Транзисторные сборки - страница 6
Цена с НДС 2Т9128АС Транзисторные сборки 2Т9128АС состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в двухтактных усилителях мощности в диапазоне частот 100...200 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки. Тип корпуса: КТ-45. Масса сборки не более 10,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.711ТУ. Зарубежный аналог: BLW96, NEMO214068-28, BALO102-150. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики 2Т9128АС: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 180 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 18 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 100 мА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 430 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5,5 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 200 Вт на частоте 175 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 30 пс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9128АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 128 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
12 672.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9103ДС Транзисторная сборка 2П9103ДС состоящая из двух кремниевых полевых линейных n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 300 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц. Предназначена для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания. Выполнена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD) и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзисторная сборка 2П9103ДС применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.585ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: BLF872 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора 2П9103ДС: (режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤ 7,5 Вт, tk ≤ 40 °С, класс AB) ● Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО - 300 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный); ● Коэффициент интермодуляционных искажений 3-го порядка М3 - минус 25 дБ (макс) Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9103ДС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 387,5 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 22 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,4 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П9103ДС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Д - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
15 972.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9120ВС Транзисторная сборка КП9120ВС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 1200 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для применения в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средствах радиосвязи при напряжении питания 50 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзисторная сборка КП9120ВС используется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Категория качества: «ОТК». Функциональный зарубежный аналог: BLF578 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9120ВС: (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С) ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 1200 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС – 45 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9120ВС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 1937 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 41 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,08 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9120ВС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
22 968.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9195БС Транзисторная сборка 2Т9195БС из двух кремниевых n-p-n мощных импульсных СВЧ транзисторов с внутренними согласующимися цепями по входу. Предназначена для работы для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 720-1150 МГц в схеме с общей базой в режиме класса С. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 10,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.052ТУ. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Функциональный аналог: SD1542 (STM), DME500 (Microsemi), MRF10502 (M/A Com). Основные характеристики: - Выходная мощность РВЫХ, И = 500 Вт; - Напряжение питания UП = 50 В; - Рабочая частота f = 1090 МГц; - Коэффициент усиления по мощности КУР≥5; - КПД коллектора ηК≥30%; - Скважность импульса Q = 100; - Длительность импульса τИ = 10 мкс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9195БС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 195 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
4 752.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9164АС Транзисторная сборка КТ9164АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных n-p-n мощных СВЧ импульсных генераторных транзисторов с общей базой. Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 1030-1090 МГц аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ОТК». Функциональный аналог: SD1552 (STM), PH1090-350L (M/A Com), MSC1350M (Microsemi). Основные характеристики: - Выходная мощность РВЫХ, И = 300 Вт; - Напряжение питания UП = 50 В; - Рабочая частота f = 1030, 1090 МГц; - Коэффициент усиления по мощности КУР≥4; - КПД коллектора ηК≥35%; - Скважность импульса Q = 10; - Длительность импульса τИ = 32 мкс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТ9164АС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 164 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
5 676.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП981ВС Транзисторная сборка КП981ВС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 20 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 12,5 В. Транзисторная сборка КП981ВС изготовлена по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре общего назначения. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-81. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДКБ.432140.370ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: D1207UK, D1202UK (Semelab), LQ821, F1222, F1207 (Polyfet). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП981ВС: (условия измерения: РВХ ≤ 2 Вт, UСИ = 12,5 В, f = 500 МГц, IС ≤ 50 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 20 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный); ● Напряжение питания UСИ - 12,5 В; ● Рабочая частота f - 500 МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП981ВС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 40 В; ● Максимально допустимое напряжение питания, UП МАКС ........ 15,8 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 60 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП981ВС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
