Транзисторы полевые - страница 6

КП502А
Транзисторы КП502А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала.
Предназначены для использования в телефонии, источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным  управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.658ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: BSS124.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП502А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
5 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП304А
Транзисторы КП304А кремниевые диффузорно-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа.
Предназначены для применения в усилителях с высоким входным сопротивлением и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-1-14.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - СБ3.365.109ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N4268, 2, JI75, MFE3003.

Основные технические характеристики транзистора КП304А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 5 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 30 мА
• Iс и - Импульсные ток стока (постоянный): 60 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,2 мкА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 4 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 9 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 6 пФ;
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 100 Ом.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП304А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП902А
Транзисторы КП902А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - аА0.336.036ТУ.
Импортный аналог: VMP4.

Основные технические характеристики транзистора КП902А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 3,5 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 200 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 10 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 10... 26 мА/В (20В; 50мА);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 11 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,6 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 11 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 9 дБ на частоте 400 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 250 МГц.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП902А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП809А
Транзисторы КП809А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов  не более 16,1 г.
Тип корпуса: КТ-9С.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.331ТУ.
Импортный аналог: RF340, SFN350A, UFN350.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП809А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П306В
Транзисторы 2П306В кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики.
Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ТФ0.336.003ТУ.
Зарубежный аналог: MFE121, 2SK182.

Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки..
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П306В
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
06 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П313А
Транзисторы 2П313А кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-13.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ТФ0.336.008ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: UC758, UC759.

Основные технические характеристики транзистора 2П313А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 120 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА
• S - Крутизна характеристики: 5... 10 мА/В (15В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 8,8 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,8 пФ;
• fр - рабочая частота транзистора: 300 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П313А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
13 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П902Б
Транзисторы 2П902Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Предназначены для применения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЖК3.365.255ТУ;
  - приемка «ОС» ЖК3.365.255ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2NL234B.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П902Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 3,5 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 200 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 10 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 10... 26 мА/В (20В; 50мА);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 11 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,6 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 11 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 0,8 дБ на частоте 60 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П902Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП813А2
Транзисторы КП813А2 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания, частотно-регулируемых источниках электропитания, индукционных печах.
Транзисторы KП809A2 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзисторов не более 5,0 г.
Тип корпуса: КТ-43В (TO-247).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.441ТУ.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП813А2
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
13 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП745А
Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала.
КП745А пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.680ТУ.
Импортный аналог: IRF530, RFP18N10.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП745А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
45 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП103Ж1
Транзисторы КП103Ж1 кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - ТФ3.365.000ТУ1.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП103Ж1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П762Д
Транзисторы 2П762Д полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в ключевых стабилизаторах, в модуляторах импульсных источников электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой аппаратуры.
Выпускаются:
- 2П762А, 2П762В, 2П762Д, 2П762Ж, 2П762И2, 2П762К, 2П762Л, 2П762М, 2П762Н в плоском металлокерамическом корпусе с ленточными выводами,
- 2П762Б1, 2П762Г1, 2П762Е1, в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, 2П762И2 в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами и винтом,
- 2П762Г1-5, 2П762Е1-5, 2П762И2-5 бескорпусные на общей пластине неразделенные с контактными площадками без выводов или разделенные на кристаллы.
Тип прибора указывается на корпусе или в этикетке.
Масса транзистора в плоском металлокерамическом корпусе не более 5 г, в металлическом - не более 15 г, в металлокерамическом с винтом - не более 9 г, кристалла - не более 0,015 г.
Корпусное исполнение: КТ-57.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.159ТУ;
  - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.159ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П762Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
62 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П903А
Транзисторы 2П903А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные.
Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
  - приемка «ВП» ЖК3.365.242ТУ;
  - приемка «ОС» ЖК3.365.242ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Зарубежный аналог: CP651, CP664, CP665, CP666.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П903А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 6 Вт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 5... 12 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 700 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 700 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,05 мА;
• S - Крутизна характеристики: 85... 140 мА/В (8В);
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 10 Ом;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7,6 дБ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П903А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП723А
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.
КП723А предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.803ТУ.
Срок сохраняемости - 12 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Импортный аналог: IRFZ44.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП723А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
23 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП707В1
Транзисторы КП707В1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.140ТУ.
Импортный аналог: IRFBE30, APT752R8GN, APT752R8CN.
Гарантийный срок хранения 10 лет со дня изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП707В1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П905A
Транзисторы 2П905A кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа.
Полевые транзисторы 2П905A, 2П905Б предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 3,0 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.060ТУ.
Зарубежный аналог: 2N4092, 2SK583.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 80000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П905A:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 4 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 60 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 70 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 350 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 20 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 1 мА;
• S - Крутизна характеристики: 18... 39 мА/В (20В; 50мА);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 7 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: 0,6 пФ;
• С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: 4 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 8 дБ на частоте 1 ГГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П905А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П7229Б
Транзистор 2П7229Б полевой p-канальный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.558ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П7229Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
229 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П312Б
Транзисторы 2П312Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
Транзисторы 2П312А, 2П312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркируются цветными точками:
   - 2П312А - одной желтой,
   - 2П312Б - одной синей.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-23.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ЖК3.365.262ТУ.
Зарубежный аналог: 2N4416, 2SK92, BF410A, KK3823, 2SK12P, 2SK15, 2N4302, 2SK49, 2SK11.

Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 100000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П312Б:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 6 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 7 мА
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 7 мА;
• S - Крутизна характеристики: 2... 5 мА/В (15В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П312Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
12 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П524А9
Транзистор 2П524А9 кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом.
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения.
Выпускается в металлокерамическом корпусе для поверхностного монтажа.
Тип корпуса: КТ-99-1.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.519ТУ.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П524А9
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
5 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
24 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КП303Д
Транзисторы КП303Д кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - Ц20.336.601ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 2N3823, SMP5103, TMPF5103, TP5103.

Основные технические характеристики транзистора КП303Д:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 3...9 мА;
• S - Крутизна характеристики: не менее 2,6 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП303Д
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП809Б1
Транзисторы KП809Б1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218).
Масса транзистора не более 5,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.331ТУ.
Импортный аналог: IRF840, JS0250A1(A), JS0150A1(A), 2SK876, 2SK683, 2SK828, RFH10N50, BUZ384.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП809Б1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.