Статьи
Все статьи
21 августа 2026
6Н6П - двойной малогабаритный триод
5 августа 2026
Магнитоуправляемые герметические контакты для работы в РЭА
Транзисторы КТ815 кремниевые, усилительные, биполярные, структуры n-p-n
18 сентября 2026
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы.
Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Предназначены для использования в ключевых и линейных схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Рис.1 Внешний вид транзисторов КТ815А, КТ815Б, КТ815В, КТ815Г.
Транзисторы КТ815 кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры n-p-n усилительные.
Широко распространены в профессиональной электронике и радиолюбительской практике.
Они были разработаны в Советском Союзе в 1980-е годы и нашли широкое распространение в различных областях электроники благодаря своей доступности и оптимальным техническим характеристикам.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры общего применения.
Для транзистора КТ815 комплементарной парой является транзистор КТ814 (структура p-n-p).
Вид климатического исполнения: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Диапазон рабочих температур от - 60 до + 125°C.
Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия: аА0.336.185ТУ/02.
Корпусное исполнение:
● КТ815 А, Б, В, Г - пластмассовый корпус для объёмного монтажа КТ-27 (ТО-126);● КТ815 А9, Б9, В9, Г9 - пластмассовый корпус для поверхностного монтажа КТ-89 (DPAK).

Рис.2 Установочные и габаритные размеры транзисторов КТ815.
Производитель: АО "ИНТЕГРАЛ", г. Минск, Республика Беларусь.
Расшифровка маркировки биполярного транзистора:
КТ815А9К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
15 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
9 - условное обозначение для транзисторов, выпускаемых в корпусах для поверхностного монтажа.
Технические характеристики транзисторов КТ815:
|
Тип транзистора |
Структура | Предельно допустимые электрические режимы | Значения параметров при Тп=25°С |
TП max |
Т max |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IК max |
IК. И. max |
UКЭ max |
IБ max |
UЭБ max |
РК max | h21Э |
UКЭ нас. |
IКБО | IКЭR | f гp. | КШ | СК | СЭ | ||||
| А | А | В | В | В | Вт | В | мкА | мкА | МГц | дБ | пФ | пФ | °С | °С | |||
| КТ815А | n-p-n | 1,5 | 3 | 40 | 0,5 | 5 | 10,0 | >40 | <0,6 | <50 | <100 | >3 | - | <60 | <75 | 150 | -60…+125 |
| КТ815Б | n-p-n | 1,5 | 3 | 50 | 0,5 | 5 | 10,0 | >40 | <0,6 | <50 | <100 | >3 | - | <60 | <75 | 150 | -60…+125 |
| КТ815В | n-p-n | 1,5 | 3 | 70 | 0,5 | 5 | 10,0 | >40 | <0,6 | <50 | <100 | >3 | - | <60 | <75 | 150 | -60…+125 |
| КТ815Г | n-p-n | 1,5 | 3 | 100 | 0,5 | 5 | 10,0 | >30 | <0,6 | <50 | <100 | >3 | - | <60 | <75 | 150 | -60…+125 |
| КТ815А9 | n-p-n | 1,5 | 3 | 40 | 0,5 | 5 | 10,0 | >40 | <0,6 | <50 | <100 | >3 | - | <60 | <75 | 150 | -60…+125 |
| КТ815Б9 | n-p-n | 1,5 | 3 | 50 | 0,5 | 5 | 10,0 | >40 | <0,6 | <50 | <100 | >3 | - | <60 | <75 | 150 | -60…+125 |
| КТ815В9 | n-p-n | 1,5 | 3 | 70 | 0,5 | 5 | 10,0 | >40 | <0,6 | <50 | <100 | >3 | - | <60 | <75 | 150 | -60…+125 |
| КТ815Г9 | n-p-n | 1,5 | 3 | 100 | 0,5 | 5 | 10,0 | >30 | <0,6 | <50 | <100 | >3 | - | <60 | <75 | 150 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов КТ815:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭ max - максимальное напряжение между коллектором и эмиттером при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• IБ max - максимально допустимый постоянный ток базы.
• UЭБ max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база.
• РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКБО - обратный ток коллектора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• СК - емкость коллекторного перехода.
• СЭ - емкость эмиттнрного перехода.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.





















































































































































