Электронные компоненты импортные - страница 10

DB3
Тиристор DB3 полупроводниковый, диодный (динистор).
Предназначен для применения в импульсных устройствах в качестве переключающих элементов.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: DO-35.
Масса тиристора: не более 0,15 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

1N4746A
Стабилитроны 1N4746A кремниевые, планарные, мощностью 1 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 18 В в диапазоне токов стабилизации 0,25...14 мА.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитронов не более 0,31 г.
Тип корпуса: DO-41.

IRF510
Транзистор IRF510 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 5,6 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,54 Ом.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

HER307
Диод HER307 выпрямительный кремниевый.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах, инверторах и преобразователях питания с максимально допустимым средним прямым током 3 А.
Выпускается в пластмассовом корпусе типа DO-201AD.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса прибора не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

BTA16-600C
Тиристор BTA16-600C полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления до 16 А.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

4N25
Оптопара 4N25 транзисторная, состоящие из излучающего диода и фототранзисторов.
Предназначена для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 1 г.
Тип корпуса: PDIP-6.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +100 °C.

1.5KE400CA
Ограничительный диод 1.5KE400CA обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
Номинальное напряжение пробоя диода: 400 В.
Тип корпуса: DO-201.

BC557B
Транзисторы BC557B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

1N5349B
Стабилитрон 1N5349B кремниевый, планарный, мощностью 5 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 12 В.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитрона не более 1,0 г.
Тип корпуса: DO-201.

TLP627
Оптопара транзисторная TLP627 состоящая из инфракрасного светодиода и фоторанзистора Дарлингтона на выходе.
Предназначена для коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом в радиоэлектронной аппаратуре.
Тип корпуса: DIP-4.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

BC337-25
Транзисторы BC337-25 кремниевые, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BU508D
Транзисторы BU508D кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, импульсные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFPE40
Транзистор IRFPE40 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 800 В.
Максимальный ток стока: 5,4 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 2,0 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF520
Транзистор IRF520 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 9,2 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,27 Ом.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

AT89C51-24PI
AT89C51-24PI маломощный, высокопроизводительный КМОП 8-разрядный микроконтроллер оснащенный флэш программируемым и стираемым ПЗУ.
Микроконтроллер совместим по системе команд и по выводам со стандартными приборами семейства MCS-51.
Объем флэш ПЗУ - 4 Кбайта, ОЗУ - 128 байтов.
Имеет 32 линий ввода/вывода, два 16-разрядных таймера/счетчика событий, трехуровневую блокировку памяти программ, шесть источников прерываний, программируемый последовательный канал.
Тип корпуса: PDIP-40.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +85 °C.

SR360
Диоды SR360 кремниевые, выпрямительные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 3 А.
Выпускаются в пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода не более 1,1 г.
Тип корпуса: DO-27.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BUT11AX
Транзистор BUT11AX кремниевый, высоковольтный, высокоскоростной, структуры n-p-n.
Предназначен для работы в преобразователях, инверторах, импульсных регуляторах, системах управления двигателем и т. д.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: SOT-186A.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TDA2050
Микросхема TDA2050 представляет собой Hi-Fi усилитель мощности низкой частоты класса АВ с выходной мощностью 32 Вт.
Микросхема обладает минимальным коэффициентом нелинейных искажений и уровнем собственных шумов.
Предназначена для применения в качестве усилителя мощности звуковой частоты в высококачественной звуковоспроизводящей и телевизионной аппаратуре.
При двухполярном питании ±22 вольта, усилитель на TDA2050 обеспечивает бесшумное включение и полное отсутствие фона от сетевого трансформатора.
Встроена тепловая защита, а также защита от короткого замыкания.
Тип корпуса: Pentawatt-V.
Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C.

Технические характеристики микросхемы TDA2050:
- Частотный диапазон: 20 ... 25000 Гц;
- Напряжение питания: от ±5 до ±25 В;
- Пиковое значение выходного тока: 5 А;
- Ток в режиме покоя: 30 ... 55 мА;
- Входное сопротивление: 22 кОм;
- Коэффициент нелинейных искажений: 0,03 %;
- Выходная мощность при коэффициенте гармоник = 0,5% и
   - Uп=36 В, Rн=4 Ом: 28 Вт,
   - Uп=36 В, Rн=8 Ом: 18 Вт,
   - Uп=44 В, Rн=8 Ом: 25 Вт.
- Выходная мощность при коэффициенте гармоник = 10% и
   - Uп=36 В, Rн=4 Ом: 35 Вт,
   - Uп=36 В, Rн=8 Ом: 22 Вт,
   - Uп=44 В, Rн=8 Ом: 32 Вт.

LM555CN
Микросхемы LM555CN представляют собой времязадающую схему (таймер).
Предназначены для формирования импульсов напряжения длительностью от нескольких микросекунд до десятков минут, обнаружения сбоя в импульсной последовательности, обеспечения прецизионной временной выдержки и для применения в стабильных датчиках времени, генераторах импульсов, широтноимпульсных, частотных и фазовых модуляторах, преобразователях напряжения и сигналов, ключевых схемах, исполнительных устройствах в системах управления, контроля и автоматики.
Тип корпуса: DIP-8.
Диапазон рабочих температур: от 0°C до +70°C.

IR2110
Микросхема IR2110 представляет собой драйвер высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с независимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней.
Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом.
Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера.
Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 500В.
Корпус типа: PDIP-14.
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C.