Транзисторы - страница 11

BD139
Транзисторы BD139 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N4403
Транзисторы 2N4403 кремниевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BU508AF
Транзисторы BU508AF кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, импульсные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-3PML.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP150
Транзистор IRFP150 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 41,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,055 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF2807
IRF2807 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 75 В.
Максимальный ток стока: 82 А.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BD677
Кремниевый, биполярный, составной транзистор (транзистор Дарлингтона).
Транзистор BD677 предназначен для работы в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFBC30A
Транзистор IRFBC30A мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях.  
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 3,6 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 2,2 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

TIP127
Транзисторы TIP127 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BFR92A
Транзисторы BFR92A кремниевые, биполярные, планарные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и ВЧ-генераторах.
Выпускаются в пластмассовых корпусах с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SC3807
Транзисторы 2SC3807 кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-126LP.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BD437
Транзисторы BD437 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC847A
Транзисторы BC847A кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BU2520AX
Транзистор BU2520AX кремниевый, диффузионный, биполярный, структуры n-p-n, с высокой скоростью переключения.
Предназначен для работы в горизонтальных схемах отклонения телевизионных приемников.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5,88 г.
Тип корпуса: SOT-399.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP350
Транзистор IRFP350 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 400 В.
Максимальный ток стока: 16,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,30 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SA1492
Транзисторы 2SA1492 кремниевые планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3P.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BD435
Транзисторы BD435 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFP450A
Транзистор IRFP450A n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 14,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,40 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC107B
Транзисторы BC107B кремниевые структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N4401
Транзисторы 2N4401 кремниевые структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: ТО-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC856B
Транзисторы BC856B кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.