Транзисторы полевые - страница 20
Цена с НДС КП819А Транзистор КП819А кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 300 Вт в диапазоне частот от 1 до 230 МГц. Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В. Транзистор КП819А изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего и специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-82. Категория качества: «ОТК». - приёмка «1» - АДБК.432140.356ТУ. Функциональный зарубежный аналог: BLF248, BLF368 (Philips), MRF141G (M/A-COM), D1029UK (Semelab), VRF141G (APT). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП819А: (условия измерения: РВХ ≤ 30 Вт, UСИ = 28 В, f = 230 МГц, IС ≤ 500 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 300 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП819А: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 350 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 35,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 12,0 г. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП819А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 19 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
19 272.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П103Б1/ДА Транзисторы 2П103Б1/ДА кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-7. Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.215ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.215ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П103Б1/ДА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров; ДА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
414.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П768К92 Транзистор 2П768К92 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 125 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип корпуса: КТ-94 (SMD-1). Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П768К92 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 92 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
4 884.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П918А Транзисторы 2П918А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 1 ГГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 8,0 г. Тип корпуса: КТ-55. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Зарубежный аналог: F2013, VN0204N5, RFP4N05, RFP4N05L, F2013H. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П918А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 18 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
2 112.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9103А Транзистор КП9103А кремниевый полевой линейный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 10 Вт в диапазоне частот до 1600 МГц. Предназначен для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания. Выполнен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD) и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзистор КП9103А применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-55С-1. Категория качества: «ОТК». - приемка «1» - АДКБ.432150.522ТУ. Функциональный зарубежный аналог: BLF1043 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора КП9103А: (режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤ 0,25 Вт, tk ≤40 °С, класс AB) ● Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО - 10 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный); ● Коэффициент интермодуляционных искажений 3-го порядка М3 - минус 25 дБ (макс). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9103А: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 32,5 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 1,1 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 4,7 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 5,0 г. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП9103А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 103 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
4 092.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П986Г Транзистор 2П986Г кремниевый полевой n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии. Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц. Имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТ-57А-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.487ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Функциональный аналог: D2201UK, D2219UK, D2229UK (Semelab); F2246 (Polyfet); D2202UK, D2220UK, D2225UK (Semelab); F2247 (Polyfet); D2207UK, D2211UK, D2254UK (Semelab); F2212 (Polyfet); D2204UK, D2213UK, D2256UK (Semelab); F2213 (Polyfet); MRF1535NT1 (Freescale); D2208UK, D2217UK (Semelab); LK822, LK722, LX521. Основные RF характеристики: (режим измерения: f = 1000 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 0,5 Вт, tk ≤ 40 °С) - Выходная мощность РВЫХ – 20 Вт (CW); - Коэффициент усиления по мощности КУР – 10 дБ (мин); - КПД стока ηС – 50 % (мин). Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П986Г 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 86 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
8 316.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП821А Транзистор КП821А кремниевый полевой генераторный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 5 Вт в диапазоне частот до 230 МГц. Предназначен для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В. Транзистор КП821А изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-83. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДКБ.432140.388ТУ. Функциональный зарубежный аналог: BLF242 фирмы Philips, MRF134, DU2805S фирмы M/A-COM. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП821А: (условия измерения: РВХ ≤ 63 мВт, UСИ = 28 В, f = 175 МГц, IС ≤ 50 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 5 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 19 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП821А: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 20 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 1,5 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 4,0 г. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП821А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 21 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
8 580.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П790А Транзистор 2П790А полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43В (TO-247). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRFP150. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П790А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 90 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 584.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П303Е Транзисторы 2П303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - Ц23.365.003ТУ. Зарубежный аналог: MFE3006, MPF107. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ. Наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П303Е: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 5...20 мА; • S - Крутизна характеристики: не менее 4 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П303Е 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП901А Транзисторы КП901А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.166ТУ. Импортный аналог: VMP1, BFL522. Основные технические характеристики транзистора КП901А: • Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 20 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 85 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 4 А; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 200 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 50 мА; • S - Крутизна характеристики: 50... 160 мА/В (20В; 0,5А); • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 10 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7 дБ на частоте 100 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП901А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
