Электронные компоненты импортные - страница 9

LM741CN
Микросхема LM741CN представляет собой универсальный операционный усилитель.
Имеет высокий коэффициент усиления и широкий диапазон рабочего напряжения.
Предназначена для использования в блоках питания в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.  
Тип корпуса: DIP-8.
Диапазон рабочих температур: 0°C до +70°C.

BTB12-600B
Тиристор BTB12-600B полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления до 12 А.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

RS206
Диодный мост RS206 кремниевый однофазный.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 2 А.
Тип корпуса: RS-2.
Масса: не более 2,74 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

KBPC2506
Диодный мост KBPC2506 однофазный предназначен для работы в выпрямительных схемах, инверторах и преобразователях питания с максимально допустимым средним прямым током 25 А.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами для монтажа на печатную плату.
Тип моста и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Тип корпуса: KBPC25.
Масса: не более 31,6 г.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC107
Транзисторы BC107 кремниевые структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SA1015
Транзисторы 2SA1015 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

TIP35C
Транзисторы TIP35C биполярные, кремниевые, планарные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для использования в усилителях и переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP9240
Транзистор IRFP9240 p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: -200 В.
Максимальный ток стока: -12,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,5 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC847C
Транзисторы BC847C кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF630
Транзистор IRF630 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 9,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,4 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BTB16-600BW
Тиристор BTB16-600BW полупроводниковый, симметричный (симистор) для коммутации переменного тока и управления до 16 А.
Предназначен для применения в качестве переключающих элементов для устройств автоматического регулирования и коммутации цепей силовой автоматики.
Маркировка тиристора указывается на корпусе.
Тип корпус: TO-220AB.
Масса тиристора не более 2,0 г.
Диапазон рабочих температур: от -40 до +125 °C.

1N4937
Диод 1N4937 кремниевый выпрямительный быстродействующий.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 150 кГц.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода: не более 0,35 г.
Тип корпуса: DO-41 (DO-204AL).

TLP521-1GB
Оптопара транзисторная TLP521-1GB состоящая из инфракрасного светодиода и кремниевого n-p-n фототранзистора.
Предназначена для коммутации цепей постоянного тока с гальванической развязкой между входом и выходом в радиоэлектронной аппаратуре.
Тип корпуса: DIP-4.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

HER305
Диод HER305 выпрямительный кремниевый.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах, инверторах и преобразователях питания с максимально допустимым средним прямым током 3 А.
Выпускается в пластмассовом корпусе типа DO-201AD.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса прибора не более 1,2 г.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

SR5100
Диоды SR5100 кремниевые, выпрямительные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 5,0 А.
Выпускаются в пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода не более 1,1 г.
Тип корпуса: DO-27.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

KBL406
Диодный мост KBL406 кремниевый однофазный.
Предназначен для работы в выпрямительных схемах с максимально допустимым средним прямым током 4 А.
Тип корпуса: KBL.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

IRF640
Транзистор IRF640 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 18,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,18 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BZX55C12
Стабилитроны BZX55C12 кремниевые, планарные, мощностью 0,5 Вт.
Предназначены для стабилизации номинального напряжения 12 В в диапазоне токов стабилизации 1...5 мА.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Для обозначения полярности стабилитрона используется условная маркировка - кольцевая полоса со стороны катодного вывода.
Масса стабилитронов не более 0,125 г.
Тип корпуса: DO-35.

TL494CN
Микросхема TL494CN представляет собой ШИМ-контролер импульсного источника питания.
Встроенный генератор пилообразного напряжения требует для установки частоты только два внешних компонента R и С.
Микросхема содержит два усилителя ошибки, внутренний регулируемый генератор, (DTC) управляемый компаратор временной задержки, импульсно управляемый переключатель, источник опорного напряжения 5 В, контроль выходной цепи.
Предназначены для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.  
Тип корпуса: DIP-16.
Диапазон рабочих температур: 0°C до +70°C.

TL072CP
Микросхемы TL072CP представляют собой малошумящие быстродействующие операционные усилители с полевыми транзисторами на входе (J-FET).
Предназначены для работы в радиоаппаратуре и электронной технике широкого применения.  
Тип корпуса: DIP-8.
Диапазон рабочих температур: 0°C до +70°C.