Транзисторы - страница 10

IRL2505
Транзистор IRL2505 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 104 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,008 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

ST13007
Транзисторы ST13007 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, переключательные.
Транзисторы предназначены для использования в качестве ключевых элементов в состав электронных пускорегулирующих аппаратов и сетевых источников вторичного электропитания.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC550B
Транзисторы BC550B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TIP142
Транзисторы TIP142 биполярные, кремниевые, планарные, структуры n-p-n, составные (транзисторы Дарлингтона), усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFZ34N
Транзистор IRFZ34N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 30 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,035 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

TIP147
Транзисторы TIP147 биполярные, кремниевые, планарные, структуры p-n-p, составные (транзисторы Дарлингтона), усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC858A
Транзисторы BC858A кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SC2078
Транзисторы 2SC2078 кремниевые планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и драйверах усиления.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Максимальная рассеиваемая мощность: 10 Вт.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SA1695
Транзисторы 2SA1695 кремниевые планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3P.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF3415
Транзистор IRF3415 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 150 В.
Максимальный ток стока: 43 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,042 Ом.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2N3440
Транзисторы 2N3440 кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в корпусе не более 2 г.
Тип корпуса: ТО-39.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +200 °C.

2N3772
Транзисторы 2N3772 кремниевые планарные структуры n-p-n.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г.
Тип корпуса: TO-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP260
Транзистор IRFP260 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 46,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,055 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BCP54-16
Транзисторы BCP54-16 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, среднeй мощности.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа (SMD).
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-223.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

TIP32C
Транзисторы TIP32C биполярные, кремниевые, планарные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для использования в усилителях и переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC857B
Транзисторы BC857B кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

SS8550C
Транзистор SS8550C кремниевый, биполярный, структуры p-n-p для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC857C
Транзисторы BC857C кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TIP107
Транзисторы TIP107 биполярные, кремниевые, планарные, структуры p-n-p, составные (транзисторы Дарлингтона), усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BU2508AX
Транзистор BU2508AX кремниевый, диффузионный, биполярный, структуры n-p-n.
Предназначен для работы в высоковольтных ключевых системах телевизионных приемников и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.  
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-3P.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.