Транзисторы - страница 5

IRF4905
Транзистор IRF4905 p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: -55 В.
Максимальный ток стока: -74 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,02 Ом.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BU806
Транзисторы BU806 кремниевые, эпитаксиально-планарные, составные, биполярные (транзисторы Дарлингтона) с ускоряющими диодами, структуры n-p-n.
Пpедназначены для pаботы в выходных каскадах гоpизонтальной pазвеpтки ЭЛТ, узлов и блоков аппаpатуpы шиpокого пpименения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF1405
IRF1405 n-канальный МОП-транзистор (MOSFET).
Предназначен для компонентов устройств автоэлектроники, рулевое управление с электроусилителем (EPS), антиблокировочная система (ABS) и др.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 169 А.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF830
Транзистор IRF830 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 4,5 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 1,5 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SA1837
Транзисторы 2SA18373 кремниевые структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2N3906
Транзисторы 2N3906 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2SC2625
Транзисторы 2SC2625 кремниевые структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Идеально подходит для использования в качестве драйвера устройства, такие как регуляторы переключения, ультразвуковые генераторы, высокочастотные инверторы, усилители мощности.
Тип корпуса: TO-247 (TO-3P).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFP460
Транзистор IRFP460 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 20,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,27 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SD882
Транзисторы 2SD882 кремниевые структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Тип корпуса: SOT-32 (TO-126).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

2SC3039
Транзисторы 2SC3039 кремниевые структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BCP56-16
Транзисторы BCP56-16 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, среднeй мощности.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе для поверхностного монтажа (SMD).
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-223.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRF5305
Транзистор IRF5305 p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: -55 В.
Максимальный ток стока: -31 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,06 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

BC556B
Транзисторы BC556B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF740
Транзистор IRF740 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 400 В.
Максимальный ток стока: 10 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,55 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC557
Транзисторы BC557 кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BU807
Транзисторы BU807 кремниевые, эпитаксиально-планарные, составные, биполярные (транзисторы Дарлингтона) с ускоряющими диодами, структуры n-p-n.
Пpедназначены для pаботы в выходных каскадах гоpизонтальной pазвеpтки ЭЛТ, узлов и блоков аппаpатуpы шиpокого пpименения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

MJ11016
Транзисторы MJ11016 биполярные, кремниевые, составные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, переключающих устройствах, системах управления защиты и автоматики.
Транзисторы выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20.
Тип корпуса: ТО-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRL3705N
Транзистор IRL3705N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначены для использования в телекоммуникационной, измерительной и контрольной технике, ограничителях тока, автоматике и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 89 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,01 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

IRFBC30
Транзистор IRFBC30 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях.  
Максимальное напряжение сток-исток: 600 В.
Максимальный ток стока: 3,6 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 2,2 Ω.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC847B
Транзисторы BC847B кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах общего применения.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.