Транзисторы полевые - страница 10

2П911Б
Транзисторы 2П911Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-18-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.281ТУ.
Зарубежный аналог: F2012, DV1210Z.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П911Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 30 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 2,5... 4 А;
• S - Крутизна характеристики: 200... 600 мА/В.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П911Б
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
11 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП505В
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.
КП505В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемый для народного хозяйства.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.691ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП505В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
5 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

3П320А-2
Транзисторы 3П320А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими поисковыми выводами и керамической крышкой.
На крышку наносится условная маркировка цветной точкой:
   - 3П320А-2, АП320А-2 - красной,
   - 3П320Б-2, АП320Б-2 - зеленой.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.167ТУ.
Зарубежный аналог: NE695.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 3П320А-2:
• Структура транзистора: с n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 80 мВт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 4 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток (постоянное): 8 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 5 В;
• S - Крутизна характеристики: 5... 16 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: 0,18 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: 0,15 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 3 дБ на частоте 8 ГГц;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 8 ГГц.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П320А-2
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
20 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).

КП364А
Транзисторы КП364А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой КП364Д, КП364Е и низкой КП364А, КП364Б, КП364В, КП364Ж, КП364И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзистор КП364Г предназначен для применения в зарядочувствительных усилителях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (TO-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432150.189ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: MPF109N, KK3819.

Основные технические характеристики транзистора КП364А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 3 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 0,5... 2,5 мА;
• S - Крутизна характеристики: 1... 4 мА/В (10В);
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП364А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
64 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

2П769В91
Транзистор 2П769В91 полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 100 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц.
Транзистор предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-90 (TO-263).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF540S.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П769В91
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

2П771А91
Транзисторы 2П771А91 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-90 (TO-263).
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.243ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П771А91
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
71 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.

КП707Е1
Транзисторы КП707Е1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.140ТУ.
Гарантийный срок хранения 10 лет со дня изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП707Е1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П7229А2
Транзистор 2П7229А2 полевой p-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 100 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц.
Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28А-2.02.
Масса транзистора не более 3,5 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.558ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: IRF5M5210.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П7229А2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
229 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
2 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП769В
Транзисторы КП769В кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.744ТУ.
Импортный аналог: IRF540.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП769В
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП768Д
Транзистор КП768Д кремниевый полевой эпитаксиально-планарный с каналом n-типа переключательный.
Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.743ТУ.
Импортный аналог:  IRF730.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП768Д
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП707Д1
Транзисторы КП707Д1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.140ТУ.
Импортный аналог: IRF830.
Гарантийный срок хранения 10 лет со дня изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП707Д1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

2П202Д-1
Транзистор 2П202Д-1 бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий.
Предназначен для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Выпускается с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя.
Транзисторы упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - ТФ0.336.010ТУ/Д3.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 100000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 120000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П202Д-1
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
2 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки).

2П829А
Транзисторы 2П829А кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные.
Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10,0 г.
Тип корпуса: КТ-105-1.01.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - АЕЯР.432140.469ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
2П829А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
29 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП103И
Транзисторы КП103И кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Используются в электронной аппаратуре общего назначения.
Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,0 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - ТФ3.365.000ТУ1.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП103И
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
1 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу,

КП350А
Транзисторы  КП350А кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-14.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - ЖК3.365.250ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления.
Импортный аналог: 3N140, BF905, 3SK78, 2SK40, 3SK102.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП350А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
50 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП728Е1
Кpемниевые транзисторы КП728Е1 эпитаксиально-планаpные тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом.
Пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220).
Масса транзистора не более 2,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.520ТУ.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП728Е1
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
7 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц;
28 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров.

КП959Б
Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ).
Транзисторы КП959Б кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе.
Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126).
Масса транзистора не более 1,0 г.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» - АДБК.432150.377ТУ.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП959Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
59 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

3П608А-5
Транзисторы 3П608А-5  полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 45,5 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках.
Транзисторы 3П608А-2, 3П608Б-2, 3П608Г-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзисторы 3П608А-5, 3П608Д-5, 3П608Е-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приёмка «5» - аА0.339.784ТУ/Д1.
Зарубежный аналог: JS8864AS.

Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения:
3П608А-5
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
6 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
08 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
5 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 5 - бескорпусной транзистор с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов (кристалл).

КП904Б
Транзисторы КП904Б кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа.
Полевые транзисторы КП904А, КП904Б предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 35,0 г.
Тип корпуса: КТ-5.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - аА0.336.234ТУ.
Импортный аналог: MRF148, BFL175.

Основные технические характеристики транзистора КП904Б:
• Структура транзистора: с изолированным затвором и  индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 75 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 90 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 3 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 350 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 200 мА;
• S - Крутизна характеристики: 250... 520 мА/В;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 60 МГц.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП904Б
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц;
04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.

КП813А
Транзисторы КП813А кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные.
Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания, частотно-регулируемых источниках электропитания, индукционных печах.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-9С.
Масса транзисторов не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приёмка «1» - АДБК.432140.441ТУ.
Импортный аналог:  YTF252, SFN252, IRF252, UFN252.

Расшифровка маркировки полевого транзистора:
КП813А
К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц;
13 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.