Транзисторы полевые - страница 5
Цена с НДС 2П305Г Транзисторы 2П305Г кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для работы во входных каскадах усилителей высокой частоты до 250 МГц, усилителях с высоким входным сопротивлением и других схемах аппаратуры специального назначения.. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 1,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приемка «ВП» ТФ0.336.001ТУ; - приемка «ОСМ» ТФ0.336.001ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: SK103. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 ч - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П305Г: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 150 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА • S - Крутизна характеристики: 6... 10 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 250 МГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6,5 дБ на частоте 250 МГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П305Г 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
348.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П306Б Транзисторы 2П306Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ТФ0.336.003ТУ. Зарубежный аналог: TA7262, 2SK182. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.. Гарантийная наработка: - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П306Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 06 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П909Б Транзисторы 2П909Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Полевые транзисторы 2П909А, 2П909Б, 2П909В предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом. Транзистор 2П909В предназначен для работы в составе гибридных микросхем и используются без фланца. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-18-2. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.244ТУ. Зарубежный аналог: DV1007, MTP5N05. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П909Б: • Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 60 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 4 А; • S - Крутизна характеристики: 350... 1000 мА/В; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 6 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 60 пФ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П909Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 584.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П707В2 Транзисторы 2П707В2 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28А-2.02. Масса транзистора не более 3,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRFPE30. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П707В2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
5 280.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П915А-2 Транзисторы полевые 3П915А-2 арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц в герметизированной аппаратуре. Бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. Масса транзистора не более 5 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.415ТУ. Зарубежный аналог: FLC253, FLM7177-5, IM7984-6, FLM7177-4C, FLM7177-8C, FLM7785-4C, MA4F300-500. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П915А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 15 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
1 980.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П313Б Транзисторы 2П313Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-13. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ТФ0.336.008ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: UC758, UC759. Основные технические характеристики транзистора 2П313Б: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 120 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА • S - Крутизна характеристики: 5... 10 мА/В (10В; 5мА); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6,8 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ; • fр - рабочая частота транзистора: 300 МГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П313Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П103Г Транзисторы 2П103Г кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ТФ3.365.000 ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П103Г 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП501Б Транзисторы КП501Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в аппаратуре средств связи, телефонных аппаратах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.485ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Прототип: ZVN2120. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП501Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП904А Транзисторы КП904А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Полевые транзисторы КП904А, КП904Б предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 35,0 г. Тип корпуса: КТ-5. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.234ТУ. Импортный аналог: B850-35, BFL175. Основные технические характеристики транзистора КП904А: • Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 75 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 90 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 5 А; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 350 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 200 мА; • S - Крутизна характеристики: 250... 520 мА/В; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 60 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП904А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
954.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП523А Транзисторы КП523А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.803ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BSS297A. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП523А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 23 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
48.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП707А Транзисторы КП707А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями. Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТЮ-3-20. Масса транзистора не более 20 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.140ТУ. Гарантийный срок хранения 10 лет со дня изготовления. Импортный аналог: 2SK298, 2SK278, RFM7N40. Основные технические характеристики транзистора КП707А: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси т max -Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 100 Вт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 5 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 400 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В; • Iс и - Импульсные ток стока (постоянный): 25 А; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 25 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 1 мА; • S - Крутизна характеристики: не менее 1600 мА/В (20В; 3А); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 1600 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 45 пФ; • Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 1 Ом; • tвыкл - Время выключения транзистора: не более 80 нс. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП707А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
942.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП809А2 Транзисторы KП809A2 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзисторов не более 5,0 г. Тип корпуса: КТ-43В (TO-247). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.331ТУ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП809А2 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
582.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП777А Транзисторы КП777А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.805ТУ. Прототипы: IRF840, IRF841, IRF842. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП777А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 77 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П603А-2 Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 12 ГГц в герметизированной аппаратуре. Транзисторы 3П603А-2, 3П603Б-2, 3П603А1-2, 3П603Б1-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. Тип прибора обозначается маркировочной точкой на крышке кристаллодержателя: красной для 3П603А-2, белой для 3П603Б-2, или на выводе истока: красной для 3П603А1-2, белой для 3П603Б1-2. Транзисторы 3П603А-5, 3П603Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзисторов - 3П603А-2, 3П603Б-2 не более 0,2 г, - 3П603А1-2, 3П603Б1-2 не более 0,15 г, - 3П603А-5, 3П603Б-5 не более 0,0006 г. Тип корпуса: КТ-75. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.461ТУ. Зарубежный аналог: AT-8101, AT-8151, FSX52WF, FSX51X, FSX52X, DXL-3501, DXL-3504, DXL-3603, DXL-3610, HMF-8300, HMF-8310, HMF-8311, HMF-8314. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П603А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
1 284.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП737А Тpанзистоpы КП737А полевые с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.637ТУ. Прототипы: IRF630, IRF634, IRF635, IRL630. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП737А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 37 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
102.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП364Г Транзисторы КП364Г кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой КП364Д, КП364Е и низкой КП364А, КП364Б, КП364В, КП364Ж, КП364И частот с высоким входным сопротивлением. Транзистор КП364Г предназначен для применения в зарядочувствительных усилителях. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432150.189ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2N5485. Основные технические характеристики транзистора КП364Г: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 3... 12 мА; • S - Крутизна характеристики: 3... 7 мА/В (10В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП364Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 64 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП707В2 Транзисторы КП707В2 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.140ТУ/Д1. Импортный аналог: IRFBE32. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП707В2 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП903В Транзисторы КП903В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.158ТУ. Импортный аналог: CP664, CP665, CP666. Основные технические характеристики транзистора КП903В: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 6 Вт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 10 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 700 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 600 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,05 мА; • S - Крутизна характеристики: 60... 140 мА/В (8В); • Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 10 Ом; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7,6 дБ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП903В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П795А4 Транзистор 2П795А4 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43А-1.01. Масса транзистора не более 5,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRFM450. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П795А4 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 95 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 4 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
7 260.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П903Б Транзисторы 2П903Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» ЖК3.365.242ТУ; - приемка «ОС» ЖК3.365.242ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ. Зарубежный аналог: CP664, CP665, CP666. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П903Б: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 6 Вт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 6,5 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 700 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 480 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,05 мА; • S - Крутизна характеристики: 50... 130 мА/В (8В); • Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 10 Ом; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7,6 дБ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П903Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
546.00 руб.
-
+
|