- Микросхемы и микросборки
- Транзисторы
- Диоды полупроводниковые
- Стабилитроны и стабисторы
- Тиристоры и динисторы
- Фоточувствительные приборы
-
Силовые полупроводниковые приборы
-
Диоды низкочастотные
-
Диоды лавинные
-
Диоды быстровосстанавливающиеся
-
Тиристоры низкочастотные
-
Тиристоры лавинные
-
Тиристоры быстродействующие
-
Тиристоры высокочастотные
-
Тиристоры оптронные
-
Тиристоры симметричные
-
Тиристоры симметричные оптронные
-
Модули диодные
-
Модули тиристорные
-
Модули диодно-тиристорные
-
Модули оптотиристорные
-
Транзисторы силовые и модули
-
-
Конденсаторы
-
Конденсаторы керамические
-
Конденсаторы бумажные
-
Конденсаторы керамические высоковольтные
-
Конденсаторы оксидно-электролитические
-
Конденсаторы оксидно-полупроводниковые
-
Конденсаторы танталовые объемно-пористые
-
Конденсаторы пленочные и металлопленочные
-
Конденсаторы комбинированные
-
Конденсаторы слюдяные
-
Конденсаторы и фильтры помехоподавляющие
-
Конденсаторы подстроечные
-
Конденсаторы вакуумные
-
- Оптоэлектронные приборы, индикаторы
- Лампы и приборы электровакуумные
- Электровакуумные приборы СВЧ
- Лампы накаливания
- Переключатели, кнопки, тумблеры
- Реле, контакторы
- Разъёмы, соединители электрические
- Трансформаторы, дроссели
- Электромеханические изделия
- Установочные изделия
- Резисторы
- Устройства защиты, предохранители
- Средства связи, телефония
- Электронные компоненты импортные
- Прочее оборудование и материалы
Статьи
Все статьи
21 августа 2026
6Н6П - двойной малогабаритный триод
5 августа 2026
Магнитоуправляемые герметические контакты для работы в РЭА
IRFD110
Артикул:
IRFD110
Номенклатурный номер: 60510
IRFD110
Купить:
51.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о IRFD110
-
+
Цена в зависимости от вида приёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
IRFD110
Транзистор IRFD110 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 1,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,54 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: HD-1 (DIP-4).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.
Транзистор IRFD110 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 1,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,54 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: HD-1 (DIP-4).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
Технические характеристики N-канального полевого транзистора IRFD110:
Наименование транзистора Структура Максимальное
напряжение сток-исток
VDSМаксимальное
напряжение затвор-исток
VGSСопротивление канала в открытом состоянии
RDS(on) при VGS = 4.5/10ВТок стока
ID при T=25°CЗаряд затвора
QgТемпературный
коэффициент
сопротивления
RjcМаксимальная
рассеиваемая
мощность
PdТип корпуса В В mΩ А нКл °C/Вт Вт IRFD110 N-канал 100 20 54.0 1.0 8.3 - 1.3 HD-1 (DIP-4)
Условные обозначения электрических параметров MOSFET транзисторов:
• VDS - Максимальное напряжение сток-исток. Максимальное напряжения сток-исток, которое не вызывает лавинного пробоя с затвором, замкнутым на исток.
• VGS - Максимальное напряжение затвор-исток. Предельно допустимое напряжение между выводами затвора и истока.
• RDS(on) - Максимальное сопротивление сток-исток. Сопротивление открытого канала сток-исток при указанном токе и напряжении затвор-исток.
• ID - Постоянный ток стока. Максимальный уровень непрерывного постоянного тока стока.
• Qg - Заряд затвора. Заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора.
• Rjc - Температурный коэффициент сопротивления кристалл-корпус.
• Pd - Максимальная рассеиваемая мощность транзистора. -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.
- Хиты продаж
- Мы советуем
- Новинки
- По акции
-
Хиты продаж
Быстрый просмотрХиты продаж
Быстрый просмотрХиты продаж
Быстрый просмотрХиты продаж
Быстрый просмотр -
Мы советуем
Быстрый просмотрМы советуем
Быстрый просмотрМы советуем
Быстрый просмотрМы советуем
Быстрый просмотр
