Транзисторы полевые - страница 11
Цена с НДС 2П769Е91 Транзистор 2П769Е91 полевой n-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт, с максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-90 (TO-263). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П769Е91 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
1 452.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П909А Транзисторы 2П909А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Полевые транзисторы 2П909А, 2П909Б, 2П909В предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах. Транзистор 2П909В предназначен для работы в составе гибридных микросхем и используются без фланца. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-18-2. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.244ТУ. Зарубежный аналог: BF50-35, MTP5N05. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П909А: • Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 60 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 6,5 А; • S - Крутизна характеристики: 350... 1000 мА/В; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 6 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 60 пФ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П909А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
2 640.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П7229А Транзистор 2П7229А полевой p-канальный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.558ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF5210. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П7229А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 229 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
3 300.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП931А Транзисторы КП931А кремниевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа и со статической индукцией, переключающие. Предназначены для применения в высокочастотных источниках электропитания с бестрансформаторным входом, в импульсных усилителях мощности. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432149.035 ТУ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП931А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 31 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
72.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП813А Транзисторы КП813А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания, частотно-регулируемых источниках электропитания, индукционных печах. Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами Тип прибора указывается на корпусе. Тип корпуса: КТ-9С. Масса транзисторов не более 20,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.441ТУ. Импортный аналог: YTF252, SFN252, IRF252, UFN252. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП813А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
372.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П303А Транзисторы 2П303А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - Ц23.365.003ТУ. Зарубежный аналог: 2N3823, D110-1. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ. Наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П303А: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 3 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 2 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: 0,5...3 мА; • S - Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П303А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП307Е1 Транзисторы КП307Е1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.046ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Основные технические характеристики транзистора КП307Е1: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 2,5 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 27 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА; • S - Крутизна характеристики: 3... 8 мА/В (10В). Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП307Е1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП902А Транзисторы КП902А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц. Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.036ТУ. Импортный аналог: VMP4. Основные технические характеристики транзистора КП902А: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 3,5 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 200 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 10 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,5 мА; • S - Крутизна характеристики: 10... 26 мА/В (20В; 50мА); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 11 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,6 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 11 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 9 дБ на частоте 400 МГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 250 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП902А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
504.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П793А4 Транзистор 2П793А4 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 130 Вт. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43А-1.01. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.273ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRFM250. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П793А4 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 93 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 4 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
6 204.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП303Г Транзисторы КП303Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - Ц20.336.601ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: KK4381, 2N548. Основные технические характеристики транзистора КП303Г: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 3...12 мА; • S - Крутизна характеристики: 3... 7 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП303Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
174.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П829Д Транзисторы 2П829Д кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные. Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43А-1.01. Масса транзистора не более 7,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П829Д 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
8 316.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П920А Транзисторы 2П920А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 400 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 8,0 г. Тип корпуса: КТ-61. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.534ТУ. Зарубежный аналог: UMIL40FT, F1020, MTP14N05A, BUK452-50B(A), BUK462-50B, MSC0204100. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П920А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 20 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
4 752.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП723А Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. КП723А предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.803ТУ. Срок сохраняемости - 12 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Импортный аналог: IRFZ44. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП723А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 23 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
228.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П762Н Транзисторы 2П762Н полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в ключевых стабилизаторах, в модуляторах импульсных источников электропитания, в схемах электропривода, управления и коммутации бортовой аппаратуры. Выпускаются: - 2П762А, 2П762В, 2П762Д, 2П762Ж, 2П762И2, 2П762К, 2П762Л, 2П762М, 2П762Н в плоском металлокерамическом корпусе с ленточными выводами, - 2П762Б1, 2П762Г1, 2П762Е1, в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами, 2П762И2 в металлокерамическом корпусе с ленточными выводами и винтом, - 2П762Г1-5, 2П762Е1-5, 2П762И2-5 бескорпусные на общей пластине неразделенные с контактными площадками без выводов или разделенные на кристаллы. Тип прибора указывается на корпусе или в этикетке. Масса транзистора в плоском металлокерамическом корпусе не более 5 г, в металлическом - не более 15 г, в металлокерамическом с винтом - не более 9 г, кристалла - не более 0,015 г. Корпусное исполнение: КТ-57. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» АЕЯР.432140.159ТУ; - приёмка «ОСМ» АЕЯР.432140.159ТУ, П0.070.052. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П762Н 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 62 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Н - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
11 484.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П301В Транзисторы 2П301В кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-14. Масса транзистора не более 0,7 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ЖК3.365.202ТУ. Зарубежный аналог: MFE3003. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 ч - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П301В: • Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2,7 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,5 мкА; • S - Крутизна характеристики: 1... 2,6 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 3,5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 3,5 пФ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П301В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
546.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П339А-5 Транзисторы 3П339А-5 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 8 и 17,4 ГГц. Предназначены для применения в малошумящих усилителях, усилителях с расширенным динамическим диапазоном и широкополосных усилителях с повышенными требованиями к входной мощности в составе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы 3П339А-2, АП339А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой. На ножке наносится условная маркировка черной точкой и полоской. Транзистор 3П339А-5 выпускается в виде кристалла с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,15 г, кристалла не более 0,0002 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.615ТУ/Д1. Зарубежный аналог: DXL-2501, DXL-2501A-P70, DXL-2502, DXL2502-A-P70. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П339А-5 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 39 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 5 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 5 - бескорпусной транзистор с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов (кристалл). |
264.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП809Б Транзисторы КП809А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями. Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзисторов не более 16,1 г. Тип корпуса: КТ-9С. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.331ТУ. Импортный аналог: BUZ45, SFN440, 2N6914. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП809Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
504.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П767В Транзистор 2П767В мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор. Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF640. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П767В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 67 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 140.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП903А Транзисторы КП903А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.158ТУ. Импортный аналог: CP651, CP664, CP665, CP666. Основные технические характеристики транзистора КП903А: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 6 Вт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 5... 12 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 700 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 700 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,05 мА; • S - Крутизна характеристики: 85... 140 мА/В (8В); • Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 10 Ом; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7,6 дБ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП903А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
504.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П829А Транзисторы 2П829А кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные. Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 10,0 г. Тип корпуса: КТ-105-1.01. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АЕЯР.432140.469ТУ. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П829А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18 480.00 руб.
-
+
|