Транзисторы полевые - страница 10
Цена с НДС 2П768К Мощный n-канальный транзистор с пониженным RСИ. Транзистор 2П768К предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF740. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П768К 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; К - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
978.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП768Д Транзистор КП768Д кремниевый полевой эпитаксиально-планарный с каналом n-типа переключательный. Предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.743ТУ. Импортный аналог: IRF730. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП768Д К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 68 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
150.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П907А Транзисторы 2П907А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для усиления и генерирования сигналов на частотах до 1500 МГц, а также для применения в быстродействующих переключающих устройствах наносекундного диапазона. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 3,0 г. Тип корпуса: КТ-16-2. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.121ТУ. Зарубежный аналог: VN5000TNE. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П907А: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 11,5 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 60 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 70 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 1,7 А; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 100 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 10 мА; • S - Крутизна характеристики: 110... 200 мА/В (20В; 0,5А); • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 3 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 4 дБ на частоте 1 ГГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П907А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 164.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П771А Транзисторы 2П771А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.243ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: STP40N10. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П771А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 71 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 716.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП505В Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом. КП505В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемый для народного хозяйства. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.691ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП505В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 05 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
48.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П202Д-1 Транзистор 2П202Д-1 бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Предназначен для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускается с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя. Транзисторы упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров. Обозначение типа приводится на сопроводительной таре. Масса транзистора не более 0,2 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ТФ0.336.010ТУ/Д3. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 100000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 120000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П202Д-1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки). |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП769В Транзисторы КП769В кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.744ТУ. Импортный аналог: IRF540. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП769В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П903А Транзисторы 2П903А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с каналом n-типа и затвором в виде обратно смещенного p-n перехода высокочастотные универсальные. Предназначены для применения в приемопередающих и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» ЖК3.365.242ТУ; - приемка «ОС» ЖК3.365.242ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ. Зарубежный аналог: CP651, CP664, CP665, CP666. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 80000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П903А: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 6 Вт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 5... 12 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 700 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 700 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,05 мА; • S - Крутизна характеристики: 85... 140 мА/В (8В); • Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 10 Ом; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7,6 дБ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П903А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
3 036.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП301Б Транзисторы КП301Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-14. Масса транзистора не более 0,7 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ЖК3.365.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: 2N4038, MFE3003. Основные технические характеристики транзистора КП301Б: • Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2,7... 5,4 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,5 мкА; • S - Крутизна характеристики: 1... 2,6 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 3,5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 3,5 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 9,5 дБ на частоте 100 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП301Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
306.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П767В91 2П767В91 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор. Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-90 (TO-263). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF640S. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П767В91 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 67 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
1 452.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П320А-2 Транзисторы 3П320А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем. Бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими поисковыми выводами и керамической крышкой. На крышку наносится условная маркировка цветной точкой: - 3П320А-2, АП320А-2 - красной, - 3П320Б-2, АП320Б-2 - зеленой. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 0,2 г. Тип корпуса: КТ-22. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.167ТУ. Зарубежный аналог: NE695. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 3П320А-2: • Структура транзистора: с n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 80 мВт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 4 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток (постоянное): 8 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 5 В; • S - Крутизна характеристики: 5... 16 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: 0,18 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: 0,15 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 3 дБ на частоте 8 ГГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 8 ГГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П320А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 20 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП749В Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала. КП749В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.684ТУ. Импортный аналог: IRF622. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП749В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 49 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
102.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП748Б Транзисторы КП748Б кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.681ТУ. Импортный аналог: IRF611, RFP10N15. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП748Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 48 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
90.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП728Е1 Кpемниевые транзисторы КП728Е1 эпитаксиально-планаpные тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой pадиоэлектpонной аппаpатуpе. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.520ТУ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП728Е1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 28 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П608А-5 Транзисторы 3П608А-5 полевые арсенидогаллиевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде барьера Шоттки и каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, автогенераторах, преобразователях частоты на частотах до 45,5 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках. Транзисторы 3П608А-2, 3П608Б-2, 3П608Г-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами. Транзисторы 3П608А-5, 3П608Д-5, 3П608Е-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,3 г, кристалла не более 0,004 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.784ТУ/Д1. Зарубежный аналог: JS8864AS. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П608А-5 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 6 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 6 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 08 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 5 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 5 - бескорпусной транзистор с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов (кристалл). |
504.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П901Б Транзисторы 2П901Б кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн. Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Транзисторы 2П901А-5, 2П901Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для использования в гибридных интегральных микросхемах. Тип прибора указывается в этикетке. Масса кристалла не более 0,00012 г. Категория качества: «ВП», «ОС». Технические условия: - приемка «ВП» ЖК3.365.243ТУ; - приемка «ОС» ЖК3.365.243ТУ, аА0.339.190ТУ. Зарубежный аналог: VN89AD, BFL522. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П901Б: • Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 20 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 85 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 4 А; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 200 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 50 мА; • S - Крутизна характеристики: 60... 170 мА/В (20В; 0,5А); • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 10 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7 дБ на частоте 100 МГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П901Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП769Б Транзисторы КП769Б кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.744ТУ. Импортный аналог: IRF530. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП769Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП959Б Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ). Транзисторы КП959Б кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432150.377ТУ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП959Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 59 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
18.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П802А Транзисторы 2П802А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и вертикальным каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в преобразователях постоянного напряжения, быстродействующих переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.578ТУ. Зарубежный аналог: 2SK215, IRF420. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П802А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
954.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП707Д1 Транзисторы КП707Д1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.140ТУ. Импортный аналог: IRF830. Гарантийный срок хранения 10 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП707Д1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
120.00 руб.
-
+
|