Электронные компоненты импортные - страница 16

BC327-40
Транзисторы BC327-40 кремниевые, структуры p-n-p, высокочастотные.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных и переключающих устройствах аппаратуры широкого применения.
Транзисторы выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC640
Транзисторы BC640 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF9530
Транзистор  IRF9530 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: -100 В.
Максимальный ток стока: -12,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,30 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF7413
Транзистор IRF7413 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,011 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

LM2576T-ADJ
Микросхема LM2576T-ADJ представляет собой регулируемый импульсный (ШИМ) стабилизатор напряжения.
Имеет широкий диапазон регулируемого выходного напряжения с выходным максимальным током до 3,0 А.
Микросхема имеет тепловую защиту и защиту по выходному току.
Предназначена для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.
Тип корпуса: TO-220-5.
Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C.

BY254
Диоды BY254 кремниевые, выпрямительные, общего назначения.
Предназначены для применения преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 3,0 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена полоска.
Корпус: литой пластиковый корпус DO-201AD (DO-27).
Монтажное положение: любое
Масса диода: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

ATMEGA8-16PU
Микросхема ATMEGA8-16PU представляет собой 8-разрядный AVR-микроконтроллер с внутрисистемно программируемой флэш-памятью емкостью 8 кбайт.
Максимальная тактовая частота: 16 МГц.
Напряжение питания: 4,5-5,5 В.
Корпус: PDIP-28.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +85 °C.

PIC12F675-I/P
Микросхема PIC12F675-I/P представляет собой однокристальный 8-разрядный FLASH CMOS микроконтроллер.
Тип корпуса: DIP-8.

Основные характеристика микроконтроллера PIC12F675-I/P:
• Высокопроизводительная RISC архитектура;
• 35 команд;
• Все команды выполняются за один цикл, кроме команд переходов, выполняемых за два цикла;
• Тактовая частота:
- DC - 20МГц, частота тактового сигнала;
- DC - 200нс, длительность машинного цикла;
• Память:
- 1024 х 14 слов Flash памяти программ;
- 64 х 8 память данных;
- 128 х 8 EEPROM памяти данных;
• Система прерываний;
• 16 аппаратных регистров специального назначения;
• 8-уровневый аппаратный стек;
• Прямой, косвенный и относительный режим адресации.

SS16
Диоды SS16 выпрямительные, SMD, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах с максимально допустимый средним прямым током 1,0 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена полоска.
Корпус: литой пластиковый корпус DO-214AC (SMA).
Упаковка: 12 мм ленты в EIA STD RS-481.
Масса диода не более 0,064 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +125 °C.

HER308
Диод HER308 выпрямительный кремниевый.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах, инверторах и преобразователях питания с максимально допустимым средним прямым током 3 А.
Выпускается в пластмассовом корпусе типа DO-201AD.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса прибора не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

P6KE180A
Защитный однонаправленный диод P6KE180A обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Номинальное напряжение пробоя диода: 180 В.
Тип корпуса: DO-15.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

1N4936
Диод 1N4936 кремниевый выпрямительный быстродействующий.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 150 кГц.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода: не более 0,35 г.
Тип корпуса: DO-41 (DO-204AL).
Диапазон рабочих температур: от -50 до +150 °C.

BT139-800
Тиристор BT139-800 полупроводниковый, симметричный (симистор).
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов.
Тип корпус: SOT-78 (TO-220AB).
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

BT134-600E
Тиристоры BT134-600E полупроводниковые, симметричные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов.
Тип корпус: SOT-82.
Масса тиристора не более 0,8 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

IR2113
МикросхемаIR2113 представляет собой драйвер высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с независимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней.
Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом.
Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера.
Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 600В.
Корпус типа: PDIP-14.
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C.

TOP226Y
Микросхема TOP226Y представляет собой ШИМ-контроллер второго поколения микросхем семейства TOPSwitch.
Предназначена для построения простых и эффективных импульсных источников питания с выходной мощностью 125 Вт.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -40°C до +105°C.

1N4001
Диод 1N4001 кремниевый выпрямительный общего назначения.
Предназначен для преобразования переменного напряжения частотой до 70 кГц.
Цветной полосой обозначен вывод катода.
Тип корпуса: DO-41 (DO-204AL).
Масса диода: не более 0,5 г.

LM7912CT
Микросхема LM7912CT представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением -12,0 В отрицательной полярности.
Предназначена для стабилизации отрицательного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от перегрева и встроенную односкатную защиту от перегрузок.
Корпус: TO-220.
Масса: не более 2,5 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +125 °C.

BUZ80A
BUZ80A n-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом.
Предназначен для работы в телевизионной технике, импульсных блоках питания.
Максимальное напряжение сток-исток: 800 В.
Максимальный ток сток-исток: 3,8 А.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N3055
Транзисторы 2N3055 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: ТО-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +200 °C.