2Т9127А

2Т9127А
Транзисторы 2Т9127А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности и генераторах в полосе частот 1,025...1,15 ГГц в схеме ОБ при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Транзисторы содержат согласующие цепи по выходу и входу.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5,0 г.
Тип корпуса: КТ-55.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.691ТУ.
Зарубежный аналог: MSC81550M, MSC1400M, DME500.

Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  - 25000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ;
  - 50000 часов - в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т9127А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 1151 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 38 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 70 мА (65В);
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5,64 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 550 Вт.

Расшифровка условного обозначения биполярного транзистора специального назначения:
2Т9127А
2 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен транзистор и его категорию качества, где 2 - кремниевый транзистор категории качества «ВП», «ОСМ», «ОС»;
Т - буква, определяющая класс или подгруппу полупроводниковых приборов, где Т - биполярный транзистор;
9 - цифра, обозначающая функциональное назначение, где 9 - транзистор большой мощности с максимальной рассеиваемой мощностью более 1,5 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой более 300 МГц;
127 - число, указывающее на порядковый номер разработки транзистора;
А - буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.