Транзисторы - страница 13

IRF5210
Транзистор IRF4905 p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -100 В.
Максимальный ток стока: -40 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,06 Ом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

SS9014D
Транзистор SS9014D кремниевый, биполярный, структуры n-p-n.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFZ40
Транзистор IRFZ40 N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В.
Максимальный ток стока: 50 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,028 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF3205PBF
IRF3205PBF n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 110 А.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BU508DX
Транзисторы BU508DX кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, импульсные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-3PML.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC858B
Транзисторы BC858B кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFBC40A
Транзистор IRFBC40A мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 6,2 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,2 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

TIP126
Транзисторы TIP126 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SC2928
Транзисторы 2SC2928 кремниевые структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3.
Диапазон рабочих температур: от -45 до +150 °C.

SS9012H
Транзистор SS9012H кремниевый, биполярный, структуры p-n-p для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC808-40
Транзисторы BC808-40 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC846A
Транзисторы BC846A кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BU508AX
Транзисторы BU508AX кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, импульсные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-399.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF9520
Транзистор IRF9520 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -100 В.
Максимальный ток стока: -6,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,60 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BSP50
Транзисторы BSP50 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, составные (транзистор Дарлингтона).
Предназначены для применения в промышленной аппаратуре с высоким коэффициентом усиления.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-223.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC108B
Транзисторы BC108B кремниевые структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N3771
Транзисторы 2N3771 кремниевые планарные структуры n-p-n.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г.
Тип корпуса: TO-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP360
Транзистор IRFP360 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 400 В.
Максимальный ток стока: 23,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,20 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SC3357
Транзисторы 2SC3357 кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в малошумящих усилителях VHF, UHF и CATV диапазона.
Имеет большой динамический диапазон и хорошую характеристику.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-89.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

TIP121
Транзисторы TIP121 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры n-p-n, составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.