Электронные компоненты импортные - страница 17

BT136-600E
Тиристор BT136-600E полупроводниковый, симметричный (симистор).
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов.
Тип корпус: SOT-78 (TO-220AB).
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

BC817-25
Транзисторы BC817-25 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

1.5KE18CA
Ограничительный диод 1.5KE18CA обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
Номинальное напряжение пробоя диода: 18 В.
Тип корпуса: DO-201.

MC7815CT
Микросхема MC7815CT представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением +15,0 В положительной полярности.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от перегрева и встроенную односкатную защиту от перегрузок.
Корпус: TO-220.
Масса: не более 2,5 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +150 °C.

2N2905A
Транзисторы 2N2905A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Транзисторы рассчитаны на высокую скорость переключения при токе коллектора до 600 мА.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 3 г.
Тип корпуса: TO-39.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

SR560
Диоды SR560 кремниевые, выпрямительные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 5,0 А.
Выпускаются в пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода не более 1,1 г.
Тип корпуса: DO-27.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

SF26
Диоды SF26 кремниевые, супербыстродействующие.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах с максимально допустимый средним прямым током 2,0 А.
Выпускаются в пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Монтажное положение: любое.
Масса диода не более 0,4 г.
Тип корпуса: DO-15.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BD140-16
Транзисторы BD140-16 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

W08M
Диодный мост W08M кремниевый однофазный.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 1,5 А.
Тип корпуса:  литой пластиковый корпус WOM.
Масса: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SA1941
Транзисторы 2SA1941 кремниевые структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Рекомендуется высококачественного усилителя звуковых частот мощностью для 70 Вт.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3P.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFP250N
Транзистор IRFP250N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 30,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,075 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

L7818CV
Микросхема L7818CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением 18,0 В положительной полярности.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от перегрева и встроенную односкатную защиту от перегрузок.
Корпус: TO-220.
Масса: не более 2,5 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +150 °C.

ICL7107CPL
Микросхема ICL7107CPL представляет собой монолитный, аналого-цифровой преобразователями (АЦП) и предназначена для прямого управления светодиодным индикатором с общим анодом.
Имеет высокое входное сопротивление и не требуют дополнительных внешних цепей драйвера индикатора.
Микросхема включает драйверы индикатора полярности сигнала и цифровых разрядов, дешифратор сегментов, источник опорного напряжения (ИОН) и тактовый генератор.
Корпус типа: PDIP-40.
Диапазон рабочих температур: от -65°C до +150°C.

BC327-25
Транзисторы BC327-25 кремниевые, структуры p-n-p, высокочастотные.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных и переключающих устройствах аппаратуры широкого применения.
Транзисторы выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BT139-800E
Тиристор BT139-800E полупроводниковый, симметричный (симистор).
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов.
Тип корпус: SOT-78 (TO-220AB).
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

CNY17-2
Оптопара транзисторная CNY17-21 с высоким выходным напряжением пробоя, с транзисторным выходом.
Предназначена для использования в качестве переключателя в гальванически развязанных электрических цепях радиоэлектронной аппаратуры.
Масса прибора не более 1 г.
Тип корпуса: PDIP-6.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +100 °C.

BTB16-800BW
Тиристор BTB16-800BW полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления до 16 А.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

LM2576HVT-ADJ
Микросхема LM2576HVT-ADJ представляет собой регулируемый импульсный (ШИМ) стабилизатор напряжения.
Имеет широкий диапазон регулируемого выходного напряжения с выходным максимальным током до 3,0 А.
Микросхема имеет тепловую защиту и защиту по выходному току.
Предназначена для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.
Тип корпуса: TO-220-5.
Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C.

2N7002
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2N7002 с изолированным затвором, обогащением n-канала.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: SOT-23-3L.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

ATMEGA8A-AU
Микросхема ATMEGA8A-AU представляет собой 8-разрядный CMOS-микроконтроллер с внутрисистемно программируемой флэш-памятью емкостью 8 кбайт.
Максимальная тактовая частота: 16 МГц.
Напряжение питания: 2,7-5,5 В.
Корпус: TQFP-32.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +85 °C.