Транзисторные сборки - страница 5
Цена с НДС 2П9103ГС Транзисторная сборка 2П9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых линейных n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц. Предназначена для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания. Выполнена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD) и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзисторная сборка 2П9103ГС применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.585ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: BLF861 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора 2П9103ГС: (режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤ 3,75 Вт, tk ≤ 40 °С, класс AB) ● Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО - 150 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный); ● Коэффициент интермодуляционных искажений 3-го порядка М3 - минус 25 дБ (макс). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9103ГС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 193,5 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 11 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,8 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П9103ГС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
10 164.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9111БС Транзисторная сборка 2П9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для использования в усилителях мощности, для построения мощных радиопередатчиков в бортовой и наземной аппаратуре связи при напряжении питания 28 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзисторная сборка 2П9111БС применяется для работы в непрерывном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.626ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: BLF647 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора 2П9111БС: (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 3,8 Вт, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт (CW); ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС – 65 % (минимальный), 69 % (типичный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9111БС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 220 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 14,0 А; ● Диапазон рабочих температур, t ОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,7 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П9111БС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 111 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
14 388.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9155В Транзисторная сборка 2Т9155В из двух кремниевых n-p-n СВЧ генераторных транзисторов с балластными резисторами в цепи эмиттера. Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 150-860 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки. Тип корпуса: КТ-82. Масса сборки не более 20,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.051ТУ. Функциональный аналог: TPV8100 (Motorola), TVU100 (ASI), UTV8100 (Microsemi), MS1576 (APT). Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9155В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 155 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
20 328.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9156АС Транзисторная сборка 2Т9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов. Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.052ТУ. Функциональный аналог: MRA0510-14 (Motorola), BLV98 (PHILIPS), MS1451 (APT). Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9156АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 156 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
10 428.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9153АС Транзисторная сборка 2Т9153АС из двух кремниевых n-p-n генераторных СВЧ широкополосных транзисторов с общим эмиттером и балластными резисторами в цепи эмиттера. Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц в схеме с общим эмиттером. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432149.024ТУ. Зарубежный аналог: MRF892, MRA0510-50H. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9153АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 153 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
9 900.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9133ДС Транзисторная сборка КП9133ДС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 500 Вт в диапазоне частот от 1200 до 1440 МГц. Предназначена для работы в составе аппаратуры радиолокационных станций (РЛС) и других систем радиосвязи, навигации и радиолокации. Транзисторная сборка КП9133ДС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего и специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Функциональный зарубежный аналог: BLL6H1214-500 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9133ДС: (условия измерения: f1 = 1200 МГц, f2 = 1400 МГц, UСИ = 50 В) ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 500 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС - 43 % (минимальный); ● Длительность импульса τИ = 1 мс; ● Скважность Q = 10. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9133ДС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1290 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 20,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,12 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9133ДС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 133 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Д - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
22 176.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9155А Транзисторная сборка 2Т9155А из двух кремниевых n-p-n СВЧ генераторных транзисторов с балластными резисторами в цепи эмиттера. Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 150-860 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ. Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - АЕЯР.432150.051ТУ. Функциональный аналог: 2SC3217 (NEC), TVU014 (ASI). Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9155А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 155 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
10 164.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9111БС Транзисторная сборка КП9111БС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для использования в усилителях мощности, для построения мощных радиопередатчиков в бортовой и наземной аппаратуре связи при напряжении питания 28 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзисторная сборка КП9111БС применяется для работы в непрерывном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДКБ.432150.529ТУ. Функциональный зарубежный аналог: BLF647 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора КП9111БС: (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 3,8 Вт, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт (CW); ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС – 65 % (минимальный), 69 % (типичный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9111БС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 220 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 14,0 А; ● Диапазон рабочих температур, t ОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,7 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9111БС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 111 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
12 144.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9155Б Транзисторная сборка 2Т9155Б из двух кремниевых n-p-n СВЧ генераторных транзисторов с балластными резисторами в цепи эмиттера. Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 150-860 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ. Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - АЕЯР.432150.051ТУ. Функциональный аналог: TPV5051 (Motorola), TVU025 (ASI). Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9155Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 155 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
12 144.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9153БС Транзисторная сборка 2Т9153БС из двух кремниевых n-p-n генераторных СВЧ широкополосных транзисторов с общим эмиттером и балластными резисторами в цепи эмиттера. Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 390-840 МГц в схеме с общим эмиттером. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432149.024ТУ. Зарубежный аналог: FJ0850-28, DBL45-12, MRA0510-50H. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9153БС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 153 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
