2Т385АМ-2

2Т385АМ-2
Транзисторы 2Т385АМ-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в системах памяти ЭВМ герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием на керамическом 2Т385А-2,  и металлическом 2Т385АМ-2 кристаллодержателях.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из нее транзисторов проводить измерения их электрических параметров.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе не более 0,015 г, на металлическом не более 0,004 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - Я53.365.022-02ТУ.
Зарубежный аналог: PN3250.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  - 25000 ч - в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  - 50000 ч - в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т385АМ-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 150;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т385АМ-2
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
3 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 3 - транзистор малой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью не более 0,3 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
85 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу;
М - буква, указывается при модернизации приборов, приводящую к изменению его конструкции или электрических параметров;
2 - цифра, написанная дефис, для обозначений модификаций конструктивного исполнения, где 2 - транзистор с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке).