Транзисторы полевые - страница 9
Цена с НДС КП327А1 Транзисторы КП327А1 кремниевые планарные с двумя изолированными затворами, защищенными диодами, и каналом n-типа. Предназначены для применения в селекторах каналов телевизионных приемников дециметрового и метрового диапазонов длин волн и усилителях. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.516 ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП327А1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 27 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
60.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П202Е-1 Транзистор 2П202Е-1 бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Предназначен для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Выпускается с гибкими выводами и защитным покрытием без кристаллодержателя. Транзисторы упаковываются в сопроводительную тару, позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров. Обозначение типа приводится на сопроводительной таре. Масса транзистора не более 0,2 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - ТФ0.336.010ТУ/Д3. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 100000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 120000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П202Е-1 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 2 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 2 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 1 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки). |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП709Г Транзисторы КП709Г кремниевые полевые с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках электропитания, переключательных и импульсных устройствах, в схемах управлением электродвигателями. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Импортный аналог: BUZ90, IRFBC30, BUK455-600A. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП709Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП301Г Транзисторы КП301Г кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом р-типа. Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей, нелинейных малосигнальных цепях, каскадах с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-14. Масса транзистора не более 0,7 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ЖК3.365.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Основные технические характеристики транзистора КП301Г: • Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным p-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи пор - Пороговое напряжение транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2,7... 5,4 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 0,5 мкА; • S - Крутизна характеристики: 0,5... 1,6 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 3,5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 3,5 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 9,5 дБ на частоте 100 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП301Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
306.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П331А-5 Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 10 ГГц. Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилителях с повышенными требованиями к выходной мощности в составе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы 3П331А-2, АП331А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой. На ножке наносится условная маркировка черной полоской. Транзистор 3П331А-5, АП331А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,1 г, кристалла не более 0,0006 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.659ТУ/Д1. Зарубежный аналог: AT12570-5, AT12535, MA4F600-500, MA4F600-289A, NE72089A, NE7200. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 3П331А-5: • Структура транзистора: с n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 2,5...5 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 5,5 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 9 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 5 В; • Iс нач - Начальный ток стока: 150 мА; • S - Крутизна характеристики: более 25 мА/В; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 5,5 дБ на частоте 10 ГГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 2,8 дБ на частоте 10 ГГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П331А-5 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 31 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 5 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 5 - бескорпусной транзистор с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) без выводов (кристалл). |
102.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП313В Транзисторы КП313В кремниевые диффузионно-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-13. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «3». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.118ТУ. Импортный аналог: UC758, UC759. Основные технические характеристики транзистора КП313В: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 75 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не менее 6 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 15 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 15 мА • S - Крутизна характеристики: 4,5... 10,5 мА/В (10В; 5мА); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 7 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,9 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 10 дБ на частоте 250 МГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 7.5 дБ на частоте 250 МГц; • fр - рабочая частота транзистора: 300 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП313В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
90.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП103Ж Транзисторы КП103Ж кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ТФ3.365.000ТУ1. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП103Ж К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Ж - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу, |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П330А-2 Транзисторы 3П330А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частотах 25 и 17,4 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы 3П330А-2, 3П330Б-2, 3П330В-2, АП330А-2, АП330Б-2, АП330В-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой. На крышке наносится условная маркировка: - на 3П330Б-2 - белая точка, - на 3П330В-2 - черная точка, - на 3П330А-2 - точка не наносится. Транзистор 3П330А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,15 г, кристалла не более 0,0002 г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.485ТУ. Зарубежный аналог: JS8830AS. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 3П330А-2: • Структура транзистора: с барьером Шотки, с n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 30 мВт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 3 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 6 В; • S - Крутизна характеристики: более 5 мА/В; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 3 дБ на частоте 17,4 ГГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 25 ГГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П330А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 30 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
216.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П7229В91 Транзистор 2П7229В91 полевой p-канальный переключательный с максимальной рассеиваемой мощностью 130 Вт и максимальной рабочей частотой не более 30 МГц. Предназначен для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-90. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.558ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF9640. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П7229В91 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 229 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 91 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа. |
2 640.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП723АМ Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы КП723АМ с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП723АМ К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 23 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П326А-2 Транзисторы 3П326А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 17,4 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей герметизированной радиоприемной аппаратуры. Транзисторы 3П326А-2, 3П326Б-2, 3П326А-2Н, 3П326Б-2Н бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой. На ножке 3П326Б-2 наносится условная маркировка черной точкой, на транзистор 3П326А-2 условная маркировка не наносится. Транзистор 3П326А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,1г, кристалла не более 0,0002г. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.314ТУ. Зарубежный аналог: AT8041, GAT6, CFX14. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 50000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П326А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 26 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП770А КП770А мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор. Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.745ТУ. Импортный аналог: IRF820. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП770А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 70 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП727А Кремниевые транзисторы КП727А эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.510ТУ. Прототипы: BUZ71, IRFZ34, IRLZ34. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП727А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 27 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП809А1 Транзисторы KП809A1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в импульсных источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218). Масса транзистора не более 5,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.331ТУ. Импортный аналог: RCH20N40, 2N7077, CHM11T-M155(A). Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП809А1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
546.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП707Е1 Транзисторы КП707Е1 кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором с каналом n-типа переключательные. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.140ТУ. Гарантийный срок хранения 10 лет со дня изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП707Е1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
150.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП746Г Транзисторы КП746Г кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.681ТУ. Импортный аналог: IRL540. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП746Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 46 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
240.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП902В Транзисторы КП902В кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в приемопередающих устройствах в диапазоне частот до 400 МГц. Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60). Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.036ТУ. Импортный аналог: DV1202S. Основные технические характеристики транзистора КП902В: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 3,5 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 200 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 10 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 0,5 мА; • S - Крутизна характеристики: 10... 26 мА/В (20В; 50мА); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 11 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,6 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 11 пФ; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 9 дБ на частоте 400 МГц; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 8 дБ на частоте 250 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП902В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
186.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П303И Транзисторы 2П303И кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - Ц23.365.003ТУ. Зарубежный аналог: 2N3822, 2N5668. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Минимальная наработка - 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ. Наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П303И 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; И - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П911Б Транзисторы 2П911Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным вертикальным каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях и генераторах на рабочей частоте до 1 ГГц, а также в быстродействующих переключающих устройствах. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-18-2. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.281ТУ. Зарубежный аналог: F2012, DV1210Z. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П911Б: • Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 30 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 2,5... 4 А; • S - Крутизна характеристики: 200... 600 мА/В. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П911Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 11 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
3 564.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П322А Транзисторы 2П322А кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя затворами на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях исмесительных каскадах на частот до 400 МГц. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,7 г. Корпусное исполнение: 301.6-1. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.215ТУ. Зарубежный аналог: 3SK68, 2SK210, SK3116. Гарантийный срок хранения 15 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 80000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П322А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 22 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
3 828.00 руб.
-
+
|