ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: MFE3004, SK103, 2N4223. Основные технические характеристики транзистора КП305Д : • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА • S - Крутизна характеристики: 5,2... 10,5 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 250 МГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 7,5 дБ на частоте 250 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП305Д К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П767Ж2 Транзистор 2П767Ж2 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Корпусное исполнение: КТ-28А-2.02. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Зарубежный аналог: IRFY240C. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П767Ж2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 67 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
5 808.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П829Б Транзисторы 2П829Б кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные. Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 10,0 г. Тип корпуса: КТ-105-1.01. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469 ТУ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П829Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18 480.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П303Д/ЭА Транзисторы 2П303Д/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N3823, SMP5103, TMPF5103, TP5103. Надежность: Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П303Д/ЭА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
426.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9123Б Транзистор КП9123Б кремниевый полевой n-канальный линейный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 15 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц. Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания. Изготовлен по LDMOS технологии и имеет низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзистор КП9123Б применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-55С-1. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Функциональный зарубежный аналог: BLF871 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9123Б: (условия измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 28 В) ● Выходная мощность РВЫХ - 15 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 15 дБ (минимальный); ● Коэффициент интермодуляционных искажений М3 - минус 30 дБ; ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9123Б: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 46 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 2,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 3 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП9123Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 123 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
10 032.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П308Г-1 Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением. Транзисторы бескорпусные с гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя. Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения. Тип прибора указывается на сопроводительной таре. Масса транзистора не более 0,1 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - Ц23.365.006ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П308Г-1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки). |
150.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П794А92 Транзистор 2П794А92 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью 150 Вт, с максимальной рабочей частотой более 3 МГц, но не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип корпуса: КТ-94 (SMD-1). Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF350. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П794А92 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 94 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 92 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
6 864.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П978А Транзистор 2П978А кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 5 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В. Транзистор 2П978А изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-83. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.248ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: BLF542 (Philips), MRF134, UF2805B (M/A-COM), D2007UK, D2008UK (Semelab), F1034 (Polyfet). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П978А: (условия измерения: РВХ ≤ 0,25 Вт, UСИ = 28 В, f = 500 МГц, IС ≤ 50 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 5 Вт; ● Напряжение питания UСИ - 28 В; ● Рабочая частота f - 500 МГц; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 13 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П978А: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 20 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 1,5 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 4,0 г. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П978А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 78 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
8 580.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П795А1 Транзистор 2П795А1 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9С. Масса транзистора не более 22,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF450. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П795А1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 95 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
4 092.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9116Б Транзистор 2П9116Б кремниевый полевой n-канальный балансный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 110 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1090 МГц. Предназначен для применения в наземной и бортовой радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзистор 2П9116Б применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-57А-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.652ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П9116Б: (условия измерения: f1=1030 МГц, f2=1090 МГц, UСИ=50 В, τИ=320 мкс, Q=50) ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 110 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9116Б: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 450 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 9,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,33 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П9116Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 116 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
9 108.00 руб.
-
+
|