Транзисторы

IRFZ44N
Транзистор IRFZ44N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 49 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 17,5 mΩ.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF540N
Транзистор IRF540N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 33 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 44 mΩ.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

MJE13009
Транзисторы MJE13009 биполярные, кремниевые, планарные, структуры n-p-n, переключательные.
Предназначены для для использования в переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N5551
Транзисторы 2N5551 кремниевые биполярные структуры n-p-n.
Транзисторы предназначен для работы в НЧ-устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BU406
Транзисторы BU406 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: TO–220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N3904
Транзисторы 2N3904 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF840
Транзистор IRF840 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 8,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,85 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF3205
IRF3205 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 110 А.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

TIP122
Транзисторы TIP122 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SC945
Транзисторы 2SC945 кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SC1815
Транзисторы 2SC1815 кремниевые, структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса: не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

IRF9610
Транзистор IRF9610 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -200 В.
Максимальный ток стока: -1,8 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 3,0 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2N3773
Транзисторы 2N3773 кремниевые структуры n-p-n.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г.
Тип корпуса: TO-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +200 °C.

BC547C
Транзисторы BC547C кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF610
Транзистор IRF610 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 3,3 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,5 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRFBE30
Транзистор IRFBE30 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 800 В.
Максимальный ток стока: 4,1 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 3,0 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC547B
Транзисторы BC547B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC817-40
Транзисторы BC817-40 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TIP31C
Транзисторы TIP31C биполярные, кремниевые, планарные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для использования в усилителях и переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP460A
Транзистор IRFP460A n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 20,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,27 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.