Транзисторы - страница 2

2N2907A
Транзисторы 2N2907A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Транзисторы рассчитаны на высокую скорость переключения при токе коллектора до 600 мА.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

BD140
Транзисторы BD140 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SC2335
Транзисторы 2SC2335 кремниевые структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Идеально подходит для использования в качестве драйвера устройства, такие
как импульсные регуляторы, преобразователи постоянного тока.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFP2907
Транзистор IRFP2907 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 75 В.
Максимальный ток стока: 209,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 4,5 mΩ.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC639
Транзисторы BC639 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N2222A
Транзисторы 2N2222A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы рассчитаны на высокую скорость переключения при токе коллектора до 500 мА.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

IRFD120
Транзистор IRFD120 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 1,3 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,27 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: HD-1 (DIP-4).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2SD2499
Транзисторы 2SD2499 кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в строчной развертке цветных телевизоров.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3PML.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

MJE13005
Транзисторы MJE13005 биполярные, кремниевые, структуры n-p-n, переключательные.
Транзисторы предназначены для использования в качестве ключевых элементов в состав электронных пускорегулирующих аппаратов и сетевых источников вторичного электропитания.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BUZ90
BUZ90 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом.
Предназначен для работы в телевизионной технике, импульсных блоках питания, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 4,0 А.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SA733
Транзисторы 2SA733 кремниевые структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

2N5401
Транзисторы 2N5401 кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в коммутирующих устройствах, усилителях общего назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF820
Транзистор IRF820 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 2,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 3,0 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFZ44
Транзистор IRFZ44 N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 60 В.
Максимальный ток стока: 50 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,028 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2SC5388
Транзисторы 2SC5388 кремниевые структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных, переключающих и усилительных устройствах.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц.
Максимальная рассеиваемая мощность:  50 Вт
Тип корпуса: TO-3PML.
Диапазон рабочих температур: от -60 до +150 °C.

2SC5200
Транзисторы 2SC5200 кремниевые структуры n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Подходит для использования в высококачественных усилителях звуковой частоты мощностью до 100 Вт.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-3P.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFZ46
Транзистор IRFZ46 N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 50 В.
Максимальный ток стока: 50 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,024 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BUZ11
BUZ11 n-канальный MOSFET-транзистор.
Предназначен для работы в преобразователях, инверторах, импульсных регуляторах, системах управления двигателем, системы преобразователей и инверторов.
Максимальное напряжение сток-исток: 50 В.
Максимальный ток сток-исток: 30 А.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -25 до +125 °C.

BDX53C
Транзисторы BDX53C кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, составные (транзистор Дарлингтона), усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: ТО-220.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SC4242
Транзисторы 2SC4242 кремниевые структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных, переключающих и усилительных устройствах.
Тип транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.