Электронные компоненты импортные - страница 28

1.5KE22CA
Ограничительный диод 1.5KE22CA обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
Номинальное напряжение пробоя диода: 22 В.
Тип корпуса: DO-201.

IRF9Z34N
Транзистор IRF9Z34N мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -55 В.
Максимальный ток стока: -19 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,10 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

LM393N
Микросхема LM393N представляет собой два независимых компаратора напряжения.
Микросхема может работать как от однополярного источника питания в широком диапазоне напряжений, так и от двухполярного источника.
Предназначены для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения от одного или сдвоенного источника питания в широком диапазоне напряжений.
Тип корпуса: DIP-8.
Диапазон рабочих температур: от 0°C до +70°C.

P6KE39A
Защитный однонаправленный диод P6KE39A обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Номинальное напряжение пробоя диода: 39 В.
Тип корпуса: DO-15.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

MCR100-8G
Тиристор MCR100-8G кремниевый, структуры p-n-p-n.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами.
Тип корпус: TO-92 (TO-226).
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +110 °C.

SR840
Диоды SR840 кремниевые, выпрямительные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 8,0 А.
Выпускаются в пластиковом корпусе корпусе.
Масса диода не более 2,24 г.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

1N5363B
Стабилитрон 1N5363B кремниевый, планарный, мощностью 5 Вт.
Предназначены для стабилизации постоянного напряжения источников питания и другой электронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитрона не более 1,0 г.
Тип корпуса: DO-201.
Диапазон рабочих температур: от -50 до +150 °C.

1N4935
Диод 1N4935 кремниевый выпрямительный быстродействующий.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 150 кГц.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода: не более 0,35 г.
Тип корпуса: DO-41 (DO-204AL).

1.5KE30A
Ограничительный диод 1.5KE30A обеспечивает высокую защиту от перенапряжения.
Диод предназначен для защиты чувствительного электронного оборудования от переходных процессов напряжения вызванных молнией и другими событиями переходного напряжения.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Номинальное напряжение пробоя диода: 30 В.
Тип корпуса: DO-201.
Масса: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

IR2153S
Микросхема IR2153S представляет собой высоковольтный, высокоскоростной драйвер МОП-транзисторов и IGBT-транзисторов с выходными каналами нижнего и верхнего уровней.
Это улучшенная версия драйвера IR2155 и IR2151, которая содержит драйвер высоковольтного полумоста с генератором аналогичным промышленному таймеру К1006ВИ1.
Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня до 600В.
Корпус типа: SOIC-8.
Диапазон рабочих температур: от -55°C до +150°C.

DS18B20
Микросхема DS18B20 представляет собой цифровой термодатчик с однопроводным интерфейсом 1-Wire и обеспечивает получение 9-12 битных температурных отсчетов, отражающих температуру устройства.
Микросхема измеряет температуру от -55°C до +125°C с шагом в 0,5°C.
Корпус типа: TO-92.

DB104S
DB104S диодный мост на ток да 1 А.
Выпускаются в литых пластмассовых корпусах с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка и схема соединения злектродов с выводами приводятся на корпусе.
Монтажное положение: любое.
Масса: не более 1,0 г.
Тип корпуса: DB-1S.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BTA06-600C
Тиристор BTA06-600C полупроводниковый, симметричный (симистор).
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

1N5347B
Стабилитрон 1N5347B кремниевый, планарный, мощностью 5 Вт.
Предназначены для стабилизации постоянного напряжения источников питания и другой электронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитрона не более 1,0 г.
Тип корпуса: DO-201.
Диапазон рабочих температур: от -50 до +150 °C.

1N4763A
Стабилитроны 1N4763A кремниевые, планарные, мощностью 1 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 91 В в диапазоне токов стабилизации 0,25...2,8 мА.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитронов не более 0,31 г.
Тип корпуса: DO-41.

TLP621GB
Оптопара транзисторная TLP621GB состоящая из инфракрасного светодиода и кремниевого n-p-n фоторанзистора.
Предназначена для коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом в радиоэлектронной аппаратуре.
Тип корпуса: DIP-4.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

MC7805BT
Микросхема MC7805BT представляет собой стабилизатор напряжения с выходным напряжением +5,0 В положительной полярности.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от перегрева и встроенную односкатную защиту от перегрузок.
Корпус: TO-220.
Масса: не более 2,5 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +150 °C.

LM1117T-3.3
МикросхемаLM1117T-3.3 представляет собой линейный стабилизатор с малым падением напряжения.
Микросхема может поддерживать ток в нагрузке до 800 мА и с фиксированным выходным напряжением 3,3 В.
Предназначена для работы в блоках питания радиоэлектронной аппаратуры.
Тип корпуса:TO-220.
Диапазон рабочих температур: от 0°C до +125°C.

HER104
Диод HER104 выпрямительный кремниевый.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах, инверторах и преобразователях питания с максимально допустимым средним прямым током 1 А.
Выпускается в пластмассовом корпусе типа DO-204AL (DO-41).
Обозначение прибора приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса прибора не более 0,34 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C

W02M
Диодный мост W02M кремниевый однофазный.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 1,5 А.
Тип корпуса:  литой пластиковый корпус WOM.
Масса: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.