Транзисторы - страница 14

BUX98A
Транзисторы BUX98A кремниевые планарные структуры n-p-n.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г.
Тип корпуса: TO-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +200 °C.

SS9014A
Транзистор SS9014A кремниевый, биполярный, структуры n-p-n.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF9Z24N
Транзистор IRF9Z24N мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -55 В.
Максимальный ток стока: -12 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,175 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF7105
Транзистор IRF7105 это сборка из двух полевых транзисторов, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в регуляторах, преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

TIP125
Транзисторы TIP125 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, составные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях постоянного тока, преобразователях напряжения, ключевых схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

SS9012G
Транзистор SS9012G кремниевый, биполярный, структуры p-n-p для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF9Z34
Транзистор IRF9Z34 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

MMBT2222A
Транзисторы MMBT2222A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Тип корпуса:  SOT-23.

Основные технические характеристики транзистора MMBT2222A:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Постоянная рассеиваемая мощность: 350 мВт;
• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 300 МГц;
• Максимальное напряжение коллектор-база: 75 В;
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 40 В;
• Статический коэффициент передачи тока: не менее 100.

BD138
Транзисторы BD138 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BD680A
Кремниевый, биполярный, составной транзистор (транзистор Дарлингтона).
Транзистор BD680A предназначен для работы в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2N2647
Транзисторы 2N2647 кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные биполярные.
Предназначены для применения в импульсных схемах и таймерных схемах, генераторах импульсов, триггерах, делителях частоты, генераторах релаксационных колебаний, релейных схемах и т. д.
Особенно широко однопереходные транзисторы используются в устройствах управления тиристорами.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

TIP41C
Транзисторы TIP41C биполярные, кремниевые, планарные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для использования в усилителях и переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

MMBTA42
Транзисторы MMBTA42 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высоковольтные с защитой от перенапряжения.
Тип корпуса:  SOT-23.

Основные технические характеристики транзистора MMBTA42:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Постоянная рассеиваемая мощность: 300 мВт;
• Граничная частота коэффициента передачи тока: не менее 50 МГц;
• Максимальное напряжение коллектор-база: 300 В;
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 300 В;
• Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Статический коэффициент передачи тока: не менее 30.

IRF7303
Транзистор IRF7303 мощный, 2-х n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2N4402
Транзисторы 2N4402 кремниевые структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF6216
Транзистор IRF6216 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -150 В.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2N3439
Транзисторы 2N3439 кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в корпусе не более 2 г.
Тип корпуса: ТО-39.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +200 °C.

2N3773G
Транзисторы 2N3773G кремниевые структуры n-p-n.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 22 г.
Тип корпуса: TO-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +200 °C.

2N5400
Транзисторы 2N5400 кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в коммутирующих устройствах, усилителях общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N5415
Транзисторы 2N5415 кремниевые эпитаксиальные биполярные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в коммутирующих устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Тип корпуса: TO-39.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.