Электронные компоненты импортные - страница 15

UC3842AN
Микросхема UC3842AN представляет собой ШИМ–контроллер с обратной связью по току и напряжению для управления импульсными источниками вторичного электропитания.
Предназначены для работы в режиме DC-DC (преобразовывает постоянное напряжение одной величины в постоянное напряжение другой) в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.  
Тип корпуса: DIP-8.
Диапазон рабочих температур: 0°C до +70°C.

IR2101
Микросхема IR2101 представляет собой драйвер высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с независимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней.
Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом.
Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера.
Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 600В.
Корпус типа: PDIP-8.
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C.

2N2646
Транзисторы 2N2646 кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные биполярные.
Предназначены для применения в импульсных схемах и таймерных схемах, генераторах импульсов, триггерах, делителях частоты, генераторах релаксационных колебаний, релейных схемах и т. д.
Особенно широко однопереходные транзисторы используются в устройствах управления тиристорами.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

SS9014C
Транзистор SS9014C кремниевый, биполярный, структуры n-p-n.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BD139-10
Транзисторы BD139-10 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

MUR1660CT
Диод MUR1660CT кремниевый, ультрабыстрый.
Предназначен для использования в импульсных источниках питания с максимально допустимым средним прямым током 16 А.
Тип корпуса: TO-220AC.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

PC817C
Оптопара транзисторная PC817C состоящая из инфракрасного светодиода и кремниевого фототранзистора.
Предназначена для коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом в радиоэлектронной аппаратуре.
Тип корпуса: DIP-4.
Диапазон рабочих температур: от -30 до +100 °C.

IRFP450
Транзистор  IRFP450 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 14,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,40 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

1.5KE12A
Ограничительный диод 1.5KE12A обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
Номинальное напряжение пробоя диода: 12 В.
Тип корпуса: DO-201.

FR302
Диод FR302 кремниевый быстровосстанавливающийся.
Предназначен для преобразования напряжения с максимально допустимым средним прямым током 3 А.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Корпус: DO-201AD.
Масса диода: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +125 °C.

BD237
Транзисторы BD237 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса:TO-126 (SOT-32).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

1N4739A
Стабилитроны 1N4739A кремниевые, планарные, мощностью 1 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 9,1 В в диапазоне токов стабилизации 0,5...28 мА.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитронов не более 0,31 г.
Тип корпуса: DO-41.

L7815CV
Микросхема L7815CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением 15,0 В положительной полярности.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от перегрева и встроенную односкатную защиту от перегрузок.
Корпус: TO-220.
Масса: не более 2,5 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +150 °C.

P6KE150A
Защитный однонаправленный диод P6KE150A обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Номинальное напряжение пробоя диода: 150 В.
Тип корпуса: DO-15.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

BD136-16
Транзисторы BD136-16 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC337-40
Транзисторы BC337-40 кремниевые, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFZ24N
Транзистор IRFZ24N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 17 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,07 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

6A8
Диоды 6A8 кремниевые, выпрямительные, общего назначения.
Предназначены для применения преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 1,0 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена полоска.
Корпус: литой пластиковый корпус R-6.
Монтажное положение: любое
Масса диода: не более 1,65 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SA1013
Транзисторы 2SA1013 кремниевые эпитаксиальные структуры p-n-p.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

BC558B
Транзисторы BC558B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.