8 448.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9120АС Транзисторная сборка КП9120АС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 500 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для применения в радиопередающей аппаратуре РЛС и других средствах радиосвязи при напряжении питания 50 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзисторная сборка КП9120АС используется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Функциональный зарубежный аналог: BLF574XP фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9120АС: (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С) ● Выходная импульсная мощность РВЫХ И - 500 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 21 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС - 45 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9120АС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 775 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IСИ МАКС ........ 19 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,2 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9120АС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 120 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
18 744.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т991АС Сборки 2Т991АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 350...700 МГц при напряжении питания 28 В. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 10,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.437ТУ. Зарубежный аналог: NEM085081B-12. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т991АС: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 67.5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 540 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3,75 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мА (50В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 75 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 55 Вт на частоте 0,7 ГГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 6,8 пс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т991АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 91 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
1 320.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9132АС Транзисторная сборка 2Т9132АС состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях и генераторах в полосе частот 350...700 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 31 В. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.722ТУ. Зарубежный аналог: NEM060C69-28, FJ0880-28, MRF309, MRF646, CM60-12A, CM45-12A. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9132АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 132 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
14 388.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП998БС Транзисторная сборка КП998БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры с напряжением питания 28 В. Транзисторная сборка КП998БС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДКБ.432150.486ТУ. Функциональный зарубежный аналог: LB401 фирмы Polyfet. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП998БС: (условия измерения: РВХ ≤ 4,7 Вт, UСИ = 28 В, f = 500 МГц, IС ≤ 1,3 А) ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 15 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 60 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП998БС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 200 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 18 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 9,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП998БС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 98 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
11 220.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9103ГС Транзисторная сборка КП9103ГС состоящая из двух кремниевых полевых линейных n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц. Предназначена для работы в аппаратуре радиосвязи с высокими требованиями по линейности и передающих станциях эфирного телевещания. Выполнена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD) и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзисторная сборка КП9103ГС применяется для работы в линейном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ОТК». - приемка «1» - АДКБ.432150.522ТУ. Функциональный зарубежный аналог: BLF861 фирмы NXP Semiconductors. Основные RF характеристики транзистора КП9103ГС: (режим измерения: f1= 860 МГц, f2 = 860,1 МГц, UСИ = 32 В, PВХ ≤ 3,75 Вт, tk ≤ 40 °С, класс AB) ● Выходная мощность в пике огибающей РВЫХ ПО - 150 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 16 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный); ● Коэффициент интермодуляционных искажений 3-го порядка М3 - минус 25 дБ (макс). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9103ГС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 193,5 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 11 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,8 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9103ГС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
8 580.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9156АС Транзисторная сборка КТ9156АС из двух кремниевых n-p-n генераторных широкополосных транзисторов. Предназначена для работы в двухтактных усилителях мощности в полосе частот 650-1000 МГц в схеме с общим эмиттером. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 10,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ОТК». Функциональный аналог: MRA0510-14 (Motorola), BLV98 (PHILIPS), MS1451 (APT). Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТ9156АС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 156 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
8 976.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9121АС Транзисторная сборка КП9121АС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных транзисторов с изолированным затвором, выполненных по LDMOS технологии. Предназначена для использования в усилителях мощности на частотах до 500 МГц. Имеет высокое усиление и КПД, встроенную защиту от статэлектричества (ESD). Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки. Тип корпуса: КТ-103А-2. Категория качества: «ОТК». Основные RF характеристики: (режим измерения: f = 450 МГц, UСИ = 36 В, PВХ ≤ 3,75 Вт, tk ≤ 40 °С) - Выходная мощность РВЫХ – 300 Вт (CW); - Коэффициент усиления по мощности КУР – 80 раз; - КПД стока ηС – 50 % (мин). Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9121АС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 121 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
19 800.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП981БС Транзисторная сборка КП981БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 10 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 12,5 В. Транзисторная сборка КП981БС изготовлена по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре общего назначения. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-81. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДКБ.432140.370ТУ. Функциональный зарубежный аналог: D1201UK, D1211UK (Semelab), MRF653 (M/A Com), LP821, F1214, F1221 (Polyfet). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП981БС: (условия измерения: РВХ ≤ 1 Вт, UСИ = 12,5 В, f = 500 МГц, IС ≤ 50 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 10 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный); ● Напряжение питания UСИ - 12,5 В; ● Рабочая частота f - 500 МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП981БС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 40 В; ● Максимально допустимое напряжение питания, UП МАКС ........ 15,8 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 50 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП981БС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
