Транзисторные сборки - страница 5

2П981ВС
Транзисторная сборка 2П981ВС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 20 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 12,5 В.
Транзисторная сборка 2П981ВС изготовлена по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-81.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.317ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: D1207UK, D1202UK (Semelab), LQ821, F1222, F1207 (Polyfet).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П981ВС:
(условия измерения: РВХ ≤ 2 Вт, UСИ = 12,5 В, f = 500 МГц, IС ≤ 50 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 20 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Напряжение питания UСИ - 12,5 В;
  ● Рабочая частота f - 500 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П981ВС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 40 В;
  ● Максимально допустимое напряжение питания, UП МАКС ........ 15,8 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 60 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П981ВС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КПС104Д
Транзисторная сборка КПС104Д состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.038ТУ.
Зарубежный аналог: 2N2844.

Основные технические характеристики транзистора КПС104Д:
• Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 3 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 0,1 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КПС104Д
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Д - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2Т9161АС
Транзисторная сборка 2Т9161АС состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных импульсных усилителях мощности и генераторах в схеме с общей базой в диапазоне частот 200...500 МГц при напряжении питания 45 В.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.093ТУ.
Зарубежный аналог: AMD405-400, SD1565, UDR450.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т9161АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 700 Вт;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 280 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ на частоте 0,5 ГГц;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 0,5 ГГц.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9161АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
161 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т9128АС
Транзисторные сборки 2Т9128АС состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в двухтактных усилителях мощности в диапазоне частот 100...200 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки.
Тип корпуса: КТ-45.
Масса сборки не более 10,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.711ТУ.
Зарубежный аналог: BLW96, NEMO214068-28, BALO102-150.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики 2Т9128АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 180 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  18 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 100 мА (50В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 430 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5,5 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 200 Вт на частоте 175 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 30 пс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9128АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
128 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КП9120ВС
Транзисторная сборка КП9120ВС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 1200 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначена для применения в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средствах радиосвязи при напряжении питания 50 В.
Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD).
Транзисторная сборка КП9120ВС используется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-2.
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: BLF578 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9120ВС:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 1200 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС – 45 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9120ВС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1937 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 41 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,08 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КП9120ВС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2П9115АС
Транзисторная сборка 2П9115АС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 500 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1090 МГц.
Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В.
Изготовлена по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзисторная сборка 2П9115АС применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-2.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.651ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: ILD1011M400 фирмы Integra technologies.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П9115АС:
(режим измерения: f = 1090 МГц, UСИ = 50 В, tИ = 13 мс, Q = 3, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 500 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 13 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС – 40 % (минимальный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9115АС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 775 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 2,2 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,2 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П9115АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
115 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т9155В
Транзисторная сборка 2Т9155В из двух  кремниевых n-p-n СВЧ генераторных транзисторов с балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 150-860 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки.
Тип корпуса: КТ-82.
Масса сборки не более 20,0 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.051ТУ.
Функциональный аналог: TPV8100 (Motorola), TVU100 (ASI), UTV8100 (Microsemi), MS1576 (APT).

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9155В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
155 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П9103ГС
Транзисторная сборка 2П9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых линейных n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц.
Предназначена для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания.
Выполнена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD) и низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзисторная сборка 2П9103ГС применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.585ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: BLF861 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики транзистора 2П9103ГС:
(режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤ 3,75 Вт, tk ≤ 40 °С, класс AB)
  ● Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО - 150 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный);
  ● Коэффициент интермодуляционных искажений 3-го порядка М3 - минус 25 дБ (макс).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9103ГС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 193,5 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 11 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,8 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П9103ГС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т9155А
Транзисторная сборка 2Т9155А из двух  кремниевых n-p-n СВЧ генераторных транзисторов с балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 150-860 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432150.051ТУ.
Функциональный аналог: 2SC3217 (NEC), TVU014 (ASI).

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9155А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
155 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП9111БС
Транзисторная сборка КП9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначена для использования в усилителях мощности, для построения мощных радиопередатчиков в бортовой и наземной аппаратуре связи при напряжении питания 28 В.
Изготовлена по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзисторная сборка КП9111БС применяется для работы в непрерывном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДКБ.432150.529ТУ.
Функциональный зарубежный аналог: BLF647 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики транзистора КП9111БС:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 3,8 Вт, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт (CW);
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС – 65 % (минимальный), 69 % (типичный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9111БС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В;
  ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 220 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 14,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, t ОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,7 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КП9111БС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
111 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т9156АС
Транзисторная сборка 2Т9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.052ТУ.
Функциональный аналог: MRA0510-14 (Motorola), BLV98 (PHILIPS), MS1451 (APT).

