Электронные компоненты импортные - страница 4

KBU6M
Диодный мост KBU6M кремниевый однофазный.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 6 А.
При работе диодный мост KBU6 должен быть установлен на теплоотвод (радиатор) для обеспечения необходимого теплового режима.
Тип корпуса:  KBU.
Диапазон рабочих температур: от -50 до +150 °C.

Основные технические характеристики:
Максимальное постоянное обратное напряжение ........ 1000 В;
Максимальное импульсное обратное напряжение ........ 1000 В;
Максимальный прямой (выпрямленный за полупериод) ток ........ 6 А;
Максимальный допустимый прямой импульсный ток ........ 200 А.

SS18
Диоды SS18 выпрямительные, SMD, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах с максимально допустимый средним прямым током 1,0 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена полоска.
Корпус: литой пластиковый корпус DO-214AC (SMA).
Упаковка: 12 мм ленты в EIA STD RS-481.
Масса диода не более 0,064 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +125 °C.

LM723CN
Микросхема LM723CN представляет собой интегральный стабилизатор с регулируемым выходным напряжением и схемой защиты от перегрузки.
Предназначена для использования в блоках питания в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.
Тип корпуса: DIP-14.
Диапазон рабочих температур: 0°C до +70°C.

BTA40-600B
Тиристор BTA40-600B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления до 40 А.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: RD-91.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

BAV99
Диод BAV99 кремниевый быстродействующий переключающий в корпусе SOT23.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.
Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB).

2N5401
Транзисторы 2N5401 кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в коммутирующих устройствах, усилителях общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF820
Транзистор IRF820 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 2,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 3,0 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFZ44
Транзистор IRFZ44 N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В.
Максимальный ток стока: 50 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,028 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2SC5388
Транзисторы 2SC5388 кремниевые структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных, переключающих и усилительных устройствах.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц.
Максимальная рассеиваемая мощность:  50 Вт
Тип корпуса: TO-3PML.
Диапазон рабочих температур: от -60 до +150 °C.

2SC5200
Транзисторы 2SC5200 кремниевые структуры n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Подходит для использования в высококачественных усилителях звуковой частоты мощностью до 100 Вт.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3P.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

MBR20100CT
Диод MBR20100CT сборка из двух диодов Шоттки на напряжение до 100 В и ток до 20 А.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

78L09
Микросхема 78L09 представляет собой последовательный компенсационный стабилизатор напряжения с фиксируемым выходным напряжением 9 В и выходными токами 0,1 А.
Предназначена для стабилизации положительного фиксированного напряжения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Имеет встроенную защиту от короткого замыкания.
Корпус: TO-92.
Масса: не более 0,3 г.
Диапазон рабочих температур: от 0 до +125 °C.

1N4734A
Стабилитроны 1N4734A кремниевые, планарные, мощностью 1 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 5,6 В в диапазоне токов стабилизации 1...45 мА.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитронов не более 0,31 г.
Тип корпуса: DO-41.

IRFZ46
Транзистор IRFZ46 N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 50 В.
Максимальный ток стока: 50 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,024 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BTA12-600C
Тиристор BTA12-600C полупроводниковый, симметричный (симистор).
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

BUZ11
BUZ11 n-канальный MOSFET-транзистор.
Предназначен для работы в преобразователях, инверторах, импульсных регуляторах, системах управления двигателем, системы преобразователей и инверторов.
Максимальное напряжение сток-исток: 50 В.
Максимальный ток сток-исток: 30 А.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -25 до +125 °C.

UF5406
Диод UF5406 кремниевый, ультрабыстродействующий.
Предназначен для преобразования напряжения с максимально допустимым средним прямым током 3 А.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Монтажное положение: любое
Тип корпуса:  литой пластиковый корпус DO-201AD.
Масса: не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TOP222Y
Микросхема TOP222Y представляет собой ШИМ-контроллер второго поколения микросхем семейства TOPSwitch.
Предназначена для построения простых и эффективных импульсных источников питания с выходной мощностью 25 Вт.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -40°C до +105°C.

TDA7269A
Микросхема TDA7269A представляет собой высококачественный двухканальный усилитель низкой частоты в классе АВ мощностью 14+14 Вт.
Микросхема обладает минимальным коэффициентом нелинейных искажений и уровнем собственных шумов.
Предназначена для применения в качестве усилителя мощности звуковой частоты в музыкальных центрах, телевизорах и другой высококачественной Hi-Fi звуковой и аудио аппаратуре.
Тип корпуса: Multiwatt15.
Диапазон рабочих температур: -40°C до +150°C.

BT169G
Тиристор BT169G полупроводниковый, триодный.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов устройств коммутации напряжения малыми управляющими сигналами.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип корпуса: ТО-92.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.