- Микросхемы и микросборки
- Транзисторы
- Диоды полупроводниковые
- Стабилитроны и стабисторы
- Тиристоры и динисторы
- Фоточувствительные приборы
-
Силовые полупроводниковые приборы
-
Диоды низкочастотные
-
Диоды лавинные
-
Диоды быстровосстанавливающиеся
-
Тиристоры низкочастотные
-
Тиристоры лавинные
-
Тиристоры быстродействующие
-
Тиристоры высокочастотные
-
Тиристоры оптронные
-
Тиристоры симметричные
-
Тиристоры симметричные оптронные
-
Модули диодные
-
Модули тиристорные
-
Модули диодно-тиристорные
-
Модули оптотиристорные
-
Транзисторы силовые и модули
-
-
Конденсаторы
-
Конденсаторы керамические
-
Конденсаторы бумажные
-
Конденсаторы керамические высоковольтные
-
Конденсаторы оксидно-электролитические
-
Конденсаторы оксидно-полупроводниковые
-
Конденсаторы танталовые объемно-пористые
-
Конденсаторы пленочные и металлопленочные
-
Конденсаторы комбинированные
-
Конденсаторы слюдяные
-
Конденсаторы и фильтры помехоподавляющие
-
Конденсаторы подстроечные
-
Конденсаторы вакуумные
-
- Оптоэлектронные приборы, индикаторы
- Лампы и приборы электровакуумные
- Электровакуумные приборы СВЧ
- Лампы накаливания
- Переключатели, кнопки, тумблеры
- Реле, контакторы
- Разъёмы, соединители электрические
- Трансформаторы, дроссели
- Электромеханические изделия
- Установочные изделия
- Резисторы
- Устройства защиты, предохранители
- Средства связи, телефония
- Электронные компоненты импортные
- Прочее оборудование и материалы
Статьи
Все статьи
21 августа 2026
6Н6П - двойной малогабаритный триод
5 августа 2026
Магнитоуправляемые герметические контакты для работы в РЭА
--
Диоды полупроводниковые
--3И101ГМикросхемы и микросборкиТранзисторыДиоды полупроводниковыеСтабилитроны и стабисторыТиристоры и динисторыФоточувствительные приборыСиловые полупроводниковые приборыКонденсаторыОптоэлектронные приборы, индикаторыЛампы и приборы электровакуумныеЭлектровакуумные приборы СВЧЛампы накаливанияПереключатели, кнопки, тумблерыРеле, контакторыРазъёмы, соединители электрическиеТрансформаторы, дросселиЭлектромеханические изделияУстановочные изделияРезисторыУстройства защиты, предохранителиСредства связи, телефонияЭлектронные компоненты импортныеПрочее оборудование и материалы
3И101Г
Артикул:
3И101Г
Номенклатурный номер: 75499
3И101Г
Купить:
79.00 руб.
Цена с НДС
Спросить о 3И101Г
-
+
В корзинуВ корзине
Поделиться
Цена в зависимости от вида приёмки «ОТК», «ВП», «ОСМ», «ОС» и года выпуска изделия может отличаться от цены интернет-магазина
3И101Г
Диоды 3И101Г арсенидгаллиевые, туннельные, сплавные, усилительные.
Предназначены для применения в высокочастотных усилителях.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на этикетке.
Маркируются условными обозначениями на крышке прибора:
- 3И101А, АИ101А - УА;
- 3И101Б, АИ101Б - УБ;
- 3И101В, АИ101В - УВ;
- 3И101Г - УГ;
- 3И101Д, АИ101Д - УД;
- 3И101Е, АИ101Е - УЕ;
- 3И101Ж - УЖ;
- 3И101И, АИ101И - УИ.
Масса не более 0,15 г.
Категория качества: «ВП»
Технические условия:
- приемка «5» - 3.360.003ТУ.
Гарантийный срок хранения - 25 лет со дня изготовления.
Зарубежный аналог: MA4C533B, MA4C533C.
Расшифровка маркировки туннельного диода:
3И101Г
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен диод и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый туннельный диод категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»;
И - буква, определяющая подкласс или группу, где И - туннельные диоды;
1 - цифра, определяющая основные функциональные возможности, где 1 - усилительные туннельные диоды;
01 - число, обозначающее порядковый номер разработки;
Г - буква, определяющая классификацию по параметрам диода туннельного.
Диоды 3И101Г арсенидгаллиевые, туннельные, сплавные, усилительные.
Предназначены для применения в высокочастотных усилителях.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими выводами.
Тип диода приводится на этикетке.
Маркируются условными обозначениями на крышке прибора:
- 3И101А, АИ101А - УА;
- 3И101Б, АИ101Б - УБ;
- 3И101В, АИ101В - УВ;
- 3И101Г - УГ;
- 3И101Д, АИ101Д - УД;
- 3И101Е, АИ101Е - УЕ;
- 3И101Ж - УЖ;
- 3И101И, АИ101И - УИ.
Масса не более 0,15 г.
Категория качества: «ВП»
Технические условия:
- приемка «5» - 3.360.003ТУ.
Гарантийный срок хранения - 25 лет со дня изготовления.
Зарубежный аналог: MA4C533B, MA4C533C.
Расшифровка маркировки туннельного диода:
3И101Г
3 - цифра, обозначает исходный материал, из которого изготовлен диод и его категорию качества, где 3 - арсенид-галлиевый туннельный диод категории качества «ВП», «ОСМ» или «ОС»;
И - буква, определяющая подкласс или группу, где И - туннельные диоды;
1 - цифра, определяющая основные функциональные возможности, где 1 - усилительные туннельные диоды;
01 - число, обозначающее порядковый номер разработки;
Г - буква, определяющая классификацию по параметрам диода туннельного.
- Характеристики
- Задать вопрос
- Предприятие ВПК России
-
Характеристики
В наличии Нет Тех. характеристики /pdf/diod/3i101_ai101.pdf -
Задать вопросЕсли вам необходима консультация профессионалов или у вас возникли вопросы, обращайтесь в службу поддержки компании.
Вы можете задать вопрос специалистам нашей компании и получить оперативный ответ. -
Предприятие ВПК России
ООО компания «Электроника и связь» - квалифицированный поставщик электронной компонентной базы отечественного и иностранного производства.
Комплектация, поставка и гарантийное обслуживание продукции ВВСТ (вооружений, военной и специальной техники) группы 59 по ЕК 001-2020 - электронные компоненты и радиоэлектронная аппаратура.
Сертификаты: ГОСТ Р ИСО 9001-2015, ГОСТ РВ 0015-002-2020.
В соответствии с постановлением Правительства Российской Федерации от 20 февраля 2004 года N 96 «О сводном реестре организаций оборонно-промышленного комплекса»
ООО компания «Электроника и связь» включена Минпромторгом РФ в сводный реестр предприятий оборонно-промышленного комплекса.
Номер в реестре: 2042.
- Хиты продаж
- Мы советуем
- Новинки
- По акции






























































































