12 144.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9110ЕС Транзисторная сборка 2П9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых импульсных n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 370 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц. Предназначена для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзисторная сборка 2П9110ЕС используется в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.585ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: MRF6V14300H фирмы Freescale Semiconductor, Inc. Основные RF характеристики транзистора 2П9110ЕС: (режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 370 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ; ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9110ЕС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 738 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 17,6 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,21 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П9110ЕС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 110 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Е - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
22 704.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9195БС Транзисторная сборка КТ9195БС из двух кремниевых n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу. Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 10,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ОТК». Функциональный аналог: SD1542 (STM), DME500 (Microsemi), MRF10502 (M/A Com). Основные характеристики: - Выходная мощность РВЫХ, И = 500 Вт; - Напряжение питания UП = 50 В; - Рабочая частота f = 1090 МГц; - Коэффициент усиления по мощности КУР≥5; - КПД коллектора ηК≥30%; - Скважность импульса Q = 100; - Длительность импульса τИ = 10 мкс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТ9195БС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 195 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
4 620.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П981БС Транзисторная сборка 2П981БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 10 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 12,5 В. Транзисторная сборка 2П981БС изготовлена по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-81. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.317ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: D1201UK, D1211UK (Semelab), MRF653 (M/A Com), LP821, F1214, F1221 (Polyfet). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П981БС: (условия измерения: РВХ ≤ 1 Вт, UСИ = 12,5 В, f = 500 МГц, IС ≤ 50 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 10 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный); ● Напряжение питания UСИ - 12,5 В; ● Рабочая частота f - 500 МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П981БС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 40 В; ● Максимально допустимое напряжение питания, UП МАКС ........ 15,8 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 50 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П981БС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
10 032.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9156БС Транзисторная сборка 2Т9156БС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов. Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.052ТУ. Функциональный аналог: MRA0510-50H (Motorola), 0510-50 (Microsemi). Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9156БС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 156 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
12 144.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П986ЕС Транзисторная сборка 2П986ЕС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии. Предназначена для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.487ТУ. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Функциональный аналог: MRF1570NT1 (Freescale). Основные RF характеристики: (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 12,5 В, PВХ ≤ 16 Вт, tk ≤40 °С ) - Выходная мощность РВЫХ – 80 Вт (CW); - Коэффициент усиления по мощности КУР – 7 дБ; - КПД стока ηС≥50 % (мин). Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П986ЕС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 86 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Е - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
11 484.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9120БС Транзисторная сборка КП9120БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 1000 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для применения в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средствах радиосвязи при напряжении питания 50 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзисторная сборка КП9120БС используется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Функциональный зарубежный аналог: MRF6VP41XHR6 фирмы Freescale Semiconductor. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9120БС: (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С) ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 1000 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 18 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС – 45 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9120БС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1550 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 38 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,1 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9120БС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
25 212.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9110ЖС Транзисторная сборка КП9110ЖС состоящая из двух кремниевых полевых импульсных n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 450 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц. Предназначена для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзисторная сборка КП9110ЖС используется в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДКБ.432150.521ТУ. Функциональный зарубежный аналог:BLA6H0912-500 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора КП9110ЖС: (режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 450 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ; ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9110ЖС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 815 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 30 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,19 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 17,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9110ЖС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 110 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Ж- буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
18 744.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т690АС Транзисторная матрица 2Т690АС состоящая из n-p-n биполярных переключательных импульсных транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц. Предназначена для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» аА0.339.759ТУ; - приёмка «ОСМ» аА0.339.759ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N4123. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 120000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т690АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 90 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
1 452.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ТС613Б Транзисторные матрицы 2ТС613Б состоят из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n переключающих высокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах, различных каскадах вычислительных машин и другой радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указан на корпусе. Масса матрицы не более 4 г. Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «5» Я53.456.000ТУ; - приемка «9» Я53.456.000ТУ, аА0.339.190ТУ. Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Основные технические характеристики транзисторной сборки 2ТС613Б: • Структура транзисторной сборки: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 800 мВт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 800 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 100 нс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2ТС613Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
108.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП826АС Транзисторная сборка КП826АС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 600 Вт в диапазоне частот до 30 МГц. Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В. Транзистор КП826АС изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-102-1. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДКБ.432150.394ТУ. Функциональный зарубежный аналог: MRF154, MRF157 фирмы M/A-СОМ, VRF157 фирмы Microsemi. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП826АС: (условия измерения: РВХ ≤ 24 Вт, UСИ = 50 В, f = 30 МГц, IС ≤ 800 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 600 Вт; ● Напряжение питания UСИ - 50 В; ● Рабочая частота f - 30 МГц; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 14 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП826АС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±40 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 125 В; ●Максимально допустимое напряжение питания стока ........ 50 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 735 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 60,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 75,0 г. |
26 796.00 руб.
-
+
|