Транзисторные сборки - страница 4
Цена с НДС 2П7247ГР9 Транзисторная сборка 2П7247ГР9 состоящая из комплементарной пары переключательных полевых транзисторов с n- и p-каналами. Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Корпусное исполнение: 4320.8-А. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П7247ГР9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 247 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Г - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; Р - буква обозначает, что транзисторы по электрическим параметрам подобраны в пары. 9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
4 092.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9155А Транзисторная сборка КТ9155А из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных линейных транзисторов. Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности класса АВ в схеме с общей базой в диапазоне частот 150...860 МГц при напряжении питания 28 В. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 10,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ОТК». Импортный аналог: MRF892. Основные технические характеристики транзистора КТ9155А: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 43 Вт; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 25 мА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 35 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 6,5 дБ на частоте 860 МГц; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 15 Вт на частоте 860 МГц. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТ9155А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 155 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
8 580.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ТС622А1 Транзисторные матрицы 2ТС622А1, состоящие из четырех электрически изолированных кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих сверхвысокочастотных транзисторов. Предназначены для применения в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г. Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» И93.456.001ТУ/Д1; - приемка «ОС» И93.456.001ТУ/Д1, аА0.339.190ТУ. Минимальный срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Зарубежный аналог: 2N3905. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2ТС622А1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 22 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
1 272.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П7241ВС9 Транзисторная сборка 2П7241ВС9 состоящая из пары p-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Корпусное исполнение: 4320.8-А. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П7241ВС9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 241 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
4 356.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ПС202В-1 Транзисторная сборка 2ПС202В-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа. Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускаются с гибкими выводами и защитным покрытием на кристаллодержателе. Упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров транзисторов. Обозначение типа приводится на сопроводительной таре. Сдвоенные транзисторы выпускаются также без кристаллодержателя в виде двух одинаковых транзисторов, подобранные по основным электрическим параметрам. Масса сборки не более 0,5 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ТФ0.336.010ТУ. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 100000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 120000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2ПС202В-1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки). |
60.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9125АС Транзисторная сборка 2Т9125АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 100...500 МГц в схеме ОЭ при напряжении питания 28 В. Используется в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки. Тип корпуса: КТ-45. Масса сборки не более 10,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.669ТУ. Зарубежный аналог: NEM054029-12, C2M50-28. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики 2Т9125АС: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 660 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 55 В (10 Ом); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 4 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (55В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 110; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 4 дБ на частоте 500 МГц; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 500 МГц; • tрас - Время рассасывания: не более 20 нс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9125АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 125 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
12 144.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТ9153БС Транзисторные сборки КТ9153БС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности в режиме класса АВ в двухтактной схеме с общей базой в диапазоне частот 390...840 МГц при напряжении питания 28 В. В цепях эмиттеров включены балластные сопротивления. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ОТК». Зарубежный аналог: TPV5051. Основные технические характеристики транзистора КТ9153БС: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 94 Вт; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (10 Ом); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 60 мА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 66 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 50 Вт на частоте 615...840 МГц. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТ9153БС К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 153 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
10 428.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т687БС-2 Транзисторные сборки 2Т687БС-2 состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p переключающих транзисторов. Предназначены для применения в импульсных линейных усилителях и преобразователях. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Бескорпусные в керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами. - 2Т687АС-2 - маркируются черной точкой, - 2Т687БС-2 - маркируются белой точкой. Тип сборки указывается на этикетке. Масса сборки не более 3,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приемка «5» - аА0.339.679ТУ. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т687БС-2 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 87 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусная транзисторная сборка с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
1 164.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ПС104Д Транзисторная сборка 2ПС104Д состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов. Предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускается в металлостеклянном корпусе гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 2,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.033ТУ. Зарубежный аналог: UC2147, BFS21. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 50000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики 2ПС104Д: • Структура транзистора: сдвоенные, с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 45 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,8... 3 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 3 мА; • S - Крутизна характеристики: не менее 1 мА/В (10В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 4,5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2ПС104Д 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Д - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
