Электронные компоненты импортные - страница 18

L7808CV
Микросхема L7808CV представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением 8,0 В положительной полярности.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от перегрева и встроенную односкатную защиту от перегрузок.
Корпус: TO-220.
Масса: не более 2,5 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +150 °C.

SF16
Диоды SF16 кремниевые, супербыстродействующие.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах с максимально допустимый средним прямым током 1,0 А.
Выпускаются в пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Монтажное положение: любое.
Масса диода не более 0,34 г.
Тип корпуса: DO-41.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +125 °C.

MOC3052M
Оптопара симисторная MOC3052M состоящая из излучающего инфракрасного диода (AlGaAs) оптически связанного с симистором.
Оптосимистор предназначен для бесконтактной коммутации постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Тип корпуса: DIP-6.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +100 °C.

ATMEGA128-16AI
Микросхема ATMEGA128-16AI представляет собой 8-разрядный AVR-микроконтроллер с внутрисистемно программируемой флэш-памятью емкостью 128 кбайт.
Производительность до 16 млн. операций в секунду при тактовой частоте 16 МГц.
Напряжение питания: 4,5-5,5 В.
Максимальная тактовая частота: 16 МГц.
Корпус: TQFP-64.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +85 °C.

LM258N
Микросхема LM258N представляет собой два независимых, частотно-компенсированных операционных усилителя с высоким коэффициентом усиления
Предназначены для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения от одного или сдвоенного источника питания в широком диапазоне напряжений.
Тип корпуса: DIP-8.
Диапазон рабочих температур: от -25°C до +85°C.

UF5408
Диод UF5408 кремниевый, ультрабыстродействующий.
Предназначен для преобразования напряжения с максимально допустимым средним прямым током 3 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Монтажное положение: любое
Тип корпуса:  литой пластиковый корпус DO-201AD.
Масса: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFZ46N
Транзистор IRFZ46N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 53 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 16,5 mΩ.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

TOP227YN
Микросхема TOP227YN представляет собой ШИМ-контроллер второго поколения микросхем семейства TOPSwitch.
Предназначена для построения простых и эффективных импульсных источников питания с выходной мощностью 150 Вт.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -40°C до +105°C.

1N5820
Диоды 1N5820 кремниевые, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 3 А.
Выпускаются в  литом пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода не более 1,1 г.
Тип корпуса: DO-201AD.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +125 °C.

ULN2003A
Микросхема ULN2003A представляет собой набором мощных составных ключей (7 транзисторов Дарлингтона) для применения в цепях индуктивных нагрузок.
Предназначена для управления нагрузкой значительной мощности, включая электромагнитные реле, двигатели постоянного тока, электромагнитные клапаны, в схемах управления различными шаговыми двигателями и другие.
Тип корпуса: SO-16.
Диапазон рабочих температур: -20°C до +85°C.

LM2901N
Микросхема LM2901N представляет собой четыре независимых компаратора напряжения.
Совместимы TTL, DTL, ECL, MOS, CMOS уровнями.
Микросхемы используются в радиоаппаратуре и электронной технике и предназначены для создания радиоэлектронных устройств широкого класса.
Тип корпуса: DIP-14.
Диапазон рабочих температур: от -40°C до +125°C.

RL205
Диод RL205 выпрямительный кремниевый общего назначения.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 2 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Тип корпуса: DO-15.
Масса прибора не более 0,4 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

BD436
Транзисторы BD436 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

SS34
Диоды SS34 выпрямительные с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах с максимально допустимый средним прямым током 3,0 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена полоска.
Корпус: литой пластиковый корпус DO-214AB (SMC).
Масса диода не более 0,25 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

78L15
Микросхема 78L15 представляет собой последовательный компенсационный стабилизатор напряжения с фиксируемым выходным напряжением 15 В и выходными токами 0,1 А.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от короткого замыкания.
Корпус: TO-92.
Масса: не более 0,3 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +125 °C.

BC557C
Транзисторы BC557C кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

1.5KE300A
Ограничительный диод 1.5KE300A обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
Номинальное напряжение пробоя диода: 300 В.
Тип корпуса: DO-201.

IRFP9140
Транзистор IRFP9140 p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: -100 В.
Максимальный ток стока: -21,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,2 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

1N5401
Диод 1N5401 кремниевый, выпрямительный общего назначения.
Предназначен для преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 3 А.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Тип корпуса: DO-201AD.
Масса диода: не более 1,12 г.
Диапазон рабочих температур: от -50 до +150 °C.

1.5KE100CA
Ограничительный диод 1.5KE100CA обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
Номинальное напряжение пробоя диода: 100 В.
Тип корпуса: DO-201.