504.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П302А Транзисторы 2П302А кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах и других схемах аппаратуры специального назначения. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-2-14. Масса транзистора не более 1,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ЖК3.365.204ТУ. Зарубежный аналог: UC714, 2N3791, SMP6451, TMPF6451, TP6451. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П302А: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 5 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 24 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 3...24 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА; • S - Крутизна характеристики: 5... 12 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц; • tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс; • tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П302А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
264.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П303К/ЭА Транзисторы 2П303К/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052. Надежность: Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П303К/ЭА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
426.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9110Д Транзистор КП9110Д кремниевый полевой импульсный n-канальный СВЧ-транзистор с изолированным затвором выходной мощностью 200 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц. Предназначен для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлен по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзистор КП9110Д используется в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-57А-1. Категория качества: «ОТК». - приемка «1» - АДКБ.432150.521ТУ. Функциональный зарубежный аналог: BLA1011-200R фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора КП9110Д: (режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 200 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ; ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9110Д: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 397 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 15,1 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,39 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП9110Д К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 110 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
12 540.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П829В9 Транзисторы 2П829В9 кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные. Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения. Тип корпуса: КТ-106-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П829В9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
12 012.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П602А-2 Транзисторы 3П602А-2 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом п-типа сверхвысокочастотные генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях частоты на частотах 3...12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Транзисторы 3П602А-2, 3П602Б-2, 3П602В-2, 3П602Г-2, 3П602Д-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. Транзисторы 3П602Б-5, 3П602Д-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для применения в гибридных интегральных микросхемах. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристалла не более 0,0006 г. Тип корпуса: КТ-52. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.227ТУ. Зарубежный аналог: MGF1802, FSX52WF, FSX52X, DXL-3501, DXL3501A-P70, HMF-0620, HMF-0621, HMF-0301, HMF-0302. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П602А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
1 044.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П303И/ЭА Транзисторы 2П303И/ЭА кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.203ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.203ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N3822, 2N5668. Надежность: Изготовитель гарантирует соответствие качества транзисторов требованиям АЕЯР.432140.203ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведённых в ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П303И/ЭА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; ЭА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
384.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П829Ж9 Транзисторы 2П829Ж9 кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные. Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения. Тип корпуса: КТ-95-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П829Ж9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
7 788.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П829А9 Транзисторы 2П829А9 кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные. Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения. Тип корпуса: КТ-106-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П829А9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
10 428.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П986Б Транзистор 2П986Б кремниевый полевой n-канальный транзистор с изолированным затвором, выполненный по LDMOS технологии. Предназначен для использования в усилителях мощности на частотах до 1000 МГц в электронной аппаратуре специального назначения. Имеет высокое усиление и КПД, встроенную защиту от статического электричества (ESD). Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-55С-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.487ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Функциональный аналог: D2201UK, D2219UK, D2229UK (Semelab); F2246 (Polyfet); D2202UK, D2220UK, D2225UK (Semelab); F2247 (Polyfet); D2207UK, D2211UK, D2254UK (Semelab); F2212 (Polyfet); D2204UK, D2213UK, D2256UK (Semelab); F2213 (Polyfet); MRF1535NT1 (Freescale); D2208UK, D2217UK (Semelab); LK822, LK722, LX521. Основные RF характеристики: (режим измерения: f = 1000 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 0,5 Вт, tk ≤ 40 °С) - Выходная мощность РВЫХ – 5 Вт (CW); - Коэффициент усиления по мощности КУР – 10 дБ (мин); - КПД стока ηС – 50 % (мин). Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П986Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 86 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
7 788.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П782Ж92 Транзистор 2П782Ж92 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлокерамическом корпусе. Тип корпуса: КТ-94 (SMD-1). Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П782Ж92 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 82 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 92 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
5 412.00 руб.
-
+
|