Электронные компоненты импортные - страница 11

LM337T
Микросхема LM337T представляет собой регулируемый стабилизатор отрицательного напряжения.
Микросхема может поддерживать ток в нагрузке более 1,5 А и регулируемое напряжение в диапазоне от -1.2 В до -37 В.
Номинальное выходное напряжение выбирается с помощью резистивного делителя.
Предназначена для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от 0°C до +125°C.

MCR100-8
Тиристор MCR100-8 кремниевый, структуры p-n-p-n.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами.
Тип корпус: TO-92 (TO-226).
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +110 °C.

TOP222YN
Микросхема TOP222YN представляет собой ШИМ-контроллер второго поколения микросхем семейства TOPSwitch.
Предназначена для построения простых и эффективных импульсных источников питания с выходной мощностью 25 Вт.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -40°C до +105°C.

MCR100-6G
Тиристор MCR100-6G кремниевый, структуры p-n-p-n.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами.
Тип корпус: TO-92 (TO-226).
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +110 °C.

78L06
Микросхема 78L06 представляет собой последовательный компенсационный стабилизатор напряжения с фиксируемым выходным напряжением 6 В и выходными токами 0,1 А.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от короткого замыкания.
Корпус: TO-92.
Масса: не более 0,3 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +125 °C.

1N5402
Диод 1N5402 кремниевый, выпрямительный общего назначения.
Предназначен для преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 3 А.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Тип корпуса: DO-201AD.
Масса диода: не более 1,12 г.
Диапазон рабочих температур: от -50 до +150 °C.

SS22
Диоды SS22 выпрямительные с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах с максимально допустимый средним прямым током 2,0 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена полоска.
Корпус: литой пластиковый корпус DO-214AA (SMB).
Упаковка: 12 мм ленты в EIA STD RS-481.
Масса диода не более 0,093 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

1N4729A
Стабилитроны 1N4729A кремниевые, планарные, мощностью 1 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 3,6 В.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитронов не более 0,31 г.
Тип корпуса: DO-41.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

IRF3710
IRF3710 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 57 А.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2SC4793
Транзисторы 2SC4793 кремниевые, планарные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в высококачественных усилителях звуковой частоты.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2N7000
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2N7000 с изолированным затвором, обогащением n-канала.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

FR107
Диод FR107 кремниевый быстровосстанавливающийся.
Предназначен для преобразования напряжения с максимально допустимым средним прямым током 1 А.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Корпус: литой пластиковый корпус DO-41.
Масса диода: не более 0,34 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

P6KE15CA
Защитный двунаправленный диод P6KE15CA обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Номинальное напряжение пробоя диода: 15 В.
Тип корпуса: DO-15.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

IRF4905
Транзистор IRF4905 p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: -55 В.
Максимальный ток стока: -74 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,02 Ом.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BU806
Транзисторы BU806 кремниевые, эпитаксиально-планарные, составные, биполярные (транзисторы Дарлингтона) с ускоряющими диодами, структуры n-p-n.
Пpедназначены для pаботы в выходных каскадах гоpизонтальной pазвеpтки ЭЛТ, узлов и блоков аппаpатуpы шиpокого пpименения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

LM324N
Микросхема LM324N представляет собой четыре операционных усилителя в одном корпусе с общим питанием.
Имеет прямой дифференциальный вход, внутричастотную компенсацию при единичном усилении и защиту от короткого замыкания.
Микросхемы используются в радиоаппаратуре и электронной технике и предназначены для создания радиоэлектронных устройств широкого класса.
Тип корпуса: DIP-14.
Диапазон рабочих температур: от 0°C до +70°C.

1.5KE33A
Ограничительный диод 1.5KE33A обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
Номинальное напряжение пробоя диода: 33 В.
Тип корпуса: DO-201.

RS207
Диодный мост RS207 кремниевый однофазный.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 2 А.
Тип корпуса: RS-2.
Масса: не более 2,74 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

LM3886T
Микросхема LM3886T представляет собой высокопроизводительный усилитель усилитель мощности звуковой частоты (УНЧ) класса АВ.
Микросхема обеспечивает 68 Вт непрерывной средней мощности при нагрузке 4Ω и 38 Вт при нагрузке 8Ω.
Предназначены для создания усилителей мощности звуковой частоты.
LM3886 выпускается в двух вариантах: с минусом питания на корпусе (LM3886T) и с изолированным корпусом (LM3886TF)
Диапазон рабочих температур: 0°C до +150°C.

MUR120
Диод MUR120 кремниевый, ультрабыстрый.
Предназначен для использования в импульсных источниках питания с максимально допустимым средним прямым током 1 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Тип корпуса: DO-41.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.