Транзисторы биполярные - страница 65
Цена с НДС КТ972А Транзисторы КТ972А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.452ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 15 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BD263. Основные технические характеристики транзистора КТ972А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 200 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ972А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 72 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
66.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ972Б Транзисторы КТ972Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.452ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 15 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BD477, BD875, BD877, BDW53. Основные технические характеристики транзистора КТ972Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 200 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ972Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 72 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
60.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ972Г Транзисторы КТ972Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.452ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 15 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора КТ972Г: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 0,3 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750... 5000; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,9 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 200 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ972Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 72 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
48.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ973А Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1»аА0.336.453ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 15 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SB986U. Основные технические характеристики транзистора КТ973А: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 200 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ973А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 73 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
78.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ973Б Транзисторы КТ973Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1»аА0.336.453ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 15 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BD466, BD876. Основные технические характеристики транзистора КТ973Б: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом; • tрас - Время рассасывания: не более 200 нс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ973Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 73 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ980Б Транзисторы КТ980Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности: КТ980А в диапазоне частот 1,5...30 МГц, КТ980Б в диапазоне частот 30...80 МГц при напряжении питания 50 В. Используются для работы в составе аппаратуры средств радиосвязи общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 15,0 г. Тип корпуса: КТ-19-2. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3.1», «5.1». Категория качества: «ОТК». Импортный аналог: TH430. Основные технические характеристики транзистора КТ980Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 300 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мА (100В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 450 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 250 Вт на частоте 80 МГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ980Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 80 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
6 996.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ983А Транзисторы СВЧ КТ983А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, линейные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 40...860 МГц при напряжении питания 25 В. Используются для работы в электронной аппаратуре в УКВ ЧМ и телевизионного вещания. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.527ТУ. Импортный аналог: BLX-96, C1/2-12. Основные технические характеристики транзистора КТ983А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8,7 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1200 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 5 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,5 Вт на частоте 860 МГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ983А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 83 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
978.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ983Б Транзисторы СВЧ КТ983Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, линейные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 40...860 МГц при напряжении питания 25 В. Используются для работы в электронной аппаратуре в УКВ ЧМ и телевизионного вещания. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.527ТУ. Импортный аналог: PDE1001T, D1-28, D1-12E, D1-12B, D1-7E, BLX98. Основные технические характеристики транзистора КТ983Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 13 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 900 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 8 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,6 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1 Вт на частоте 860 МГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ983Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 83 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 452.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ983В Транзисторы СВЧ КТ983В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, линейные. Предназначены для применения в линейных усилителях мощности на частотах 40...860 МГц при напряжении питания 25 В. Используются для работы в электронной аппаратуре в УКВ ЧМ и телевизионного вещания. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 4,5 г. Тип корпуса: КТ-17. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.527ТУ. Импортный аналог: MRF890, TPV595A, UTV005, 2SC3103, 2SC3379, 2SC3006, SD2087. Основные технические характеристики транзистора КТ983В: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 22,5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 750 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 40 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 8 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 24 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,2 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 3,5 Вт на частоте 860 МГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ983В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 83 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
2 112.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ984А Транзисторы КТ984А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности класса С в схеме с общей базой в диапазоне частот 720...820 МГц при напряжении питания 50 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Транзисторы содержат внутренние согласующие LC-звенья. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-42. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.339.374ТУ. Импортный аналог: MSC1075M, BFX55, 2SC1604, SD1080-7, 2N834A. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ984А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 84 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
462.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ984Б Транзисторы КТ984Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности класса С в схеме с общей базой в диапазоне частот 720...820 МГц при напряжении питания 50 В. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Транзисторы содержат внутренние согласующие LC-звенья. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-42. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.339.374ТУ. Импортный аналог: MSC1250M, D1-7E, D1-12E, D1-12B, MRF5174. Основные технические характеристики транзистора КТ984Б: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4,7 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 720 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 16 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 80 мА (65В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 250 Вт на частоте 820 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ984Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 84 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
462.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП10 Транзисторы германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП10, МП10А, МП10Б, МП10Б, МП11, МП11А и нормированным МП9А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: ПЖ0.336.002ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП10: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 10...30; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП10 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 10 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
90.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП101 Транзисторы кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.009ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП101 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 101 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП101Б Транзисторы кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным МП101, МП101Б и нормированным МП101А коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.009ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП101Б М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 101 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП103 Транзисторы МП103 кремниевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.009ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП101 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 103 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
42.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП104 Транзисторы МП104 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.010ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП104 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 104 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
48.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП105 Транзисторы МП105 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.010ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП105 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 105 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП106 Транзисторы МП106 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах специального назначения. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - СБ0.336.010ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП106 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 106 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП10А Транзисторы МП10А германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: ПЖ0.336.002ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП10А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 15...30; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП10А М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 10 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП10Б Транзисторы МП10Б германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: ПЖ0.336.002ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП10Б: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...50; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 5000 пс; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП10Б М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 10 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|