Транзисторы полевые - страница 8
Цена с НДС КП307Г Транзисторы КП307Г кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,5 г. Тип корпуса: КТ-1-12. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.046ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: MFE2001, 2N4216, SMP5103, TMPF5103, TP5103, JF1033Y. Основные технические характеристики транзистора КП307Г: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1,5... 6 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА • Iс нач - Начальный ток стока: не более 6 мА; • S - Крутизна характеристики: 6... 12 мА/В (10В); • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 400 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП307Г К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
198.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П701Б Транзисторы 2П701Б кремниевые эпитаксиально-планарные с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания, переключающих и импульсных устройствах, стабилизаторах и преобразователях напряжения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-57. Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» аА0.339.497ТУ; - приёмка «ОСМ» аА0.339.497ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: MTM475, 2SK762, STM231, 2SK310, IRFJ322, BUZ76A, UFN722. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П701Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
2 244.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП501В Транзисторы КП501В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором, обогащением n-канала. Предназначены для использования в качестве элемента коммутации электрических цепей в аппаратуре средств связи, телефонных аппаратах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.485ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Прототип: ZVN2120. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП501В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 5 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 5 - транзистор средней мощности с максимальной рассеиваемой мощностью от 0,3 до 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 01 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
30.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП103ЛР Транзисторы КП103ЛР кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа подобранные в пары по основным электрическим параметрам: начальному току стока, крутизне характеристики, напряжению отсечки. Предназначены для применения во каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Пары транзисторов КП103ЕР, КП103ЖР, КП103ИР, КП103КР, КП103ЛР, КП103МР дополнительно маркируются синей точкой на верхней части корпуса. Пары упаковываются в тару, исключающую возможность их разукомплектования в процессе транспортировки. Масса транзистора не более 1,0 г. Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ТФ3.365.000ТУ1. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП103ЛР К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 1 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 1 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Л - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; Р - буква обозначает, что транзисторы по электрическим параметрам подобраны в пары. |
252.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П328А-2 Транзисторы 3П328А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с двумя затворами с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 8 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы 3П328А-2, АП328А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой. У транзистора 3П328А-2 на крышке наносится условная маркировка черной точкой. Транзистор 3П328А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,1 г, кристалла не более 0,0002 г. Тип корпуса: КТ-21. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.424 ТУ. Зарубежный аналог: NE46383, MFG1100. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П328А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 28 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП957А Транзистор КП957А n-типа со статической индукцией (БСИТ). Транзисторы кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе. Тип корпуса: КТ-27-2 (TO-126). Масса транзистора не более 1,0 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» - АДБК.432140.351ТУ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП957А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 57 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
54.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П7229Б Транзистор 2П7229Б полевой p-канальный с рассеиваемой мощностью не более 150 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.558ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П7229Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 229 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
2 244.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП723В Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала и встроенным обратносмещенным диодом. КП723В предназначены для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.803ТУ. Срок сохраняемости - 12 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Импортный аналог: IRLZ34, IRFZ40. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП723В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 23 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
162.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП958Б Транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ). Транзисторы КП958Б кремниевые ключевые эпитаксиально-планарные с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией предназначены для применения в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-43-2 (ТО-218). Масса транзистора не более 5,0 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.376ТУ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП958Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 58 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
558.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П904А Транзисторы 2П904А кремниевые пленарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и генераторах в диапазоне частот до 400 МГц. Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 35,0 г. Тип корпуса: КТ-5. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП», «ОСМ». Технические условия: - приёмка «ВП» аА0.339.027ТУ; - приёмка «ОСМ» аА0.339.027ТУ, П0.070.052. Зарубежный аналог: B850-35, BFL175. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П904А: • Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 75 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 90 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 10 А; • Iс нач - Начальный ток стока: не более 350 мА; • Iс ост - Остаточный ток стока: не более 200 мА; • S - Крутизна характеристики: 250... 520 мА/В; • Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 13 дБ на частоте 60 МГц. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П904А 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 04 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 452.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 3П344А-2 Транзисторы 3П344А-2 полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 4 ГГц. Предназначены для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей (в том числе с расширенным динамическим диапазоном) в составе гибридных интегральных микросхем. Транзисторы 3П344А-2, 3П344Б-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими полосковыми выводами и керамической крышкой. На крышку наносится условная маркировка черной точкой. Транзисторы 3П344А-5, 3П344Б-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов. Тип прибора указывается в этикетке. Масса бескорпусного транзистора не более 0,05 г, кристалла не более 0,0006 г. Тип корпуса: КТ-21. Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.725ТУ. Зарубежный аналог: NE72089A, DXL-2704, MGF-1100, MGF-1202, HMF0620, HMF0621, S8831. Срок сохраняемости - 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 50000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 3П344А-2 3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 44 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 2 - цифра, написанная через дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - бескорпусной транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке). |
792.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП306В Транзисторы КП306В кремниевые диффузионно-планарные полевые с двумя изолированными затворами, каналом n-типа и нормированным участком переходной характеристики. Предназначены для применения в преобразовательных и усилительных каскадах высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - ТФ0.336.002ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: MFE121, 2SK182. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП306В К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 06 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