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9156АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
156 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т9155Б
Транзисторная сборка 2Т9155Б из двух  кремниевых n-p-n СВЧ генераторных транзисторов с балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 150-860 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - АЕЯР.432150.051ТУ.
Функциональный аналог: TPV5051 (Motorola), TVU025 (ASI).

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9155Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
155 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П9111БС
Транзисторная сборка 2П9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначена для использования в усилителях мощности, для построения мощных радиопередатчиков в бортовой и наземной аппаратуре связи при напряжении питания 28 В.
Изготовлена по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений.
Транзисторная сборка 2П9111БС применяется для работы в непрерывном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.626ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: BLF647 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики транзистора 2П9111БС:
(режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 3,8 Вт, tk ≤ 40 °С)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт (CW);
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС – 65 % (минимальный), 69 % (типичный).

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9111БС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В;
  ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 220 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 14,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, t ОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,7 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П9111БС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
111 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т9136АС
Транзисторная сборка 2Т9136АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначена для применения в импульсных генераторах, усилителях мощности в диапазоне частот 200...500 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 45 В.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.804ТУ.
Зарубежный аналог: UDR500, TDR450, SD1564, SD1565, AM0405-100.

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т9136АС:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 250 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 140 мА (60В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 260 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 500 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9136АС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
136 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КП9133ДС
Транзисторная сборка КП9133ДС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 500 Вт в диапазоне частот от 1200 до 1440 МГц.
Предназначена для работы в составе аппаратуры радиолокационных станций (РЛС) и других систем радиосвязи, навигации и радиолокации.
Транзисторная сборка КП9133ДС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего и специального назначения.
Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-103А-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Функциональный зарубежный аналог: BLL6H1214-500 фирмы NXP Semiconductors.

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9133ДС:
(условия измерения: f1 = 1200 МГц, f2 = 1400 МГц, UСИ = 50 В)
  ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 500 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный);
  ● КПД стока ηС - 43 % (минимальный);
  ● Длительность импульса τИ = 1 мс;
  ● Скважность Q = 10.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9133ДС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В;
  ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1290 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 20,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C;
  ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,12 °C/Вт;
  ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КП9133ДС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
133 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Д - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2П7235АС9
Транзисторная сборка 2П7235АС9 состоящая из пары полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 10 Вт и максимальной рабочей частотой не более 3 МГц.
Предназначена для применения в качестве полупроводниковых ключей постоянного и переменного тока в преобразовательных устройствах специального назначения.
Выпускается в 8-выводном керамическом корпусе для поверхностного монтажа на печатную плату.
Тип корпуса: 4117.8-2.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
2П7235АС9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
235 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КПС104Б
Транзисторная сборка КПС104Б состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов.
Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - аА0.336.038ТУ.
Зарубежный аналог: 2N2844.

Основные технические характеристики транзистора КПС104Б:
• Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,2... 1 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,8 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 0,35 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КПС104Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П981БС
Транзисторная сборка 2П981БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 10 Вт в диапазоне частот до 500 МГц.
Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 12,5 В.
Транзисторная сборка 2П981БС изготовлена по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-81.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.317ТУ.
Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки.
Функциональный зарубежный аналог: D1201UK, D1211UK (Semelab), MRF653 (M/A Com), LP821, F1214, F1221 (Polyfet).

Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П981БС:
(условия измерения: РВХ ≤ 1 Вт, UСИ = 12,5 В, f = 500 МГц, IС ≤ 50 мА)
  ● Выходная мощность РВЫХ - 10 Вт;
  ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный);
  ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный);
  ● Напряжение питания UСИ - 12,5 В;
  ● Рабочая частота f - 500 МГц.

Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П981БС:
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В;
  ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 40 В;
  ● Максимально допустимое напряжение питания, UП МАКС ........ 15,8 В;
  ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 50 Вт;
  ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А;
  ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C;
  ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C;
  ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2П981БС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

2Т9156БС
Транзисторная сборка 2Т9156БС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов.
Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432150.052ТУ.
Функциональный аналог: MRA0510-50H (Motorola), 0510-50 (Microsemi).

Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения:
2Т9156БС
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
156 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.

КТ9195БС
Транзисторная сборка КТ9195БС из двух кремниевых  n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу.
Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Масса сборки не более 10,0 г.
Тип корпуса: КТ-44.
Категория качества: «ОТК».
Функциональный аналог: SD1542 (STM), DME500 (Microsemi), MRF10502 (M/A Com).

Основные характеристики:
- Выходная мощность РВЫХ, И = 500 Вт;
- Напряжение питания UП = 50 В;
- Рабочая частота f = 1090 МГц;
- Коэффициент усиления по мощности КУР≥5;
- КПД коллектора ηК≥30%;
- Скважность импульса Q = 100;
- Длительность импульса τИ = 10 мкс.

Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки:
КТ9195БС
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
195 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки;
Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме.