Транзисторы полевые - страница 7
Цена с НДС 2П312Б Транзисторы 2П312Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона. Транзисторы 2П312А, 2П312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами. Маркируются цветными точками: - 2П312А - одной желтой, - 2П312Б - одной синей. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,2 г. Тип корпуса: КТ-23. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ЖК3.365.262ТУ. Зарубежный аналог: 2N4416, 2SK92, BF410A, KK3823, 2SK12P, 2SK15, 2N4302, 2SK49, 2SK11. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П312Б: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 6 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 7 мА • Iс нач - Начальный ток стока: не более 7 мА; • S - Крутизна характеристики: 2... 5 мА/В (15В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П312Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 12 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
558.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П306В Транзисторы 2П306В кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ТФ0.336.003ТУ. Зарубежный аналог: MFE121, 2SK182. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.. Гарантийная наработка: - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П306В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 06 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
240.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П769А9 Транзистор 2П769А9 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 42 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц. Транзистор предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-89 (TO-252). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRFR120. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П769А9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
558.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП303А Транзисторы КП303А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - Ц20.336.601ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2N3823, D110-1. Основные технические характеристики транзистора КП303А: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 3 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 0,5...2 мА; • S - Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП303А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
42.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП103И1 Транзисторы КП103И1 кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ТФ3.365.000ТУ1. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП103И1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП103М Транзисторы КП103М кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ТФ3.365.000ТУ1. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП103М К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; М - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу, |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП809Б1 Транзисторы KП809Б1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218). Масса транзистора не более 5,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.331ТУ. Импортный аналог: IRF840, JS0250A1(A), JS0150A1(A), 2SK876, 2SK683, 2SK828, RFH10N50, BUZ384. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП809Б1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
504.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П524А9 Транзистор 2П524А9 кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, с обогащенным n-каналом и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания и другой преобразовательной аппаратуре специального назначения. Тип корпуса: КТ-99-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.519ТУ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П524А9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 24 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
2 508.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП809А Транзисторы КП809А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями. Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзисторов не более 16,1 г. Тип корпуса: КТ-9С. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.331ТУ. Импортный аналог: RF340, SFN350A, UFN350. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП809А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
954.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП745А Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала. КП745А пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.680ТУ. Импортный аналог: IRF530, RFP18N10. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП745А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 45 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
102.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП350В Транзисторы КП350В кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-14. Масса транзистора не более 0,7 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ЖК3.365.250ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BF960, 3SK78, 2SK40, 3SK102. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП350В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 50 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
264.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П910А-2 Транзисторы полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с барьером Шоттки и каналом n-типа сверхвысокочастотные генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности и автогенераторах на частотах до 8 ГГц в герметизированной аппаратуре. Транзисторы 3П910А-2, 3П910Б-2 бескорпусные с гибкими выводами на металлокерамическом кристаллодержателе. Тип прибора указывается на крышке кристаллодержателя. Транзисторы 3П910А-5, 3П910Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для гибридных интегральных микросхем. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 1,5 г, кристалла не более 0,0003 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.264ТУ. Зарубежный аналог: FLC15, CFX32, AT8101, AT1157, DXL-3501, HML0330. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П910А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 10 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
2 244.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П905A Транзисторы 2П905A кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Полевые транзисторы 2П905A, 2П905Б предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 3,0 г. Тип корпуса: КТ-16-2. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.060ТУ. Зарубежный аналог: 2N4092, 2SK583. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П905A: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 4 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 60 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 70 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 350 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 20 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 1 мА; • S - Крутизна характеристики: 18... 39 мА/В (20В; 50мА); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 7 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: 0,6 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: 4 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 8 дБ на частоте 1 ГГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П905А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
546.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П339А-2 Транзисторы 3П339А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 8 и 17,4 ГГц. Предназначены для применения в малошумящих усилителях, усилителях с расширенным динамическим диапазоном и широкополосных усилителях с повышенными требованиями к входной мощности в составе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы 3П339А-2, АП339А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой. На ножке наносится условная маркировка черной точкой и полоской. Транзистор 3П339А-5 выпускается в виде кристалла с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,15 г, кристалла не более 0,0002 г. Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.615ТУ. Зарубежный аналог: NE388-06, NE46300, NE46385, NE46385-1, P35-1310, FSX61WF, FSX52WF, FSX51X, FSX52X. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П339А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 39 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП905A Транзисторы КП905A кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 1500 МГц в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 3,0 г. Тип корпуса: КТ-16-2. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.360ТУ. Импортный аналог: 2N4092, SD211. Основные технические характеристики транзистора КП905A: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 4 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 60 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 70 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 350 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 20 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 1 мА; • S - Крутизна характеристики: 18... 39 мА/В (20В; 50мА); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 7 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: 0,6 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: 4 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 8 дБ на частоте 1 ГГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП905А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
450.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП502А Транзисторы КП502А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в телефонии, источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.658ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BSS124. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП502А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П762Д Транзисторы 2П762Д полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в ключевых стабилизаторах, в модуляторах импульсных источников электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой аппаратуры. Выпускаются: - 2П762А, 2П762В, 2П762Д, 2П762Ж, 2П762И2, 2П762К, 2П762Л, 2П762М, 2П762Н в плоском металлокерамическом корпусе с ленточными выводами, - 2П762Б1, 2П762Г1, 2П762Е1, в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, 2П762И2 в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами и винтом, - 2П762Г1-5, 2П762Е1-5, 2П762И2-5 бескорпусные на общей пластине неразделенные с контактными площадками без выводов или разделенные на кристаллы. Тип прибора указывается на корпусе или в этикетке. Масса транзистора в плоском металлокерамическом корпусе не более 5 г, в металлическом - не более 15 г, в металлокерамическом с винтом - не более 9 г, кристалла - не более 0,015 г. Корпусное исполнение: КТ-57. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.159ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.159ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П762Д 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 62 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
11 484.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП740Б Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы КП740Б с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.675ТУ. Импортный аналог: IRFZ20. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП740Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 40 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП505А Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом. КП505А предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемый для народного хозяйства. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.691ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Импортный аналог: BSS295. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП505А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
42.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП307Г Транзисторы КП307Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.046ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: MFE2001, 2N4216, SMP5103, TMPF5103, TP5103, JF1033Y. Основные технические характеристики транзистора КП307Г: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1,5... 6 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА • Iс нач - Начальный ток стока: не более 6 мА; • S - Крутизна характеристики: 6... 12 мА/В (10В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП307Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
198.00 руб.
-
+
|