Транзисторы - страница 6

2N2646
Транзисторы 2N2646 кремниевые эпитаксиально-планарные однопереходные биполярные.
Предназначены для применения в импульсных схемах и таймерных схемах, генераторах импульсов, триггерах, делителях частоты, генераторах релаксационных колебаний, релейных схемах и т. д.
Особенно широко однопереходные транзисторы используются в устройствах управления тиристорами.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Тип корпуса: TO-18.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

SS9014C
Транзистор SS9014C кремниевый, биполярный, структуры n-p-n.
Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BD139-10
Транзисторы BD139-10 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRFP450
Транзистор  IRFP450 n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 500 В.
Максимальный ток стока: 14,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,40 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BD237
Транзисторы BD237 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса:TO-126 (SOT-32).
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BD136-16
Транзисторы BD136-16 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BC337-40
Транзисторы BC337-40 кремниевые, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах, в генераторах электрических колебаний.
Корпус пластмассовой с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFZ24N
Транзистор IRFZ24N N-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 55 В.
Максимальный ток стока: 17 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,07 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-220AB.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

2SA1013
Транзисторы 2SA1013 кремниевые эпитаксиальные структуры p-n-p.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

BC558B
Транзисторы BC558B кремниевые, эпитаксиально-планарные, структуры p-n-p, с высоким коэффициентом усиления и низким напряжением насыщения.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC327-40
Транзисторы BC327-40 кремниевые, структуры p-n-p, высокочастотные.
Предназначены для применения в усилительных, генераторных и переключающих устройствах аппаратуры широкого применения.
Транзисторы выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC640
Транзисторы BC640 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,18 г.
Тип корпуса: TO-92.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

IRF9530
Транзистор  IRF9530 мощный, p-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, в преобразователях и инверторах управления скоростью электродвигателей, высокочастотных и ультразвуковых генераторах, звуковых усилителях и в других радиоэлектронных устройствах общего назначения.
Выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип корпуса: ТО-220AB.
Масса не более 2,5 г.

Максимальное напряжение сток-исток: -100 В.
Максимальный ток стока: -12,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,30 Ω.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.

IRF7413
Транзистор IRF7413 мощный, n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.  
Максимальное напряжение сток-исток: 30 В.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,011 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SO-8.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

BUZ80A
BUZ80A n-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом.
Предназначен для работы в телевизионной технике, импульсных блоках питания.
Максимальное напряжение сток-исток: 800 В.
Максимальный ток сток-исток: 3,8 А.
Тип корпуса: TO-220.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

BC817-25
Транзисторы BC817-25 кремниевые, биполярные, структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: SOT-23.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +150 °C.

2N3055
Транзисторы 2N3055 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Транзисторы предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: ТО-3.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +200 °C.

2N2905A
Транзисторы 2N2905A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах.
Транзисторы рассчитаны на высокую скорость переключения при токе коллектора до 600 мА.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 3 г.
Тип корпуса: TO-39.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.

BD140-16
Транзисторы BD140-16 кремниевые, биполярные, структуры p-n-p, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: TO-126.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +150 °C.

IRFP250N
Транзистор IRFP250N n-канальный, МОП (MOSFET).
Предназначен для использования в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры.
Максимальное напряжение сток-исток: 200 В.
Максимальный ток стока: 30,0 А.
Статические сток-исток-сопротивление: 0,075 Ω.
Маркировка транзистора указывается на корпусе.
Тип корпуса: TO-247AC.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +175 °C.