2Т830Д

2Т830Д
Транзисторы 2Т830Д кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p, переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  - приемка «ВП» аА0.339.139ТУ;
  - приемка «ОСМ» аА0.339.139ТУ, П0.070.052.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 40000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т830Д
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
8 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 8 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой от 3 до 300 МГц;
30 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
Д - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.