372.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П7241АС9 Транзисторная сборка 2П7241АС9 состоящая из пары p-канальных переключательных полевых транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 2 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Корпусное исполнение: 4320.8-А. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.605ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П7241АС9 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 241 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 9 - условное обозначение для сборок, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
4 356.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9105АС Транзисторные сборки 2Т9105АС состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 100...500 МГц при напряжении питания 28 В. Сборка содержит внутренние LС-звенья для каждого транзистора. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе сборки. Тип корпуса: КТ-45. Масса сборки не более 10,0 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.529ТУ. Зарубежный аналог: NEM050029-28. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики сборки 2Т9105АС: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 160 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 660 МГц; • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм); • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 16 А; • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 120 мА (50В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не более 160; • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 240 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 500 МГц; • tрас - Время рассасывания: не более 12 нс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9105АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 105 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
11 484.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П981ВС Транзисторная сборка 2П981ВС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 20 Вт в диапазоне частот до 500 МГц. Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 12,5 В. Транзисторная сборка 2П981ВС изготовлена по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-81. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.317ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: D1207UK, D1202UK (Semelab), LQ821, F1222, F1207 (Polyfet). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П981ВС: (условия измерения: РВХ ≤ 2 Вт, UСИ = 12,5 В, f = 500 МГц, IС ≤ 50 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 20 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный); ● Напряжение питания UСИ - 12,5 В; ● Рабочая частота f - 500 МГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П981ВС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 40 В; ● Максимально допустимое напряжение питания, UП МАКС ........ 15,8 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 60 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 6,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 7,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П981ВС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 81 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; В - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
10 032.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П826АС Транзисторная сборка 2П826АС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 600 Вт в диапазоне частот до 30 МГц. Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной аппаратуры радиосвязи при напряжении питания 28 В. Транзистор 2П826АС изготовлен по DMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-102-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.367ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: MRF154, MRF157 фирмы M/A-СОМ, VRF157 фирмы Microsemi. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П826АС: (условия измерения: РВХ ≤ 24 Вт, UСИ = 50 В, f = 30 МГц, IС ≤ 800 мА) ● Выходная мощность РВЫХ - 600 Вт; ● Напряжение питания UСИ - 50 В; ● Рабочая частота f - 30 МГц; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 14 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 50 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П826АС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±40 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 125 В; ●Максимально допустимое напряжение питания стока ........ 50 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность, PСР МАКС ........ 735 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 60,0 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 75,0 г. |
32 868.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9161АС Транзисторная сборка 2Т9161АС состоит из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в двухтактных импульсных усилителях мощности и генераторах в схеме с общей базой в диапазоне частот 200...500 МГц при напряжении питания 45 В. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.093ТУ. Зарубежный аналог: AMD405-400, SD1565, UDR450. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т9161АС: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 700 Вт; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 280 мА (60В); • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ на частоте 0,5 ГГц; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 0,5 ГГц. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9161АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 161 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
7 524.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2ПЕ101АС9 Транзисторная сборка 2ПЕ101АС9 состоящая из пары полевых транзисторов с n- каналами. Предназначена для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами для монтажа на печатную плату. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Корпусное исполнение: МК 5205.8-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.686ТУ. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. |
5 148.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П9115АС Транзисторная сборка 2П9115АС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 500 Вт в диапазоне частот от 1030 до 1090 МГц. Предназначена для применения в бортовой и наземной радиопередающей авиационной аппаратуре, в системах навигации и радиолокации при напряжении питания 50 В. Изготовлена по LDMOS технологии и имеет высокое значение КПД и низкий уровень интермодуляционных искажений. Транзисторная сборка 2П9115АС применяется для работы в импульсном режиме в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-2. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432150.651ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: ILD1011M400 фирмы Integra technologies. Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П9115АС: (режим измерения: f = 1090 МГц, UСИ = 50 В, tИ = 13 мс, Q = 3, tk ≤ 40 °С) ● Выходная мощность РВЫХ - 500 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 13 дБ (минимальный); ● КПД стока ηС – 40 % (минимальный). Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П9115АС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ 15 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 100 В; ● Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность, PИ МАКС ........ 775 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 2,2 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 180 °C; ● Тепловое сопротивление переход-корпус, RT П-К ........ 0,2 °C/Вт; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П9115АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 115 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
22 704.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КТС3103А1 Транзисторные сборки КТС3103А1 состоящие из двух p-n-p усилительных высокочастотных маломощных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами. Предназначены для применения в дифференциальных усилительных каскадах электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в 8-выводном пластмассовом корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа в отверстия печатной платы. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Корпус типа 2101.8-1, масса не более 1,0 г. Климатическое исполнение: УХЛ2.1 по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: аА0.336.221ТУ. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки: КТС3103А1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где К - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ОТК»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзисторная сборка малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 103 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
120.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П980БС Транзисторная сборка 2П980БС состоящая из двух кремниевых n-канальных СВЧ-транзисторов с изолированными затворами выходной мощностью 150 Вт в диапазоне частот до 1000 МГц. Предназначена для работы в усилителях мощности в составе бортовой и стационарной радиопередающей аппаратуры при напряжении питания 32 В. Транзисторная сборка 2П980БС изготовлена по LDMOS технологии и применяется для работы в генераторном режиме в электронной аппаратуре специального назначения. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Выпускается во фланцевом прямоугольном металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами для монтажа на поверхность печатной платы. Маркировка нанесена буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-103А-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.316ТУ. Минимальный срок хранения 25 лет со дня приёмки заказчиком, а в случае перепроверки транзистора - с даты перепроверки. Функциональный зарубежный аналог: BLF861A (Philips), MRF374A (Freescale). Основные RF характеристики полевого СВЧ-транзистора 2П980БС: (условия измерения: РВХ ≤ 15 Вт, UСИ = 32 В, f = 860 МГц, IС ≤ 1,3 А) ● Выходная мощность РВЫХ - 150 Вт; ● Коэффициент усиления по мощности КУР - 10 дБ (минимальный); ● Коэффициент полезного действия стока ηС - 45 % (минимальный); ● Напряжение питания UСИ - 36 В; ● Рабочая частота f - 1 ГГц. Предельно допустимые электрические режимы эксплуатации транзистора 2П980БС: ● Максимально допустимое постоянное напряжение затвор-исток, UЗИ МАКС ........ ±20 В; ● Максимально допустимое постоянное напряжение сток-исток, UСИ МАКС ........ 65 В; ● Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность в динамическом режиме, PСР МАКС ........ 200 Вт; ● Максимально допустимый постоянный ток стока, IС МАКС ........ 18 А; ● Диапазон рабочих температур, tОКР ........ -60 ... +125 °C; ● Максимально допустимая температура перехода, tП МАКС ........ 200 °C; ● Масса транзистора, не более ........ 18,0 г. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2П980БС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевая транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 80 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; Б - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
14 916.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т9136АС Транзисторная сборка 2Т9136АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов. Предназначена для применения в импульсных генераторах, усилителях мощности в диапазоне частот 200...500 МГц в схеме ОБ при напряжении питания 45 В. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Масса сборки не более 7,0 г. Тип корпуса: КТ-44. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.804ТУ. Зарубежный аналог: UDR500, TDR450, SD1564, SD1565, AM0405-100. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2Т9136АС: • Структура транзистора: n-p-n; • Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 250 Вт; • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц; • Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В; • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В; • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А; • Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 140 мА (60В); • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 260 пФ; • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 7 дБ; • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 500 МГц; • tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т9136АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзисторная сборка большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 136 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
7 392.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2Т689АС Транзисторная матрица 2Т689АС состоящая из p-n-p биполярных переключательных импульсных транзисторов с рассеиваемой мощностью не более 0.4 Вт, с граничной частотой коэффициента передачи тока не более 300 МГц. Предназначена для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в плоском металлостеклянном прямоугольном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы. Корпус типа 401.14-6, масса не более 0,4 г. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» аА0.339.758ТУ; - приёмка «ОСМ» аА0.339.758ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: 2N3799. Гарантийный срок хранения - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 120000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения транзисторной сборки специального назначения: 2Т689АС 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлена сборка и её категорию качества, где 2 - кремниевая транзисторная сборка категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярная транзисторная сборка; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзисторная сборка средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 89 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзисторной сборки; А - буква, определяющая классификацию сборки по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; С - для обозначения сборок (матриц) - наборов в общем корпусе однотипных транзисторов, не соединённых или соединённых по определённой электрической схеме. |
1 716.00 руб.
-
+
|