Транзисторы биполярные - страница 66
Цена с НДС МП114 Транзисторы МП114 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для работы в импульсных схемах, стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и других радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: аА0.336.000ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП114 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 114 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
66.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП115 Транзисторы МП115 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для работы в импульсных схемах, стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и других радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: аА0.336.000ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП115 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 115 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
66.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП116 Транзисторы МП116 кремниевые сплавные p-n-p усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентом шума. Предназначены для работы в импульсных схемах, стабилизаторах напряжения, усилителях постоянного тока и других радиотехнических и электронных устройствах общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: аА0.336.000ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП116 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 116 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 101 до 199 - кремниевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП11А Транзисторы МП11А германиевые сплавные n-p-n усилительные низкочастотные с ненормированным коэффициентами шума на частоте 1 кГц. Предназначены для усиления сигналов низкой частоты в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: ПЖ0.336.002ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП11А: • Структура транзистора: n-p-n • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 45...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП11А М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 11 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
66.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП13 Транзисторы МП13 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.007ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП13: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 25...55; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП13 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 13 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
48.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП13Б Транзисторы МП13Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.007ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП13Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 45...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП13Б М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 13 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП14 Транзисторы МП14 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.007ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП14: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...40; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП14 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 14 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП14А Транзисторы МП14А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.007ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП14А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...40; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП14А М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 14 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП14Б Транзисторы МП14Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.007ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП14Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 30 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП14Б М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 14 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП15 Транзисторы МП15 германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.007ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП15: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...60; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП15 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 15 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП15А Транзисторы МП15А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные. Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.007ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП15А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...100; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП15А М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 15 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП16 Транзисторы МП16 германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные. Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.008ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП16: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 25 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...35; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 15 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2000 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП16 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 16 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП16А Транзисторы МП16А германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные. Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.008ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП16А: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 25 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...50; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 15 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП16А М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 16 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП16Б Транзисторы МП16Б германиевые низкочастотные маломощные сплавные p-n-p переключательные. Предназначены для применения в схема переключения и формирования импульсов. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: СБ0.336.008ТУ1. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП16Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 25 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 20...70; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 6,6 Ом; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1000 пс. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП16Б М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 16 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП20 Транзисторы МП20 германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения радиотехнических устройств общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.484ТУ; - приемка «5» ЩМ3.365.039 ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Основные технические характеристики транзистора МП20: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 2 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 50 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...150; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП20 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 20 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
42.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП20Б Транзисторы МП20Б германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения радиотехнических устройств общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.484ТУ; - приемка «5» ЩМ3.365.039 ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N1175, 2N60, 2N655, AC125, AC126, EFT313, EFT323, EFT333, SFT223, SFT322, AC132. Основные технические характеристики транзистора МП20Б: • Структура транзистора: p-n-p • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт; • fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1,5 МГц; • Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В; • Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 50 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 300 мА; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 50 мкА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 80...200; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП20Б М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 20 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП21 Транзисторы МП21 германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.336.484ТУ; - приемка «ПЗ» ЩМ3.365.039ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП21 М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 21 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП21А Транзисторы МП21А германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.336.484ТУ; - приемка «ПЗ» ЩМ3.365.039ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП21А М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 21 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
66.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП21Б Транзисторы МП21Б германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.336.484ТУ; - приемка «ПЗ» ЩМ3.365.039ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП21Б М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 21 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
60.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС МП21В Транзисторы МП21В германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в схемах переключения в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТЮ-3-6. Масса транзистора не более 2,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.336.484ТУ; - приемка «ПЗ» ЩМ3.365.039ТУ. Импортный аналог: 2N60A, T242. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: МП21В М - буква, обозначающая модификацию транзистора, приводящую к изменению его конструкции (холодносварной корпус); П - буква, определяющая тип полупроводникового прибора, где П - плоскостной транзистор; 21 - число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 1 до 99 - германиевые маломощные транзисторы низкой частоты; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
66.00 руб.
-
+
|