Транзисторы биполярные - страница 67
Цена с НДС КТ837Г Транзисторы КТ837Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ3» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.403ТУ/03. Срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BD225. Основные технические характеристики транзистора КТ837Г: • Структура транзистора: p-n-p; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 30 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 40; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ837Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 37 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т944А Транзистор 2Т944А кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n усилительный. Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 40,0 г. Тип корпуса: КТ-5 (TO-63). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.059ТУ. Зарубежный аналог: 2N6480. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т944А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 105 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12,5 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 80 мА (100В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 80; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 350 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 30 МГц. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т944А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 44 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
12 276.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т603В/ИУ Транзисторы 2Т603В/ИУ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные высокочастотные. Предназначены для работы в схемах автогенераторов, умножителей частоты, усилителей мощности и других схемах аппаратуры специального назначения. Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,75 г. Тип корпуса: КТ-2-7. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» АЕЯР.432140.400ТУ; - приемка «ОСМ» АЕЯР.432140.400ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: 2N919. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т603В/ИУ 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; ИУ - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
714.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т841В9 Транзисторы 2Т841В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения. Транзисторы выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа. Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТ-94-3. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - АЕЯР.432140.516ТУ. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т841В9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 41 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
4 752.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ831А Транзисторы КТ831А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,5 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432150.125ТУ. Гарантийный срок хранения транзистора не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2N4300. Основные технические характеристики транзистора КТ831А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А; • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ831А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 31 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
306.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9197А Транзистор КТ9197А кремниевый n-p-n низковольтный СВЧ биполярный транзистор с балластными резисторами в цепи эмиттера. Предназначен для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 200-870 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-83А. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Функциональный аналог: SD1409 (ST Microelectronics), BLV91 (Philips). Основные характеристики: - Выходная мощность РВЫХ = 2 Вт; - Напряжение питания UП = 12,6 В; - Рабочая частота f = 870 МГц; - Коэффициент усиления по мощности КУР≥6; - КПД коллектора ηК≥55%. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ9197А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 197 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
7 524.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т214Б-1/ДА Транзисторы 2Т214Б-1/ДА кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в бескорпусном исполнении. Тип прибора указывается на возвратной таре. Масса транзистора не более 0,01 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - АЕЯР.432140.524ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т214Б-1/ДА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 14 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки); ДА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
198.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ660А Транзисторы КТ660А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в цепях вычислительных машин, в генераторах электрических колебаний. Корпус пластмассовой с гибкими выводами. Тип прибора указывается в этикетке. На транзистор наносится условная цветная маркировка: - КТ660А - одна синяя полоса, - КТ660Б - две синие полосы. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.669ТУ. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: GES2219, BC337P, BC337-10. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ660А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 60 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т214Д9 Транзисторы 2Т214Д9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в миниатюрном пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Тип прибора указывается в этикетке. Тип корпуса: КТ-46. Масса транзистора не более 0,1 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.517ТУ. Зарубежный аналог: 2N329. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т214Д9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 14 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т214Г-1/ДА Транзисторы 2Т214Г-1/ДА кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в бескорпусном исполнении. Тип прибора указывается на возвратной таре. Масса транзистора не более 0,01 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - АЕЯР.432140.524ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т214Г-1/ДА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 14 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки); ДА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
198.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т8144А1 Транзисторы 2Т8144А1 кремниевые планарные n-p-n мощные высоковольтные переключательные. Предназначены для применения в преобразователях частоты системы энергоснабжения самолетов, для работы в переключающих схемах, импульсных модуляторах, во вторичных источниках питания. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9М. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - АЕЯР.432140.261ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т8144А1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 144 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
5 280.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т504Г Транзисторы 2Т504Г кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока. Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 2,0 г. Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.110ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.110ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок хранения транзисторов - 15 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т504Г 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 032.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т3152Е Транзисторы 2Т3152Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и преобразователях. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.457ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.457ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: PET4058. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 130000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т3152Е 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 152 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
414.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т214В-1/ДА Транзисторы 2Т214В-1/ДА кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в бескорпусном исполнении. Тип прибора указывается на возвратной таре. Масса транзистора не более 0,01 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - АЕЯР.432140.524ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 ч - в облегченном режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т214В-1/ДА 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 14 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки); ДА - набор букв, указывающий на код предприятия-изготовителя (разработчика) данного транзистора. |
198.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т208Г9 Транзисторы 2Т208Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для работы в импульсных и линейных схемах аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа. Тип корпуса: 4601.3-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - АЕЯР.432140.545ТУ. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т208Г9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
1 320.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ819БМ Транзисторы КТ819БМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.189 ТУ. Импортный аналог: 2N6253, 2N6371, 2N6470, BD142, BD181, BDW21A, BDX13C, BDX91, BDX93. Основные технические характеристики транзистора КТ819БМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (40В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ819БМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 19 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
150.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ639В Транзисторы КТ639В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 0,7 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.267ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2SA715B, 2SA715C, 2SA715D, 2SA738B, 2SA738C, 2SA738D, BSV15-165. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ639В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 39 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9118А Транзисторы 2Т9118А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в схеме с общей базой в усилителях мощности, автогенераторах и умножителях частоты в непрерывном и импульсном режиме в диапазоне частот: - 0,9...1,45 ГГц для 2Т9118А, - 1,2...1,45 ГГц для 2Т9118Б, - 0,96...1,22 ГГц для 2Т9118В. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 20,0 г. Тип корпуса: КТ-61. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.638ТУ. Зарубежный аналог: CDR075, MKB12100WS. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т9118А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 118 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
2 112.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т3152Д Транзисторы 2Т3152Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и преобразователях. Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (TO-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» аА0.339.457ТУ; - приемка «ОСМ» аА0.339.457ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N1132J. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 130000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения: 2Т3152Д 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц; 152 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
414.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ808ГМ Транзисторы КТ808ГМ кремниевые мезапланарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - аА0.336.240ТУ. Импортный аналог: 2N5427, 2N6372, 2N6373, 2N5427, BDY18. Основные технические характеристики транзистора КТ808ГМ: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 8 мГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 (80 имп.) В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 2 мА (120В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 125; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ; • Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,33 Ом. Расшифровка маркировки биполярного транзистора: КТ808ГМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности - с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
162.00 руб.
-
+
|