8 448.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9110ЕС Транзисторная сборкаКП9110ЕС состоящая из двух кремниевых полевых импульсных n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 370 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1550 МГц.. Предназначена для работы в импульсном режиме в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет встроенную защиту от статического электричества (ESD). Транзисторная сборка КП9110ЕС используется в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДКБ.432150.521ТУ. Функциональный зарубежный аналог: MRF6V14300H фирмы Freescale Semiconductor, Inc. Основные RF характеристики транзистора КП9110ЕС: (режим измерения: f = 1550 МГц, UСИ = 50 В, τИ = 3,5 мс, Q = 10, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 370 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 12 дБ; ● КПД стока ηС - 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9110ЕС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 738 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 17,6 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,21 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 14,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9110ЕС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 110 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Е - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
18 084.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КПС104Г Транзисторная сборка КПС104Г состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов. Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2 г. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.038ТУ. Зарубежный аналог: UC2147, BFS21. Основные технические характеристики транзистора КПС104Г: • Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 3 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 3 мА; • S - Крутизна характеристики: не менее 1 мА/В (10В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КПС104Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
492.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9115АС Транзисторная сборка КП9115АС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 500 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1090 МГц. Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзисторная сборка КП9115АС применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Категория качества: «ОТК». Функциональный зарубежный аналог: ILD1011M400 фирмы Integra technologies. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП9115АС: (режим измерения: f = 1090 МГц, UСИ = 50 В, tИ = 13 мс, Q = 3, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 500 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 13 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС – 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9115АС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 775 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 2,2 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,2 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9115АС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 115 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
17 160.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП980БС Транзисторная сборка КП980БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц. Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 32 В. Транзисторная сборка КП980БС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре общего назначения. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДКБ.432140.395 ТУ. Функциональный зарубежный аналог: BLF861A (Philips), MRF374A (Freescale). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора КП980БС: (условия измерения: РВХ ≤ 15 Вт, UСИ = 32 В, f = 860 МГц, IС ≤ 1,3 А) ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 45 % (минимальный); ● Напряжение питания UСИ - 36 В; ● Рабочая частота f - 1 ГГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП980БС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 200 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 18 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП980БС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 80 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
11 748.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9111ВС Транзисторная сборка 2П9111ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 250 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для использования в усилителях мощности, для построения мощных радиопередатчиков в бортовой и наземной аппаратуре связи при напряжении питания 28 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзисторная сборка 2П9111ВС применяется для работы в непрерывном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.626ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: LR301 фирмы Polyfet RF. Основные RF характеристики транзистора 2П9111ВС: (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 6,3 Вт, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 250 Вт (CW); ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 15 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС – 65 % (минимальный), 68 % (типичный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9111ВС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 340 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 28,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,45 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П9111ВС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 111 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
19 668.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП9111ВС Транзисторная сборка КП9111ВС состоящая из двух кремниевых полевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 250 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для использования в усилителях мощности, для построения мощных радиопередатчиков в бортовой и наземной аппаратуре связи при напряжении питания 28 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзисторная сборка КП9111ВС применяется для работы в непрерывном режиме в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДКБ.432150.529ТУ. Функциональный зарубежный аналог: LR301 фирмы Polyfet RF. Основные RF характеристики транзистора КП9111ВС: (режим измерения: f = 500 МГц, UСИ = 28 В, PВХ ≤ 6,3 Вт, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 250 Вт (CW); ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 15 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС – 65 % (минимальный), 68 % (типичный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора КП9111ВС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 60 В; ● Максимально допустимая рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 340 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 28,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,45 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КП9111ВС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 111 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
16 104.00 руб.
-
+
|