Транзисторы - страница 12

BUZ90A
BUZ90A n-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом.
Предназначен для работы в телевизионной технике, импульсных блоках питания, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 4,0 А.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC549B
Транзисторы BC549B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BU2508DF
Транзистор BU2508DF кремниевый, диффузионный, биполярный.
Предназначен для работы в высоковольтных ключевых системах телевизионных приемников и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в пласмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-199.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BD679
Кремниевый, биполярный, составной транзистор (транзистор Дарлингтона).
Транзистор BD679 предназначен для работы в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

MPSA92
Транзисторы MPSA92 биполярные, кремниевые, структуры p-n-p, высоковольтные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.  
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BSP52
Транзисторы BSP52 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, составные (транзистор Дарлингтона).
Предназначены для применения в промышленной аппаратуре с высоким коэффициентом усиления.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-223.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BD138-16
Транзисторы BD138-16 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BU208D
Транзисторы BU208D кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, импульсные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: ТО-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

BU941ZP
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор (транзистор Дарлингтона) с интегральными демпфирующим диодами, структуры n-p-n.
Транзистор BU941ZP предназначен для работы в схемах электронного управления зажигания, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

2N3019
Транзисторы 2N3019 кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: TO-39.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

BU2508D
Транзистор BU2508D кремниевый, диффузионный, биполярный, структуры n-p-n.
Предназначен для работы в высоковольтных ключевых системах телевизионных приемников и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.  
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-3PN.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TIP31A
Транзисторы TIP31A биполярные, кремниевые, планарные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для использования в усилителях и переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC109B
Транзисторы BC109B кремниевые структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC337-16
Транзисторы BC337-16 кремниевые, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRL3713
Транзистор IRL3713 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В.
Максимальный ток стока: 260 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,01 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF2804
IRF2804 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 40 В.
Максимальный ток стока: 75 А.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2SC1383
Транзисторы 2SC1383 кремниевые структуры n-p-n.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях мощности и драйверах усиления.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF630N
Транзистор IRF630N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 9,3 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,4 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BC857A
Транзисторы BC857A кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N5415
Транзисторы 2N5415 кремниевые эпитаксиальные биполярные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в коммутирующих устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Тип корпуса: TO-39.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.