Транзисторы - страница 4

BU941ZPFI
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор (транзистор Дарлингтона) с интегральными демпфирующим диодами, структуры n-p-n.
ТранзисторBU941ZPFI предназначен для работы в схемах электронного управления зажигания, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: ТО-3PML.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

BD135-16
Транзисторы BD135-16 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFPE50
Транзистор IRFPE50 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 800 В.
Максимальный ток стока: 7,8 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,2 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC107
Транзисторы BC107 кремниевые структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SA1015
Транзисторы 2SA1015 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.

TIP35C
Транзисторы TIP35C биполярные, кремниевые, планарные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для использования в усилителях и переключательных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP9240
Транзистор IRFP9240 p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: -200 В.
Максимальный ток стока: -12,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,5 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC847C
Транзисторы BC847C кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF630
Транзистор IRF630 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 9,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,4 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF640
Транзистор IRF640 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 18,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,18 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF510
Транзистор IRF510 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 5,6 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,54 Ом.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BC557B
Транзисторы BC557B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC337-25
Транзисторы BC337-25 кремниевые, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BU508D
Транзисторы BU508D кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, импульсные.
Предназначены для применения в блоках горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFPE40
Транзистор IRFPE40 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 800 В.
Максимальный ток стока: 5,4 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 2,0 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF520
Транзистор IRF520 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 9,2 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,27 Ом.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BUT11AX
Транзистор BUT11AX кремниевый, высоковольтный, высокоскоростной, структуры n-p-n.
Предназначен для работы в преобразователях, инверторах, импульсных регуляторах, системах управления двигателем и т. д.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: SOT-186A.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF3710
IRF3710 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: 100 В.
Максимальный ток стока: 57 А.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2SC4793
Транзисторы 2SC4793 кремниевые, планарные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в высококачественных усилителях звуковой частоты.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2N7000
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы 2N7000 с изолированным затвором, обогащением n-канала.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.