132.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП767Б Транзистор КП767Б мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор. Типовые применения: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.740ТУ. Импортный аналог: IRF630. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП767Б К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 67 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
150.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП802А Транзисторы КП802А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и вертикальным каналом n-типа переключательные. Полевые транзисторы КП802А, КП802Б предназначены для применения в преобразователях постоянного напряжения, быстродействующих переключающих устройствах. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-9 (TO-3). Масса транзистора не более 20,0 г. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.812ТУ. Импортный аналог: 2SK215, IRF420. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП802А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 8 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой от 3 до 300 МГц; 02 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
264.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П909В Транзисторы 2П909В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа. Полевые транзисторы 2П909А, 2П909Б, 2П909В предназначены для применения в усилителях и генераторах с рабочей частотой до 400 МГц, а также в переключающих устройствах. Транзистор 2П909В предназначен для работы в составе гибридных микросхем и используются без фланца. Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 6,0 г. Тип корпуса: КТ-18-2. Вид климатического исполнения: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.244ТУ. Зарубежный аналог: MTP5N05. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П909В: • Структура транзистора: с изолированным затвором и индуцированным n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 40 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 5 А; • S - Крутизна характеристики: 350... 1000 мА/В; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 6 пФ; • С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 60 пФ. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П909Г 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 09 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Г - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 716.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП771А КП771А мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор. Типовые применения следующие: высокочастотные импульсные источники питания, системы преобразователей и инверторов для управления скоростью электродвигателей постоянного и переменного тока, высокочастотные генераторы для индукционного нагрева, ультразвуковые генераторы, звуковые усилители, периферийные устройства для компьютеров, оборудование для телекоммуникаций. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - АДБК.432140.767ТУ. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП771А К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 71 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
306.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П913Б Транзисторы 2П913Б кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Полевые транзисторы 2П913А, 2П913Б, 2П913В, 2П913Г предназначены для усиления и генерирования сигналов в диапазоне частот до 400 МГц в непрерывном и импульсном режимах при напряжении питания не более 45 В, а также для работы в переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения. Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 15,0 г. Тип корпуса: КТ-19-2. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - аА0.339.367ТУ. Зарубежный аналог: DV28120, MTP7N05, MTA7N05, SFN065B, SFN065D. Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления. Гарантийная наработка: - 25000 часов - в режимах и условиях, допускаемых ТУ; - 40000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения. Основные технические характеристики транзистора 2П913Б: • Структура транзистора: с изолированным затвором и n-каналом; • Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 100 Вт; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 50 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 60 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 20 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 14 А; • S - Крутизна характеристики: 1... 2,5 А/В. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П913Б 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 9 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 13 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 584.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС 2П769В Транзистор 2П769В полевой n-канальный переключательный с рассеиваемой мощностью не более 100 Вт и максимальной рабочей частотой до 30 МГц. Транзистор предназначен для применения в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями. Используются в электронной аппаратуре специального назначения. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220). Масса транзистора не более 2,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ВП». Технические условия: - приёмка «5» - АЕЯР.432140.220ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - 25 лет с момента изготовления. Зарубежный аналог: IRF540. Расшифровка условного обозначения полевого транзистора специального назначения: 2П769В 2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 7 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 7 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой не более 3 МГц; 69 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; В - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
1 122.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП307Б1 Транзисторы КП307Б1 кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением. Используются в электронной аппаратуре общего назначения. Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе. Масса транзистора не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (TO-92). Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - аА0.336.046ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 12 лет с момента изготовления. Основные технические характеристики транзистора КП307Б-1: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 1... 5 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 27 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА; • S - Крутизна характеристики: 4... 9 мА/В (10В). Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП307Б1 К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 07 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Б - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу; 1 - цифра, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров. |
36.00 руб.
-
+
|
Цена с НДС КП303Е Транзисторы КП303Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением. Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Тип корпуса: КТ-1-12. Масса транзистора не более 0,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1». Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приёмка «1» - Ц20.336.601ТУ. Гарантийный срок сохраняемости - не менее 10 лет с момента изготовления. Импортный аналог: MFE3006, MPF107. Основные технические характеристики транзистора КП303Е: • Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом; • Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт; • Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: не более 8 В; • Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В; • Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В; • Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В; • Iс - Ток стока (постоянный): 20 мА; • Iс нач - Начальный ток стока: 5...20 мА; • S - Крутизна характеристики: не менее 4 мА/В; • С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ; • С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ; • Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 100 МГц. Расшифровка маркировки полевого транзистора: КП303Е К - буква, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где К - кремниевый транзистор категории качества «ОТК»; П - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где П - полевой транзистор; 3 - буква, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рекомендуемой частотой более 300 МГц; 03 - число, указывающее на порядковый номер разработки полевого транзистора; Е - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу. |
48.00 руб.
-
+
|